纵列堆叠的高压Micro LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术公开了纵列堆叠的高压Micro LED芯片及其制作方法。所述芯片从下到上依次包括第二芯片、胶键合层、第一芯片和钝化层；第一芯片和第二芯片包括衬底、LED发光层和透明导电层；LED发光层包括N型GaN层、多量子阱和P型GaN层。刻蚀表面至第二芯片透明导电层，再次刻蚀表面至第一芯片的N型GaN层，形成阶梯状台面结构，沉积钝化层并开孔，沉积金属电极将第一芯片N型GaN层和第二芯片透明导电层相连，实现两个芯片电气连接。刻蚀另一侧表面至第二芯片N型GaN层，沉积钝化层并开孔，沉积金属形成N电极。本发明专利技术将两个Micro LED芯片通过纵列堆叠的方式，使其能够承受更高的工作电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及micro led，具体涉及纵列堆叠的高压micro led芯片及其制作方法。

技术介绍

1、微米级发光二极管(micro led)具有分辨率高、亮度高、寿命长、色域广等突出优点，与传统lcd、oled相比，在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势，逐渐在增强现实(ar)、虚拟现实(vr)、微型显示等领域中得到应用。

2、现有技术中，一种纵列全彩显示micro led芯片及其制作方法(cn116564947 a)中，通过将红、绿、蓝光三种外延结构纵向堆叠组装，在红光外延层和绿光外延层之间设置有滤光层，滤光层可以反射蓝绿光，红光可以透射过去，使得三种外延结构可以独立发光，形成了纵向排列的全彩显示micro-led。

3、现有技术中，一种红光micro led芯片及其制作方法，所述制作方法包括：在第一gaas基板上倒置生长algainp led外延层结构；将带有algainp led外延结构的外延片，与第二gaas基板键合在一起；在第二gaas基板表面沉积保护层，然后使用化学溶液腐蚀去本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.纵列堆叠的高压Micro LED芯片，其特征在于，包括从下至上堆叠的第二衬底(102)、第二LED发光层(202)、第二透明导电层(302)、胶键合层(500)、第一LED发光层(201)和第一透明导电层(301)；

2.根据权利要求1所述的纵列堆叠的高压Micro LED芯片，其特征在于，第二台阶部分的宽度大于第二台面部分，且第二衬底(102)的宽度和第二台阶部分的宽度相同，第二透明导电层(302)的宽度和第二台面部分的宽度相同。

3.根据权利要求1所述的纵列堆叠的高压Micro LED芯片，其特征在于，阶梯状台面结构中，第一台阶部分的宽度大于第一台面部分，...

【技术特征摘要】

1.纵列堆叠的高压micro led芯片，其特征在于，包括从下至上堆叠的第二衬底(102)、第二led发光层(202)、第二透明导电层(302)、胶键合层(500)、第一led发光层(201)和第一透明导电层(301)；

2.根据权利要求1所述的纵列堆叠的高压micro led芯片，其特征在于，第二台阶部分的宽度大于第二台面部分，且第二衬底(102)的宽度和第二台阶部分的宽度相同，第二透明导电层(302)的宽度和第二台面部分的宽度相同。

3.根据权利要求1所述的纵列堆叠的高压micro led芯片，其特征在于，阶梯状台面结构中，第一台阶部分的宽度大于第一台面部分，且胶键合层(500)的宽度和第一台阶部分的宽度相同，胶键合层(500)左侧与第二透明导电层(302)的左侧齐平，第一透明导电层(301)的宽度和第一台面部分的宽度相同。

4.根据权利要求1所述的纵列堆叠的高压micro led芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的纵列堆叠的高压micro led芯片的制备方法，其特征在于，第一芯片键合临时基板(400)是为了后续剥...

【专利技术属性】
技术研发人员：王洪，张威，谢军，
申请(专利权)人：中山市华南理工大学现代产业技术研究院，
类型：发明
国别省市：