【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种废气处理设备及处理方法。
技术介绍
1、制造芯片的半导体制作过程中包括许多制程工艺，例如形成薄膜的沉积制作工艺、对薄膜进行图案化的蚀刻制作工艺等等。在不同的制程工艺中，制程腔室中会产生一些废气，需输送到废气处理设备中处理。
2、目前，废气在输送过程中，废气易相互发生反应生成结晶，生成的结晶积聚在废气处理设备的管道的内壁上，导致废气处理设备的管道堵塞，管道压力增大至一定临界值时，废气处理装置会异常停机，容易发生安全事故。
技术实现思路
1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
2、本公开提供了一种废气处理设备及处理方法。
3、根据本公开实施例的第一方面，提供一种废气处理设备，所述废气处理设备包括：
4、废气输送通道；
5、废气燃烧腔室；
6、连接通道，用于连通所述废气输送通道和所述废气燃烧腔室；
7、加热装置，设置于所述连接通道处，所述加热装置用于对所述连接通道中的废气进行加热。
8、根据本公开的一些实施例，所述加热装置包括气体提供装置和导流管，所述导流管的一端伸入至所述连接通道中并与所述连接通道连通，所述导流管的另一端与所述气体提供装置连通；
9、所述气体提供装置用于提供温度处于温度预设阈值内的加热气体，所述加热气体通过所述导流管输送至所述连接通道。
10、根据本公开的一些实施例，所述连接通道包
11、所述第二通道与所述废气输送通道错开设置。
12、根据本公开的一些实施例，所述气体提供装置包括控制器以及与所述控制器电连接的加热器和流量阀，所述加热器用于对所述加热气体加热，所述流量阀用于调节流入所述导流管的所述加热气体的流量；
13、所述控制器用于对所述加热器和所述流量阀进行控制，以控制所述加热气体的温度和流量。
14、根据本公开的一些实施例，所述加热气体包括氮气和/或惰性气体。
15、根据本公开的一些实施例，所述温度预设阈值的范围为170℃至200℃。
16、根据本公开的一些实施例，所述废气输送通道与半导体工艺腔室连通；和/或，
17、所述废气燃烧腔室与净化处理设备连通。
18、根据本公开的一些实施例，所述废气处理设备还包括刮刀以及与所述刮刀连接的驱动装置，所述刮刀与所述连接通道的内侧壁接触连接；
19、所述驱动装置用于带动所述刮刀在所述连接通道的延伸方向运动，和/或，用于带动所述刮刀自转。
20、根据本公开的一些实施例，所述刮刀包括至少一个支撑筋条和多个刮环，所述支撑筋条分别与多个所述刮环固定连接。
21、根据本公开的一些实施例，多个所述刮环的尺寸相同，多个所述刮环同轴设置；
22、沿所述刮环的轴向方向，多个所述刮环间隔设置。
23、根据本公开的一些实施例，所述支撑筋条与所述刮环的外表面光滑过渡连接。
24、根据本公开的一些实施例，所述支撑筋条的数量为多个，多个所述支撑筋条沿所述刮环的周向方向均布设置。
25、根据本公开的一些实施例，所述刮刀的材料包括淬火钢。
26、根据本公开实施例的第二方面，提供了一种废气处理方法，用于对如本公开实施例的第一方面提供的废气处理设备进行控制，废气处理方法包括：
27、检测所述废气处理设备的连接通道中的温度；
28、当所述温度低于第一预设阈值时，控制所述废气处理设备的加热装置对所述连接通道中的废气进行加热。
29、根据本公开的一些实施例，控制所述废气处理设备的加热装置对所述连接通道中的废气进行加热，包括：
30、控制所述加热装置的气体提供装置提供温度处于温度预设阈值内的加热气体，并以预设流量向所述加热装置的导流管输送所述加热气体。
31、本公开提供的废气处理设备及处理方法，通过在连接通道处设置加热装置，对连接通道中的废气进行加热，减少废气在连接通道中发生反应生成的结晶，同时可以消除部分已产生的结晶，避免连接通道堵塞，保证废气处理设备的正常运转，提升废气处理设备的安全性和可靠性。
32、在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种废气处理设备，其特征在于，所述废气处理设备包括：
2.根据权利要求1所述的废气处理设备，其特征在于，所述加热装置包括气体提供装置和导流管，所述导流管的一端伸入至所述连接通道中并与所述连接通道连通，所述导流管的另一端与所述气体提供装置连通；
3.根据权利要求2所述的废气处理设备，其特征在于，所述连接通道包括第一通道和第二通道，所述第一通道与所述废气输送通道连通，所述第二通道与所述废气燃烧腔室连通；
4.根据权利要求2所述的废气处理设备，其特征在于，所述气体提供装置包括控制器以及与所述控制器电连接的加热器和流量阀，所述加热器用于对所述加热气体加热，所述流量阀用于调节流入所述导流管的所述加热气体的流量；
5.根据权利要求2所述的废气处理设备，其特征在于，所述加热气体包括氮气和/或惰性气体。
6.根据权利要求2所述的废气处理设备，其特征在于，所述温度预设阈值的范围为170℃至200℃。
7.根据权利要求1所述的废气处理设备，其特征在于，所述废气输送通道与半导体工艺腔室连通；和/或，
8.根据权利要
9.根据权利要求8所述的废气处理设备，其特征在于，所述刮刀包括至少一个支撑筋条和多个刮环，所述支撑筋条分别与多个所述刮环固定连接。
10.根据权利要求9所述的废气处理设备，其特征在于，多个所述刮环的尺寸相同，多个所述刮环同轴设置；
11.根据权利要求9所述的废气处理设备，其特征在于，所述支撑筋条与所述刮环的外表面光滑过渡连接。
12.根据权利要求9所述的废气处理设备，其特征在于，所述支撑筋条的数量为多个，多个所述支撑筋条沿所述刮环的周向方向均布设置。
13.根据权利要求9所述的废气处理设备，其特征在于，所述刮刀的材料包括淬火钢。
14.一种废气处理方法，其特征在于，用于对如权利要求1至13中任一项所述的废气处理设备进行控制，废气处理方法包括：
15.根据权利要求14所述的废气处理方法，其特征在于，控制所述废气处理设备的加热装置对所述连接通道中的废气进行加热，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种废气处理设备，其特征在于，所述废气处理设备包括：
2.根据权利要求1所述的废气处理设备，其特征在于，所述加热装置包括气体提供装置和导流管，所述导流管的一端伸入至所述连接通道中并与所述连接通道连通，所述导流管的另一端与所述气体提供装置连通；
3.根据权利要求2所述的废气处理设备，其特征在于，所述连接通道包括第一通道和第二通道，所述第一通道与所述废气输送通道连通，所述第二通道与所述废气燃烧腔室连通；
4.根据权利要求2所述的废气处理设备，其特征在于，所述气体提供装置包括控制器以及与所述控制器电连接的加热器和流量阀，所述加热器用于对所述加热气体加热，所述流量阀用于调节流入所述导流管的所述加热气体的流量；
5.根据权利要求2所述的废气处理设备，其特征在于，所述加热气体包括氮气和/或惰性气体。
6.根据权利要求2所述的废气处理设备，其特征在于，所述温度预设阈值的范围为170℃至200℃。
7.根据权利要求1所述的废气处理设备，其特征在于，所述废气输送通道与半导体工艺腔室连通；和/或，
8.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：程迪，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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