【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、随着半导体器件集成度的提高，晶体管的关键尺寸不断缩小。然而，随着晶体管尺寸的急剧减小，栅介质层厚度与工作电压不能相应改变使抑制短沟道效应的难度加大，使晶体管的沟道漏电流增大。
2、鳍式场效应晶体管(fin field-effect transistor，finfet)的栅极成类似鱼鳍的叉状3d架构。finfet的沟道凸出衬底表面形成鳍部，栅极覆盖鳍部的顶面和侧壁，从而使反型层形成在沟道各侧上，可于鳍部的两侧控制电路的接通与断开。这种设计能够增加栅极对沟道区的控制，从而能够很好地抑制晶体管的短沟道效应。然而，鳍式场效应晶体管仍然存在短沟道效应。
3、此外，为了进一步减小短沟道效应对半导体器件的影响，降低沟道漏电流。半导体
引入了应变硅技术，应变硅技术的方法包括：在栅极结构两侧的鳍部中形成凹槽；通过外延生长工艺在所述凹槽中形成源漏掺杂区。
4、为了防止不同晶体管的源漏掺杂区相互连接，需要在鳍部中形成隔离层，同时为了减小隔离...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底上的若干沿所述第二方向排布的第二鳍部，所述第二鳍部自所述第一器件区上横跨所述隔离区并延伸至所述第二器件区上；所述栅极结构沿所述第二方向横跨所述第二鳍部。
3.如权利要求2所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底上的隔离层，所述隔离层覆盖所述第一鳍部和所述第二鳍部的部分侧壁，且所述隔离层的顶部表面低于所述第一鳍部和所述第二鳍部的顶部表面。
4.如权利要求2所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第二区上的第二隔离结构，所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底上的若干沿所述第二方向排布的第二鳍部，所述第二鳍部自所述第一器件区上横跨所述隔离区并延伸至所述第二器件区上；所述栅极结构沿所述第二方向横跨所述第二鳍部。
3.如权利要求2所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底上的隔离层，所述隔离层覆盖所述第一鳍部和所述第二鳍部的部分侧壁，且所述隔离层的顶部表面低于所述第一鳍部和所述第二鳍部的顶部表面。
4.如权利要求2所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第二区上的第二隔离结构，所述第二隔离结构横跨所述第二鳍部，且所述第二隔离结构的材料与所述第一隔离结构的材料不同。
5.如权利要求4所述半导体结构，其特征在于，所述第二隔离结构的材料包括：氮化硅。
6.如权利要求4所述半导体结构，其特征在于，所述第一隔离结构的底部表面高于所述第二隔离结构的底部表面。
7.如权利要求4所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第一鳍部内的若干第一源漏掺杂层，所述第一源漏掺杂层位于相邻的所述栅极结构和所述第一隔离结构之间，或相邻的所述栅极结构之间，且所述第一源漏掺杂层内具有第一源漏离子；位于所述第二鳍部内的若干第二源漏掺杂层，所述第二源漏掺杂层位于相邻的所述栅极结构和所述第二隔离结构之间，或相邻的所述栅极结构之间，且所述第二源漏掺杂层内具有第二源漏离子。
8.如权利要求7所述半导体结构，其特征在于，所述第一源漏离子与所述第二源漏离子电学类型不同；所述第一源漏离子包括n型离子；所述第二源漏离子包括p型离子。
9.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述第一隔离结构的材料包括：氧化硅。
10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
11.如权利要求10所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述前驱结构的材料包括：氢硅倍半环氧乙烷。
12.如权利要求11所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一隔离结构的材料包括：氧化硅。
13.如权利要求10所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第一鳍部的过程中，还包括：在所述衬底上形成若干沿所述第二方向排布的第二鳍部，所述第二鳍部自所述第一器件区上横跨所述隔离区并延伸至所述第二器件区上；所述前驱结构沿所述第二方向横跨所述第二鳍部。
14.如权利要求13所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述栅极结构之后，还包括：去除位于所述第二区上的所述栅极结构以及部分所述第二鳍部，在所述介质层和所述第二鳍部内形成隔离开口；在所述隔离开口内形成第二隔离结构，且所述第二隔离结构与所述第一隔离结构的材料不同。
15.如权利要求13所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第一鳍部和所述第二鳍...
【专利技术属性】
技术研发人员：涂武涛，丁凤，柳莺，韩宝斋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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