一种EEPROM单元的数据存储时间检测电路及方法技术

本发明专利技术公开了一种EEPROM单元的数据存储时间检测电路及方法，第一EEPROM单元的检测端与开关K1的一端和开关K2的一端连接，开关K1的另一端连接读取电路的第一输入端，开关K2的另一端连接第一检测电路的输出端并输出信号OUT1_DET,第二EEPROM单元的检测端与开关K3的一端和开关K4的一端连接，开关K3的另一端连接读取电路的第二输入端，开关K4的另一端连接第二检测电路的输出端并输出信号OUT2_DET。本发明专利技术采用双浮栅MOS管结构，检测电路使用电流检测，详细地反映出浮栅MOS管的状态，可以准确地判断EEPROM单元的数据存储时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种检测电路及方法，特别是一种eeprom单元的数据存储时间检测电路及方法，属于半导体集成电路。

技术介绍

1、随着集成电路技术的不断发展，eeprom获得了广泛的应用。eeprom在完成写入操作后，在eeprom单元中浮栅mos管的浮栅上带有决定eeprom单元逻辑状态的负电荷，随着时间的增加，负电荷会慢慢地流失，最后改变eeprom单元的逻辑状态，也就影响eeprom单元中的数据存储时间，所以需要检测eeprom单元中浮栅mos管的状态，来确定eeprom单元的数据是否满足长久的存储。

2、如图3所示，现有的eeprom单元采用单个浮栅mos管的结构，检测电路使用电压检测并结合读取电路，通过设置不同的检测电压，观察读取电路的输出是否改变。这种检测方法在芯片中不能详细地检测到浮栅mos管的状态，不能准确地判断eeprom单元的数据存储时间。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种eeprom单元的数据存储时间检测电路及方法，准确地判断eeprom单元的数据存储时间本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种EEPROM单元的数据存储时间检测电路，其特征在于：包含第一EEPROM单元、第二EEPROM单元、第一检测电路、第二检测电路、开关K1、开关K2、开关K3、开关K4和读取电路，第一EEPROM单元的检测端与开关K1的一端和开关K2的一端连接，开关K1的另一端连接读取电路的第一输入端，开关K2的另一端连接第一检测电路的输出端并输出信号OUT1_DET, 第二EEPROM单元的检测端与开关K3的一端和开关K4的一端连接，开关K3的另一端连接读取电路的第二输入端，开关K4的另一端连接第二检测电路的输出端并输出信号OUT2_DET。

2.根据权利要求1所述的一种EEPROM...

【技术特征摘要】

1.一种eeprom单元的数据存储时间检测电路，其特征在于：包含第一eeprom单元、第二eeprom单元、第一检测电路、第二检测电路、开关k1、开关k2、开关k3、开关k4和读取电路，第一eeprom单元的检测端与开关k1的一端和开关k2的一端连接，开关k1的另一端连接读取电路的第一输入端，开关k2的另一端连接第一检测电路的输出端并输出信号out1_det, 第二eeprom单元的检测端与开关k3的一端和开关k4的一端连接，开关k3的另一端连接读取电路的第二输入端，开关k4的另一端连接第二检测电路的输出端并输出信号out2_det。

2.根据权利要求1所述的一种eeprom单元的数据存储时间检测电路，其特征在于：所述第一eeprom单元包含浮栅mos管m1，浮栅mos管m1的源极连接电源vdd，浮栅mos管m1的栅极连接浮栅fg1，浮栅mos管m1的漏极作为第一eeprom单元的检测端。

3.根据权利要求1所述的一种eeprom单元的数据存储时间检测电路，其特征在于：所述第二eeprom单元包含浮栅mos管m2，浮栅mos管m2的源极连接电源vdd，浮栅mos管m2的栅极连接浮栅fg2，浮栅mos管m2的漏极作为第二eeprom单元的检测端。

4.根据权利要求1所述的一种eeprom单元的数据存储时间检测电路，其特征在于：所述第一检测电路包含检测...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘羽，张洪波，庄华龙，
申请(专利权)人：江苏帝奥微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：