System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 空气桥的制备方法和超导量子芯片技术_技高网

空气桥的制备方法和超导量子芯片技术

技术编号:40358323 阅读:6 留言:0更新日期:2024-02-09 14:44
本申请涉及一种空气桥的制备方法和超导量子芯片。所述方法包括:在基底上涂敷至少两层光刻胶层,且距离所述基底越远的光刻胶层的光刻胶感光度越大;对所述至少两层光刻胶层的至少两处桥区域进行曝光刻蚀处理,以在所述至少两处桥区域形成具有不同种桥撑结构的至少两种制桥结构;且在刻蚀不同种桥撑结构的桥顶区域时,分别采用能刻蚀到不同光刻胶层的曝光剂量,使得不同种桥撑结构分别包括不同光刻胶层数的光刻胶;在所述至少两种制桥结构分别沉积超导膜层;至少对已沉积超导膜层的所述制桥结构进行去胶处理,形成至少两种高度的空气桥。上述方法可以用于制备超导量子芯片,能够有效提高在同一基板上制备具有不同高度的空气桥的制备效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及电路结构领域,特别涉及一种空气桥的制备方法以及超导量子芯片。


技术介绍

1、空气桥是一种跨过共面波导传输线、连接传输线两侧地平面的三维结构。它可以起到屏蔽信号、减弱不同共面波导之间信号串扰的作用,还可以将共面波导两侧的地平面相连接,当两条共面波导无法避免要相交的时候,可以把空气桥作为一条共面波导的信号线从另一条共面波导的上方跨过。

2、传统的空气桥制备技术,一次只能够在同一基底上实现单一高度的空气桥的制备,当同一基底上需要完成两种不同高度的空气桥的制备时,只能分多次分别进行,进而导致空气桥的制备效率较低。


技术实现思路

1、基于此,有必要针对上述技术问题,提供一种能够提高在同一基底上制备不同高度的空气桥的制备效率的空气桥的制备方法和一种具有不同高度的空气桥的超导量子芯片。

2、第一方面,本申请提供了一种空气桥的制备方法,包括:

3、在基底上涂敷至少两层光刻胶层,且距离所述基底越远的光刻胶层的光刻胶感光度越大;

4、对所述至少两层光刻胶层的至少两处桥区域进行曝光刻蚀处理,以在所述至少两处桥区域形成具有不同种桥撑结构的至少两种制桥结构;且在刻蚀不同种桥撑结构的桥顶区域时,分别采用能刻蚀到不同光刻胶层的曝光剂量,使得不同种桥撑结构分别包括不同光刻胶层数的光刻胶;

5、在所述至少两种制桥结构分别沉积超导膜层;

6、至少对已沉积超导膜层的所述制桥结构进行去胶处理,形成至少两种高度的空气桥。

7、第二方面,本申请提供了一种超导量子芯片,所述超导量子芯片中包括基底、集成在所述基底上的量子线路、以及至少两种高度的空气桥,所述至少两种高度的空气桥采用上述空气桥的制备方法制备得到。

8、上述空气桥的制备方法,通过在基底上涂敷至少两层光刻胶层,进而通过对至少两层光刻胶层的至少两处桥区域进行曝光刻蚀处理,以在至少两处桥区域形成具有不同种桥撑结构的至少两种制桥结构,且在刻蚀不同种桥撑结构的桥顶区域时,分别采用能刻蚀到不同光刻胶层的曝光剂量,使得不同种桥撑结构分别包括不同光刻胶层数的光刻胶,由于涂敷的至少两层光刻胶层中距离基底越远的光刻胶层的光刻胶感光度越大,能够使得在距离基底更远的光刻胶层的曝光刻蚀具有更高的刻蚀效率,在距离基底更近的光刻胶层的曝光刻蚀具有更高的刻蚀精度,从而实现不同种桥撑结构在刻蚀过程中刻蚀效率和刻蚀精度的兼顾,通过在至少两种制桥结构分别沉积超导膜层,至少对已沉积超导膜层的制桥结构进行去胶处理,使得在同一基底上快速准确地形成至少两种高度的空气桥。

