一种碳化硅晶圆衬底磨抛洗一体设备制造技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种碳化硅晶圆衬底磨抛洗一体设备，包括：主轴；支臂内端固定连接于主轴外周，支臂外端设有吸附抛光头，适于吸附碳化硅晶圆衬底，并随主轴旋转，而变换碳化硅晶圆衬底的位置；多个研磨盘围绕主轴设置，且在每个研磨盘上设有抛光垫；多个抛光垫依次对吸附抛光头上吸附的碳化硅晶圆衬底进行抛光；清洗单元清洗抛光完毕的碳化硅晶圆衬底；本申请通过吸附抛光头的吸附和旋转实现碳化硅晶圆衬底在不同作业单元间转移；将碳化硅晶圆衬底减薄、抛光和清洗在同一台设备进行；省去分选、清洗和切换机台等的操作和时间，最大程度为碳化硅晶圆衬底加工节省时间和耗材，提高产出量，提升加工效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，具体涉及一种碳化硅晶圆衬底磨抛洗一体设备。

技术介绍

1、碳化硅是第三代半导体的代表材料，因其具有高热导率、高临界击穿电场、高饱和电子漂移速率、高键合能和宽禁带等特点；其在功率器件领域有极大优势和广阔的应用前景。但是，碳化硅具有高硬度特性，其莫氏硬度可达9.5；且碳化硅具有高脆性的特性。碳化硅的上述特性使得碳化硅晶圆衬底在化学机械抛光中的抛光效率低，且很容易在碳化硅晶圆衬底表面形成划伤；因此碳化硅晶圆衬底的磨抛加工非常困难。传统碳化硅晶圆衬底的磨抛加工是将研磨和抛光等工序独立分开进行，且每道工序以多片碳化硅晶圆衬底同时作业的方式进行；在工序之间穿插多次的分选和清洗工作，耗时时间长，工作效率低，且多片碳化硅晶圆衬底在同时作业时互相影响，很容易导致整批次碳化硅晶圆衬底出现相同的质量问题。

技术实现思路

1、因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服磨抛加工碳化硅晶圆衬底的多个工序独立分开进行，且每道工序以多片碳化硅晶圆衬底同时作业的方式进行；在工序之间穿插多次分选和清洗工作，耗时时间长，工本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅晶圆衬底磨抛洗一体设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆衬底磨抛洗一体设备，其特征在于，在每个研磨盘周围设有冲洗管路；所述冲洗管路适于用水清洗碳化硅晶圆衬底和抛光垫。

3.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆衬底磨抛洗一体设备，其特征在于，在每个研磨盘周围设有至少一路抛光液供应管路；所述抛光液供应管路适于为研磨盘提供抛光液。

4.根据权利要求3所述的碳化硅晶圆衬底磨抛洗一体设备，其特征在于，在每个研磨盘周围设有两路或三路抛光液供应管路；所述两路或三路抛光液供应管路适于切换，为研磨盘提供抛光液。

<p>5.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅晶圆衬底磨抛洗一体设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆衬底磨抛洗一体设备，其特征在于，在每个研磨盘周围设有冲洗管路；所述冲洗管路适于用水清洗碳化硅晶圆衬底和抛光垫。

3.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆衬底磨抛洗一体设备，其特征在于，在每个研磨盘周围设有至少一路抛光液供应管路；所述抛光液供应管路适于为研磨盘提供抛光液。

4.根据权利要求3所述的碳化硅晶圆衬底磨抛洗一体设备，其特征在于，在每个研磨盘周围设有两路或三路抛光液供应管路；所述两路或三路抛光液供应管路适于切换，为研磨盘提供抛光液。

5.根据权利要求1－4中任一项所述的碳化硅晶圆衬底磨抛...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔云承，何家鑫，何艳红，王磊，
申请(专利权)人：北京晶亦精微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：