【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆扫描，尤其涉及一种晶圆状态检测方法及晶圆状态检测装置。
技术介绍
1、晶圆在生产过程中，一般都存放在晶圆盒内，晶圆盒的支撑框架上从上而下依次设置有多个用于卡接晶圆的晶槽，晶圆通过边缘部分卡在晶槽内，从而依次从下而上堆叠在支撑框架上；晶圆装载机对晶圆进行操作前需要先对晶圆盒内的晶圆进行扫描映射(mapping)，并将扫描的数值反馈到系统中进行比对，确定相关制成的安全性，扫描时会侦测晶圆盒内晶圆的相关状态如叠片(double)，斜片(cross)及晶圆的有无状态等。
2、随着半导体行业降本增效，越来越多种类的晶圆盒被应用在集成电路的生产制造过程中，非正常的晶圆放置状态越来越普遍，但目前的晶圆装载机仅能够检测晶圆的左右倾斜，并不能够检测晶圆是否前后倾斜，且其检测的准确率一般，导致晶圆夹取时损坏的风险较高。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决相关技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种晶圆状态检测方法，解决现有检测方式中无法对晶圆的前后倾斜进行检测以及检测准确率较低的缺陷。
2、本专利技术还提出一种晶圆状态检测装置，用于对晶圆的状态进行检测。
3、根据本专利技术第一方面实施例的晶圆状态检测方法，包括：
4、控制第一对射传感器和第二对射传感器对晶圆进行扫描；其中，所述第一传感器和所述第二传感器设置于安装架，且所述第一对射传感器和所述第二对射传感器之间具有水平距离差和垂直高度差；
5、确定所述第一对射
6、基于所述位置信息、所述水平距离差和所述垂直高度差，确定所述晶圆的第一状态信息，所述第一状态信息包括前后倾斜状态和非前后倾斜状态。
7、根据本专利技术实施例的晶圆状态检测方法，所述基于所述位置信息、所述水平距离差和所述垂直高度差，确定所述晶圆的第一状态信息，包括：
8、确定所述第一对射传感器切换至非触发状态时所述第一对射传感器的第一位置信息，以及所述第二对射传感器切换至非触发状态时所述第二对射传感器的第二位置信息；
9、基于所述第一位置信息、所述第二位置信息、所述水平距离差和所述垂直高度差，计算所述晶圆的前后倾斜率；
10、基于所述前后倾斜率，确定所述晶圆的所述第一状态信息。
11、根据本专利技术实施例的晶圆状态检测方法，所述基于所述前后倾斜率，确定所述晶圆的所述第一状态信息，包括：
12、将所述前后倾斜率与预设倾斜率进行比较，得到第一比较结果；
13、当所述第一比较结果为所述前后倾斜率大于所述预设倾斜率时，确定所述晶圆处于所述前后倾斜状态；
14、当所述第一比较结果为所述前后倾斜率小于等于所述预设倾斜率时，确定所述晶圆处于所述非前后倾斜状态。
15、根据本专利技术实施例的晶圆状态检测方法，所述方法还包括：
16、确定所述第一对射传感器切换至触发状态时所述第一对射传感器的第三位置信息，以及所述第二对射传感器切换至触发状态时所述第二对射传感器的第四位置信息；
17、根据所述第一位置信息和所述第三位置信息，确定所述晶圆的第一厚度信息；根据所述第二位置信息和所述第四位置信息，确定所述晶圆的第二厚度信息；
18、基于所述第一厚度信息和所述第二厚度信息，确定所述晶圆的第二状态信息，所述第二状态信息包括单层片、叠片、斜片和异常。
19、根据本专利技术实施例的晶圆状态检测方法，所述基于所述第一厚度信息和所述第二厚度信息，确定所述晶圆的第二状态信息，包括：
20、将所述第一厚度信息与第一预设厚度信息进行比较，以及将所述第二厚度信息与所述第一预设厚度信息进行比较，得到第二比较结果；
21、当所述第二比较结果为所述第一厚度信息小于所述第一预设厚度信息，且所述第二厚度信息小于所述第一预设厚度信息时，确定所述晶圆为单层片。
22、根据本专利技术实施例的晶圆状态检测方法，所述方法还包括：
23、在所述第二比较结果为所述第一厚度信息小于所述第一预设厚度信息且所述第二厚度信息大于等于所述第一预设厚度信息，或，所述第二比较结果为所述第二厚度信息小于所述第一预设厚度信息且所述第一厚度信息大于等于所述第一预设厚度信息的情况下，确定所述晶圆异常。
24、根据本专利技术实施例的晶圆状态检测方法，在所述第二比较结果为所述第一厚度信息大于等于所述第一预设厚度信息且所述第二厚度信息大于等于所述第二预设厚度信息的情况下，所述方法还包括：
25、将所述第一厚度信息与第二预设厚度信息进行比较，以及将所述第二厚度信息与所述第二预设厚度信息进行比较，得到第三比较结果；
26、当所述第三比较结果为所述第一厚度信息小于所述第二预设厚度信息且所述第二厚度信息小于所述第二预设厚度信息时，确定所述晶圆为叠片。
