【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体上涉及氯化法钛白生产，更具体地，涉及一种氯化法钛白氧化反应器的除疤方法、氯化法钛白初品粒径的控制方法，还涉及一种氯化法钛白初品粒径的控制设备。
技术介绍
1、现有技术有两种主流的生产钛白粉的工艺：氯化法和硫酸法。与硫酸法相比，氯化法具有自动化程度高、技术先进、优质环保的优点，因而逐步成为钛白行业发展的主要趋势。
2、在氯化钛白生产过程中，ticl4气相氧化反应过程中的产物tio2极易沉积到氧化反应器内高温反应器区域的内壁面，进而逐渐形成疤层。现有技术大多采用多孔气慕装置保护的方式来控制氧化反应器进料环后端反应高温区域结疤的技术问题。但是，大量冷却气体吹入反应核心区，势必对氧化产品的质量造成负面影响，气量大，除疤效果好但产品粒度小且不均匀；气量小，产品质量合格但除疤效果差。而现有的喷盐除疤手段，则是在反应区末端的急速冷却段喷入nacl岩盐颗粒，除疤的同时起到冷却效果，然而，该方法无法对氧化反应器的高温反应核心区域起到保护作用。
3、此外，氯化钛白的初品粒径决定了氯化钛白的成品粒度，故控制初品粒度是控制氯化钛白成品类型及质量等级的核心关键环节，如何控制氯化钛白粒度、优化粒度分布已成为亟待解决的问题。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种氯化法钛白氧化反应器的除疤方法、氯化法钛白初品粒径的控制方法，还提供一种氯化法钛白初品粒径的控制设备。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、本
4、高温o2经由燃烧室进入氧化反应器，ticl4蒸汽经由ticl4进料环进入氧化反应器；
5、高温o2与ticl4蒸汽在氧化反应器的混合反应区进行反应，生成tio2粉末；
6、在邻近氧化反应器进料环后端处，将cscl颗粒喷入氧化反应器内。
7、进一步地，在距离氧化反应器进料环后端10-30mm处，将cscl颗粒以环状方式均匀喷入温度为1880～2000℃的氧化反应器内。
8、进一步地，cscl颗粒的流量为40～50kg/h，cscl颗粒粒度为2～3mm。
9、本专利技术还提供了一种氯化法钛白初品粒径的控制方法，包括以下步骤：
10、高温o2经由燃烧室进入氧化反应器，ticl4蒸汽经由ticl4进料环进入氧化反应器；
11、高温o2与ticl4蒸汽在氧化反应器的混合反应区进行反应，生成tio2粉末；
12、在邻近氧化反应器进料环后端处，将cscl颗粒喷入氧化反应器内；
13、对混合反应区和/或冷却导管施加至少一个磁场，并且根据目标钛白初品粒径设定磁场参数。
14、进一步地，在距离氧化反应器进料环后端10-30mm处，将cscl颗粒以环状方式均匀喷入温度为1880～2000℃的氧化反应器内。
15、进一步地，cscl颗粒的流量为40～50kg/h，cscl颗粒粒度为2～3mm。
16、进一步地，目标钛白初品粒径为180～260nm。
17、进一步地，磁场参数包括磁场的控制区域长度和磁场强度，磁场的控制区域长度为从距氧化反应器进料环后端0.05m起至混合反应区的末端和/或冷却导管的末端之间的范围，磁场强度为70～90wb/m2。
18、本专利技术还提供一种氯化法钛白初品粒径的控制设备，包括：
19、燃烧室；
20、ticl4进料环；
21、氧化反应器，其包括氧化反应器进料环，并且分别与所述燃烧室和所述ticl4进料环连通；
22、冷却导管，其与所述氧化反应器连通；
23、环状加料喷枪，其邻近所述氧化反应器进料环后端设置，用于将cscl颗粒喷入氧化反应器内；
24、至少一个可控磁场装置，其设置在所述氧化反应器和/或所述冷却导管上，用于对所述氧化反应器的混合反应区和/或所述冷却导管施加磁场，并且根据目标钛白初品粒径设定磁场参数。
25、进一步地，环状加料喷枪设置在距离氧化反应器进料环后端10-30mm处，用于将cscl颗粒以环状方式均匀喷入所述氧化反应器内；磁场参数包括磁场的控制区域长度和磁场强度，磁场的控制区域长度为从距氧化反应器进料环后端0.05m起至混合反应区的末端和/或冷却导管的末端之间的范围，磁场强度为70～90wb/m2。
26、与现有技术相比，本专利技术的有益技术效果为：
27、本专利技术的方法有效解决了氧化反应器进料环后端至高温反应核心区域的炉壁结疤问题，并且生产的氯化钛白初品平均粒径能够达到180～260nm的精确可控水平，实现了优化粒径分布的目的，从而能够稳定氯化钛白初品的质量。此外，本专利技术的方法操作简单，不使用添加剂因而成本低，具有优异的经济效益。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种氯化法钛白氧化反应器的除疤方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在距离氧化反应器进料环后端10-30mm处，将CsCl颗粒以环状方式均匀喷入温度为1880～2000℃的氧化反应器内。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，CsCl颗粒的流量为40～50kg/h，CsCl颗粒粒度为2～3mm。
4.一种氯化法钛白初品粒径的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在距离氧化反应器进料环后端10-30mm处，将CsCl颗粒以环状方式均匀喷入温度为1880～2000℃的氧化反应器内。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，CsCl颗粒的流量为40～50kg/h，CsCl颗粒粒度为2～3mm。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，目标钛白初品粒径为180～260nm。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，磁场参数包括磁场的控制区域长度和磁场强度，磁场的控制区域长度为从距氧化反应器进料环后端0.05m起至
9.一种氯化法钛白初品粒径的控制设备，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种氯化法钛白氧化反应器的除疤方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在距离氧化反应器进料环后端10-30mm处，将cscl颗粒以环状方式均匀喷入温度为1880～2000℃的氧化反应器内。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，cscl颗粒的流量为40～50kg/h，cscl颗粒粒度为2～3mm。
4.一种氯化法钛白初品粒径的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在距离氧化反应器进料环后端10-30mm处，将cscl颗粒以环状方式均匀喷入温度为1880～2000℃...
【专利技术属性】
技术研发人员：周艾然，陆平，郭杰，董立春，
申请(专利权)人：攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。