【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及一种滤波器及其制备方法。
技术介绍
1、随着移动通信技术的快速发展，对移动通信设备中滤波器的性能要求也越来越高。其中，体声波(bulkacoustic wave filter，baw)滤波器因其具有高q值、低插损、可集成等优点，被广泛应用，其构造方式主要有空气隙型和固体装配型(solidly mountedresonator，smr)两种。其中，空气隙型体声波滤波器是采用微机电系统(micro electromechanical system，mems)加工工艺中的硅表面工艺在硅片的上表面上形成一个空气间隙，将声波限制在压电震荡堆之中。
2、目前，为进一步提高baw滤波器的可靠性能，通常会在器件晶圆上键合上盖晶圆将器件密封，利用穿硅通孔(through silicon via，tsv)工艺形成导电结构以电连接焊盘。在该过程中，上盖晶圆虽然能够提供足够的防护能力，但由于上盖晶圆和器件晶圆之间通常需要利用au基材料进行键合，生产成本较高。此外，本领域中也提出了一些利用保护罩笼罩器件晶圆上的谐振结构以取代上盖晶圆的方法，但是在工艺实现上仍有许多问题需要克服，产品的良率和可靠性仍有待提高。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例为解决
技术介绍
中存在的至少一个问题而提供一种滤波器及其制备方法。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种滤波器的制备方法，所述方法包括：
3、提供衬底，所述衬底上形成有谐振结构，所述谐振结构包括依次堆叠
4、形成牺牲层，所述牺牲层包括覆盖所述谐振结构的上表面的第一部分、覆盖所述谐振结构的侧表面的第二部分、以及与所述第二部分的底端衔接的第三部分；
5、去除部分所述第三部分，以在所述衬底上形成未被所述牺牲层覆盖的接触区；
6、形成保护罩层，所述保护罩层覆盖所述牺牲层的所述第一部分和所述第二部分，且所述保护罩层的底端一部分位于所述接触区上、一部分位于所述第三部分上；
7、去除所述牺牲层，其中，所述第三部分被去除，以在所述保护罩层的底端下方形成释放孔，所述第二部分和所述第一部分通过所述释放孔被去除，以在所述谐振结构与所述保护罩层之间形成空腔；
8、形成密封层，所述密封层的厚度大于所述第三部分的厚度，所述密封层的侧表面与所述保护罩层接触，以密封所述释放孔。
9、可选地，所述保护罩层的上表面未被所述密封层覆盖。
10、可选地，所述衬底上还形成有焊盘；
11、所述形成密封层，包括：
12、形成覆盖层；
13、对所述覆盖层进行图案化，以使所述覆盖层的一部分形成为焊盘保护层，一部分形成为所述密封层；其中，所述焊盘保护层覆盖所述焊盘的部分区域且暴露出所述焊盘的待植球区域。
14、可选地，所述形成保护罩层前，所述方法还包括：对所述第三部分中位于所述保护罩层预设形成位置之下的部分进行减薄。
15、可选地，所述保护罩层的厚度大于或等于8μm。
16、可选地，所述衬底上还形成有焊盘；
17、所述保护罩层的厚度小于或等于30μm；
18、所述方法还包括：在所述焊盘上形成焊球。
19、第二方面，本申请实施例提供了一种滤波器，包括：
20、衬底；
21、谐振结构，位于所述衬底上，所述谐振结构包括依次堆叠的第一电极、压电层和第二电极；
22、保护罩层，位于所述衬底上，且笼罩在所述谐振结构上，所述保护罩层包括在所述衬底的厚度方向上距离所述谐振结构最远的上顶部，以及从所述上顶部向所述衬底延伸的侧壁部；
23、释放孔，位于所述侧壁部的底端与所述衬底之间；
24、空腔，位于所述谐振结构与所述保护罩层之间；
25、密封层，所述密封层的厚度大于所述释放孔在沿衬底厚度方向上的高度，所述密封层的侧表面与所述保护罩层接触，以密封所述释放孔。
26、可选地，所述保护罩层的上表面未被所述密封层覆盖。
27、可选地，所述滤波器还包括：
28、焊盘，位于所述衬底上；
29、焊盘保护层，覆盖所述焊盘的部分区域且暴露出所述焊盘的待植球区域；
30、其中，所述焊盘保护层和所述密封层通过对同一材料层进行图案化而形成。
31、可选地，所述保护罩层的厚度大于或等于8μm。
32、可选地，所述释放孔的高度小于所述空腔的高度，所述高度指沿所述衬底的厚度方向上的距离。
33、可选地，所述滤波器还包括：
34、焊盘，位于所述衬底上；
35、焊球，位于所述焊盘上；
36、所述保护罩层的厚度小于或等于30μm。
37、本申请实施例所提供的滤波器及其制备方法具有如下的有益效果：
38、通过保护罩层与密封层实现滤波器的封装，无需上盖晶圆进行键合封装，减少了晶圆的消耗，降低了生产成本；通过牺牲层占据释放孔的位置，无需额外在保护罩层上刻蚀释放孔，节省工艺时间，降低工艺难度；利用牺牲层的第三部分形成释放孔，使得释放孔位于保护罩层底端的下方，尺寸较小，降低了释放孔的密封难度；密封层的厚度大于第三部分的厚度，即可将释放孔堵住，不仅工艺实现难度小，而且覆盖性好，密封牢固，提高了器件的可靠性。
39、本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种滤波器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的滤波器的制备方法，其特征在于，所述保护罩层的上表面未被所述密封层覆盖。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底上还形成有焊盘；所述形成密封层，包括：
4.如权利要求1所述的滤波器的制备方法，其特征在于，所述形成保护罩层前，所述方法还包括：对所述第三部分中位于所述保护罩层预设形成位置之下的部分进行减薄。
5.如权利要求1所述的滤波器的制备方法，其特征在于，所述保护罩层的厚度大于或等于8μm。
6.如权利要求1所述的滤波器的制备方法，其特征在于，所述衬底上还形成有焊盘；
7.一种滤波器，其特征在于，包括：
8.如权利要求7所述的滤波器，其特征在于，所述保护罩层的上表面未被所述密封层覆盖。
9.如权利要求7所述的滤波器，其特征在于，还包括：
10.如权利要求7所述的滤波器，其特征在于，所述保护罩层的厚度大于或等于8μm。
11.如权利要求7所述的滤波器，其特征在于，所述释放孔的高
12.如权利要求7所述的滤波器，其特征在于，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种滤波器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的滤波器的制备方法，其特征在于，所述保护罩层的上表面未被所述密封层覆盖。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底上还形成有焊盘；所述形成密封层，包括：
4.如权利要求1所述的滤波器的制备方法，其特征在于，所述形成保护罩层前，所述方法还包括：对所述第三部分中位于所述保护罩层预设形成位置之下的部分进行减薄。
5.如权利要求1所述的滤波器的制备方法，其特征在于，所述保护罩层的厚度大于或等于8μm。
6.如权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：穆苑龙，魏有晨，王大甲，蔡敏豪，冯雪丽，陈丹，
申请(专利权)人：芯联集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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