一种新型ＩＧＢＴ驱动保护电路制造技术

本发明专利技术公开了一种新型ＩＧＢＴ驱动保护电路，其主要包括：提供工作电压的电源；电压基准单元；绝缘栅双极晶体管ＩＧＢＴ；一个控制脉冲输入电路；光耦Ｐ１；初级放大电路；Ｖｃｅ监测保护电路；故障软关断电路；其主要特点在于还包括一个欠压保护单元，用于在电源电压降低到设定值时封锁驱动保护电路的输出；本发明专利技术还包括一个上升下降时间可调电路，用来调节绝缘栅双极晶体管ＩＧＢＴ导通的上升时间Ｔｒ和关断的下降时间Ｔｆ。本发明专利技术电路功能完善、性能可靠，易于推广应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术电路属于电力电子领域，具体涉及一种绝缘栅双极晶体管IGBTdnsulated Gate Bipolar Transistor)的驱动保护电路。
技术介绍
绝缘栅双极晶体管IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既具有功率 MOSFET输入阻抗高、工作速度快、易驱动的优点，又具有双极达林顿功率管GTO饱和电压 低、电流容量大、耐压高等优点，能正常工作于几十KHz频率范围内，故在较高频率的大、中 功率设备(如变频器、UPS电源、高频焊机等)应用中占据了主导地位。IGBT的驱动保护电 路是其应用方案设计的难点和关键，性能优良的驱动保护电路是确保IGBT高效、可靠运行 的必要条件。如图1所示为现有技术方案中一种典型的驱动保护电路，特点是结构简单，具 有驱动电源保护功能，但是对IGBT导通的上升时间 ；和关断的下降时间Tf不可调，这就导 致了这一电路应用的局限性。一个性能优良的驱动保护电路应该具备以下特征首先具有 良好的隔离功能而且对信号的延时很小；其次应该能够提供一定幅值的正反向栅极电压并 且具有足够的驱动能力；必须串联合适的栅极电阻，然而不同规格的IGBT和不同的应用场本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型ＩＧＢＴ驱动保护电路，主要包括：一个用于提供工作电压的电源（ＶＣＣＡ）；一个电压基准单元（ＶＣＣＢ），通过电源（ＶＣＣＡ）的电压、电阻（Ｒ１０）、电容（Ｃ５）、稳压管（Ｚ２）产生，其用于绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）提供关断所需的负的栅极电压；一个用于控制负载通断的绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）；一个控制脉冲输入电路，用于提供脉冲信号给光耦（Ｐ１）；光耦（Ｐ１），主要用来实现控制电路和主电路的电气隔离，其输入端连接来自控制系统的控制脉冲输入电路的脉冲信号，输出端相当于一个ＯＣ门，输出的电压用于控制晶体管（Ｑ１）和晶体管（Ｑ２）的通断；初级放大电路，主要包括晶体管（Ｑ２），用于对控制绝缘栅双...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王松，乜连波，郭荣生，吴建华，刘超，
申请(专利权)人：山东大学威海分校，
类型：发明
国别省市：37[中国|山东]