【技术实现步骤摘要】
本专利技术适用于无线通信，尤其涉及一种低噪声放大器及射频芯片。
技术介绍
1、低噪声放大器作为接收机中关键的一环，其性能直接影响接收机整体的性能（增益，功耗，噪声系数、线性度，面积等）。在智能终端应用中，为应对来自天线的不同强度的信号，常常要求低噪声放大器具有增益调节的功能。
2、降低增益有许多种方式，如输入电阻衰减，该方法可以大大优化输入三阶交载点（input third-order intercept point，iip3）且减小电流，但对噪声系数（noise figure，nf）恶化程度较大；如输出电阻衰减，该方法不对噪声系数造成影响但无法优化iip3和电流；如以开关切换共源管面积，该方法在关闭共源管时产生一些非线性电容，使得在低增益档位时无法优化iip3。
3、因此亟需一种新的低噪声放大器及射频芯片解决上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种低噪声放大器及射频芯片，旨在解决现有的低噪声放大器难以在降低增益的同时尽量提升iip3和恶化较小的噪声系数的问题。
2、第一方面，本专利技术提供一种低噪放大器，所述低噪放大器包括信号输入端、输入匹配网络、第一增益衰减单元、第二增益衰减单元、功率放大单元、输出匹配网络以及信号输出端；
3、所述信号输入端与所述输入匹配网络的输入端连接；所述输入匹配网络的输出端与所述第一增益衰减单元的输入端连接；所述第一增益衰减单元的输出端与所述功率放大单元的第一输入端连接；所述第二增益衰减单元的第一端
4、所述第二增益衰减单元包括第一电感、第二电感、第一电阻、第二电阻、以及用于充当开关的第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管和第四开关晶体管；所述第一开关晶体管的栅极、所述第二开关晶体管的栅极、所述第三开关晶体管的栅极以及所述第四开关晶体管的栅极共同作为所述第二增益衰减单元的第一端，所述第一开关晶体管的源极、所述第二开关晶体管的源极、所述第三开关晶体管的源极以及所述第四开关晶体管的源极相互连接并共同作为所述第二增益衰减单元的第二端，所述第二电感的第一端作为所述第二增益衰减单元的第三端，所述第二电感的第二端连接至所述第一开关晶体管的漏极；所述第一电感的第一端连接至所述第一开关晶体管的漏极，所述第二开关晶体管的漏极、所述第一电阻的第一端以及所述第二电阻第一端分别连接至所述第一电感的第二端，所述第三开关晶体管的漏极与所述第一电阻的第二端连接，所述第四开关晶体管的漏极与所述第二电阻的第二端连接。
5、优选的，所述第一增益衰减单元包括第一电容、第二电容、第三电容、以及用于充当开关的第五开关晶体管和第六开关晶体管；所述第一电容的第一端、所述第二电容的第一端以及所述第三电容的第一端相互连接并共同作为所述第一增益衰减单元的输入端连接至所述输入匹配网络的输出端，并且所述第一电容的第一端、所述第二电容的第一端以及所述第三电容的第一端相互连接并作为所述第一增益衰减单元的第一输出端与所述功率放大单元的第一输入端连接；所述第二电容的第二端与所述第五开关晶体管的漏极连接，所述第三电容的第二端与所述第六开关晶体管的漏极连接，所述第五开关晶体管的栅极和所述第六开关晶体管的栅极分别用于连接外部逻辑控制电路，所述第一电容的第二端、所述第五开关晶体管的源极以及所述第六开关晶体管的源极相互连接并共同作为所述第一增益衰减单元的第二输出端连接至所述功率放大单元的第二输入端。
6、优选的，所述功率放大单元包括第一mos管和第二mos管；所述第一mos管的栅极作为所述功率放大单元的第一输入端，所述第一mos管的源极作为所述功率放大单元的第二输入端；
7、所述第二mos管的源极与所述第一mos管的漏极连接，所述第二mos管的漏极作为所述功率放大单元的输出端，所述第二mos管的栅极用于连接外部偏置电路。
8、优选的，所述输出匹配网络包括第四电容和第三电感；所述第三电感的第一端用于连接电源电压，所述第三电感的第二端和所述第四电容的第一端连接并共同作为所述输出匹配网络的输入端，所述第四电容的第二端作为所述输出匹配网络的输出端。
9、优选的，所述输入匹配网络包括第四电感；所述第四电感的第一端作为所述输入匹配网络的输入端，所述第四电感的第二端作为所述输入匹配网络的输出端。
10、优选的，所述输入匹配网络还包括第五电容，所述第五电容的第一端与所述第四电感的第二端连接，所述第五电容的第二端作为所述输入匹配网络的输出端。
11、第二方面，本专利技术还提供一种射频芯片，其特征在于，所述射频芯片包括如上述实施例任意一项所述的低噪放大器。
