温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了纵列堆叠的高压Micro LED芯片及其制作方法。所述芯片从下到上依次包括第二芯片、胶键合层、第一芯片和钝化层；第一芯片和第二芯片包括衬底、LED发光层和透明导电层；LED发光层包括N型GaN层、多量子阱和P型GaN层。刻蚀表面...
该专利属于中山市华南理工大学现代产业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中山市华南理工大学现代产业技术研究院授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。