27、根据本专利技术实施例的晶圆状态检测方法，所述方法还包括：
28、当所述第三比较结果为所述第一厚度信息大于等于所述第二预设厚度信息且所述第二厚度信息大于等于所述第二预设厚度信息时，确定所述晶圆为斜片。
29、根据本专利技术实施例的晶圆状态检测方法，所述方法还包括：
30、当所述第三比较结果为所述第一厚度信息小于所述第二预设厚度信息且所述第二厚度信息大于等于所述第二预设厚度信息时，或，所述第三比较结果为所述第二厚度信息小于所述第二预设厚度信息且所述第一厚度信息大于等于所述第二预设厚度信息时，确定所述晶圆异常。
31、根据本专利技术第二方面实施例的晶圆状态检测装置，包括安装架，所述安装架上设置有第一对射传感器和第二对射传感器，所述第一对射传感器和所述第二对射传感器之间具有水平距离差和垂直高度差；
32、驱动机构，设置于所述安装架，驱动所述安装架移动，以使得所述第一对射传感器和所述第二对射传感器扫描晶圆；
33、控制器，用于控制所述驱动机构驱动所述安装架移动，以执行上述所述的晶圆状态检测方法。
34、本专利技术实施例中的上述一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果之一：
35、本专利技术的实施例，提供一种晶圆状态检测方法及晶圆状态检测装置，晶圆状态检测方法包括控制第一对射传感器和第二对射传感器对晶圆进行扫描；其中，第一传感器和第二传感器设置于安装架，且第一对射传感器和第二对射传感器之间具有水平距离差和垂直高度差；确定第一对射传感器、第二对射传感器切换至触发状态和非触发状态时安装架的位置信息；基于位置信息、水平距离差和垂直高度差，确定晶圆的第一状态信息，第一状态信息包括前后倾斜状态和非前后倾斜状态。通过设置具有水平距离差和垂直高度差的两对对射传感器对晶圆进行扫描，根据第一传感器和第二传感器先后切换至触发状态和非触发状态时的位置信息，结合水平距离差和垂直高度差可以精确计算晶圆的前后倾斜程度，以此判断晶本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种晶圆状态检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆状态检测方法，其特征在于，所述基于所述位置信息、所述水平距离差和所述垂直高度差，确定所述晶圆的第一状态信息，包括：
3.根据权利要求2所述的晶圆状态检测方法，其特征在于，所述基于所述前后倾斜率，确定所述晶圆的所述第一状态信息，包括：
4.根据权利要求2或3所述的晶圆状态检测方法，其特征在于，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的晶圆状态检测方法，其特征在于，所述基于所述第一厚度信息和所述第二厚度信息，确定所述晶圆的第二状态信息，包括：
6.根据权利要求5所述的晶圆状态检测方法，其特征在于，所述方法还包括：
7.根据权利要求5所述的晶圆状态检测方法，其特征在于，在所述第二比较结果为所述第一厚度信息大于等于所述第一预设厚度信息且所述第二厚度信息大于等于所述第二预设厚度信息的情况下，所述方法还包括：
8.根据权利要求7所述的晶圆状态检测方法，其特征在于，所述方法还包括：
9.根据权利要求7所述的晶圆状态检测方法，其
10.一种晶圆状态检测装置，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆状态检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆状态检测方法，其特征在于，所述基于所述位置信息、所述水平距离差和所述垂直高度差，确定所述晶圆的第一状态信息，包括：
3.根据权利要求2所述的晶圆状态检测方法，其特征在于，所述基于所述前后倾斜率，确定所述晶圆的所述第一状态信息，包括：
4.根据权利要求2或3所述的晶圆状态检测方法，其特征在于，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的晶圆状态检测方法，其特征在于，所述基于所述第一厚度信息和所述第二厚度信息，确定所述晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨森元，李宁宁，邓博雅，吕维迪，赵佳强，王晓尉，王二朋，于佳豪，
申请(专利权)人：北京京仪自动化装备技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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