12、与现有技术相比，本专利技术的低噪放大器包括信号输入端、输入匹配网络、第一增益衰减单元、第二增益衰减单元、功率放大单元、输出匹配网络以及信号输出端。第二增益衰减单元的第一开关晶体管的栅极、第二开关晶体管的栅极、第三开关晶体管的栅极以及第四开关晶体管的栅极连接外部逻辑控制电路，第一开关晶体管的源极、第二开关晶体管的源极、第三开关晶体管的源极以及第四开关晶体管的源极分别接地，第二电感的第一端与功率放大单元的输入端连接，第一开关晶体管的漏极分别与第一电感的第一端和所述第二电感的第二端连接，第二开关晶体管的漏极、第一电阻的第一端以及第二电阻第一端分别与第一电感的第二端连接，第三开关晶体管的漏极与第一电阻的第二端连接，第四开关晶体管的漏极与第二电阻的第二端连接，第二电感的第一端作为所述第二增益衰减单元的第三端。这样本专利技术的低噪声放大器能在降低增益时兼顾了iip3和噪声系数。
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1.一种低噪放大器，其特征在于，所述低噪放大器包括信号输入端、输入匹配网络、第一增益衰减单元、第二增益衰减单元、功率放大单元、输出匹配网络以及信号输出端；
2.如权利要求1所述的低噪放大器，其特征在于，所述第一增益衰减单元包括第一电容、第二电容、第三电容、以及用于充当开关的第五开关晶体管和第六开关晶体管；所述第一电容的第一端、所述第二电容的第一端以及所述第三电容的第一端相互连接并共同作为所述第一增益衰减单元的输入端，并且所述第一电容的第一端、所述第二电容的第一端以及所述第三电容的第一端相互连接并作为所述第一增益衰减单元的第一输出端；所述第二电容的第二端与所述第五开关晶体管的漏极连接，所述第三电容的第二端与所述第六开关晶体管的漏极连接，所述第五开关晶体管的栅极和所述第六开关晶体管的栅极分别用于连接外部逻辑控制电路，所述第一电容的第二端、所述第五开关晶体管的源极以及所述第六开关晶体管的源极相互连接并共同作为所述第一增益衰减单元的第二输出端连接至所述功率放大单元的第二输入端。
3.如权利要求2所述的低噪放大器，其特征在于，所述功率放大单元包括第一MOS管和第二M
4.如权利要求1所述的低噪放大器，其特征在于，所述输出匹配网络包括第四电容和第三电感；所述第三电感的第一端用于连接电源电压，所述第三电感的第二端和所述第四电容的第一端连接并共同作为所述输出匹配网络的输入端，所述第四电容的第二端作为所述输出匹配网络的输出端。
5.如权利要求1所述的低噪放大器，其特征在于，所述输入匹配网络包括第四电感；所述第四电感的第一端作为所述输入匹配网络的输入端，所述第四电感的第二端作为所述输入匹配网络的输出端。
6.如权利要求5所述的低噪放大器，其特征在于，所述输入匹配网络还包括第五电容，所述第五电容的第一端与所述第四电感的第二端连接，所述第五电容的第二端作为所述输入匹配网络的输出端。
7.一种射频芯片，其特征在于，所述射频芯片包括如权利要求1-6任意一项所述的低噪放大器。
...【技术特征摘要】
1.一种低噪放大器，其特征在于，所述低噪放大器包括信号输入端、输入匹配网络、第一增益衰减单元、第二增益衰减单元、功率放大单元、输出匹配网络以及信号输出端；
2.如权利要求1所述的低噪放大器，其特征在于，所述第一增益衰减单元包括第一电容、第二电容、第三电容、以及用于充当开关的第五开关晶体管和第六开关晶体管；所述第一电容的第一端、所述第二电容的第一端以及所述第三电容的第一端相互连接并共同作为所述第一增益衰减单元的输入端，并且所述第一电容的第一端、所述第二电容的第一端以及所述第三电容的第一端相互连接并作为所述第一增益衰减单元的第一输出端；所述第二电容的第二端与所述第五开关晶体管的漏极连接，所述第三电容的第二端与所述第六开关晶体管的漏极连接，所述第五开关晶体管的栅极和所述第六开关晶体管的栅极分别用于连接外部逻辑控制电路，所述第一电容的第二端、所述第五开关晶体管的源极以及所述第六开关晶体管的源极相互连接并共同作为所述第一增益衰减单元的第二输出端连接至所述功率放大单元的第二输入端。
3.如权利要求2所述的低噪...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡杨君，郭嘉帅，
申请(专利权)人：深圳飞骧科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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