【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装，尤其涉及一种滤波器的晶圆级封装方法。
技术介绍
1、声表面波器件在移动通讯和汽车电子领域扮演着核心角色。例如，在移动电话的射频前端中，声表面波滤波器是重要组成部分。多个声表面波滤波器可以被布置为复用器，比如两个声表面波滤波器可以被布置成双工器。为了保护声表面波装置，可以将其封装在外壳内部。
2、传统的声表面波器件封装方式主要有两种：一种是采用smd封装，使用无引脚的陶瓷外壳和引线键合技术，其封装面积较大，要求封装面积不小于芯片面积的两倍。另一种是倒装技术的csp封装，尺寸相对较小，要求封装面积不超过芯片面积的1.14倍。
3、因而，目前主流工艺主要是通过smd和csp封装，封装尺寸大，而且目前晶圆级封装,最外层为pi(聚酰亚胺)层，可靠性和稳定性相对较差。
技术实现思路
1、基于
技术介绍
存在的技术问题，本专利技术提出了一种滤波器的晶圆级封装方法，有效降低封装尺寸，成本低，可靠性高。
2、本专利技术提出的一种滤波器的晶圆级封装方法，包括如下步骤：
3、s1：在滤波器芯片结构上制作腔体结构；
4、s2：在腔体结构上制作再分布层；
5、s3：在再分布层上制作铜柱层；
6、s4：通过环氧树脂印刷工艺，在铜柱层外周印刷出环氧树脂层作为钝化层，并且通过树脂研磨使铜柱层露出钝化层；
7、s5：在铜柱层端部制作锡球，完成封装。
8、进一步地，在步骤s1中，滤波器芯片
9、进一步地，在步骤s1中，腔体结构具体为：通过贴附一层感光性聚酰亚胺膜层，使用曝光机对其曝光，将光刻掩膜图形转移到载体晶圆上，再通过显影使之成为腔体结构的支撑结构，再通过类似的贴膜、曝光、显影工艺将腔体结构的顶层结构转印到载体晶圆上。
10、进一步地，在步骤s2和s3中，再分布层和铜柱层具体为：首先通过磁控溅射溅射出一层电镀种子层，通过光刻工艺把设计布局图转印到载体晶圆上，通过电镀工艺将再分布层和铜柱层的铜沉积到载体晶圆上以形成芯片与铜柱层的导通。
11、进一步地，在步骤s4中，钝化层具体为：通过树脂印刷工艺将树脂印刷在载体晶圆上，对其烘烤和热处理，将得到稳定的树脂层作为钝化层，通过钝化层表面的树脂研磨，使铜柱层的铜柱露出
12、进一步地，在步骤s5中，通过锡球印刷工艺在环氧树脂层上印刷出锡球，并经过回流使锡球成形。
13、本专利技术提供的一种滤波器的晶圆级封装方法的优点在于：本专利技术结构中提供的一种滤波器的晶圆级封装方法，有效降低封装尺寸，封装面积和芯片面积比达到1:1，而且，环氧树脂封装已在成熟的csp封装中验证过其可靠性和稳定性，在本实施例中具有高可靠性封装；同时通过再分布层和铜柱层加锡球印刷工艺实现金属互连，成本低。
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1.一种滤波器的晶圆级封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的滤波器的晶圆级封装方法，其特征在于，在步骤S1中，滤波器芯片(12)为在LiTaO3/LiNbO3衬底(11)上制造出结构，晶圆级封装是在载体晶圆(1)上的芯片功能区进行封装。
3.根据权利要求1所述的滤波器的晶圆级封装方法，其特征在于，在步骤S1中，腔体结构(2)具体为：通过贴附一层感光性聚酰亚胺膜层，使用曝光机对其曝光，将光刻掩膜图形转移到载体晶圆(1)上，再通过显影使之成为腔体结构(2)的支撑结构，再通过贴膜、曝光、显影工艺将腔体结构(2)的顶层结构转印到载体晶圆(1)上。
4.根据权利要求1所述的滤波器的晶圆级封装方法，其特征在于，在步骤S2和S3中，再分布层(3)和铜柱层(4)具体为：首先通过磁控溅射溅射出一层电镀种子层，通过光刻工艺把设计布局图转印到载体晶圆1上，通过电镀工艺将再分布层(3)和铜柱层(4)的铜沉积到载体晶圆(1)上以形成芯片与铜柱层(4)的导通。
5.根据权利要求1所述的滤波器的晶圆级封装方法，其特征在于，在步骤S4中，钝
6.根据权利要求1所述的滤波器的晶圆级封装方法，其特征在于，在步骤S5中，通过锡球印刷工艺在环氧树脂层上印刷出锡球(6)，并经过回流使锡球(6)成形。
...【技术特征摘要】
1.一种滤波器的晶圆级封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的滤波器的晶圆级封装方法，其特征在于，在步骤s1中，滤波器芯片(12)为在litao3/linbo3衬底(11)上制造出结构，晶圆级封装是在载体晶圆(1)上的芯片功能区进行封装。
3.根据权利要求1所述的滤波器的晶圆级封装方法，其特征在于，在步骤s1中，腔体结构(2)具体为：通过贴附一层感光性聚酰亚胺膜层，使用曝光机对其曝光，将光刻掩膜图形转移到载体晶圆(1)上，再通过显影使之成为腔体结构(2)的支撑结构，再通过贴膜、曝光、显影工艺将腔体结构(2)的顶层结构转印到载体晶圆(1)上。
4.根据权利要求1所述的滤波器的晶圆级封装方法，其特征在于，在...
【专利技术属性】
技术研发人员：高伟，胡光，王晓燕，
申请(专利权)人：合肥芯投微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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