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【技术保护点】

1.一种空气桥的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的空气桥的制备方法,其特征在于,所述空气桥的制备方法还包括:

3.根据权利要求2所述的空气桥的制备方法,其特征在于,所述基于待制备的不同高度空气桥各自的桥高,确定待涂敷的光刻胶层数以及每一光刻胶层各自所需的涂敷厚度,包括:

4.根据权利要求2所述的空气桥的制备方法,其特征在于,所述按照所述每一光刻胶层各自所需的涂敷厚度,在基底上逐层涂敷光刻胶层,包括:

5.根据权利要求1所述的空气桥的制备方法,其特征在于,所述桥区域包括桥顶区域、至少两个桥墩区域以及分别连接所述桥顶区域和所述至少两个桥墩区域的至少两个桥拱区域;

6.根据权利要求5所述的空气桥的制备方法,其特征在于,所述在所述桥墩区域、所述桥拱区域、以及所述桥顶区域分别施加不同的曝光剂量,包括:

7.根据权利要求1所述的空气桥的制备方法,其特征在于,所述在所述桥拱区域中,跟随与所述桥顶区域之间距离的增大,施加剂量逐渐增加的中间曝光剂量,包括:

8.根据权利要求1所述的空气桥的制备方法,其特征在于,所述空气桥的制备方法还包括:

9.根据权利要求8所述的空气桥的制备方法,其特征在于,所述空气桥的制备方法还包括:

10.根据权利要求9所述的空气桥的制备方法,其特征在于,在涂敷有所述至少两层光刻胶层的测量基板上,分别施加剂量不同的多种曝光剂量,包括:

11.根据权利要求1所述的空气桥的制备方法,其特征在于,所述在所述至少两种制桥结构分别沉积超导膜层,包括:

12.根据权利要求11所述的空气桥的制备方法,其特征在于,所述将涂敷有所述至少两层光刻胶层且沉积有所述超导膜层的基底置入去胶液中,以使所述至少两层光刻胶层溶解,并使得沉积于所述至少两层光刻胶层上的未刻蚀区域的超导膜层随着光刻胶的溶解脱离,形成与所述基底黏连的至少两种高度的空气桥,包括:

13.根据权利要求1至12中任一项所述的空气桥的制备方法,其特征在于,所述空气桥的制备方法还包括:

14.一种超导量子芯片,其特征在于,所述超导量子芯片中包括基底、集成在所述基底上的量子线路、以及至少两种高度的空气桥,所述至少两种高度的空气桥如权利要求1至13中任一项所述的空气桥的制备方法制备得到。

15.根据权利要求14所述的超导量子芯片,其特征在于,所述至少两种高度的空气桥包括用作共面波导跨线的第一类空气桥和用作量子比特的电容的第二类空气桥;所述第一类空气桥的桥高大于所述第二类空气桥的桥高。

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【技术特征摘要】

1.一种空气桥的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的空气桥的制备方法,其特征在于,所述空气桥的制备方法还包括:

3.根据权利要求2所述的空气桥的制备方法,其特征在于,所述基于待制备的不同高度空气桥各自的桥高,确定待涂敷的光刻胶层数以及每一光刻胶层各自所需的涂敷厚度,包括:

4.根据权利要求2所述的空气桥的制备方法,其特征在于,所述按照所述每一光刻胶层各自所需的涂敷厚度,在基底上逐层涂敷光刻胶层,包括:

5.根据权利要求1所述的空气桥的制备方法,其特征在于,所述桥区域包括桥顶区域、至少两个桥墩区域以及分别连接所述桥顶区域和所述至少两个桥墩区域的至少两个桥拱区域;

6.根据权利要求5所述的空气桥的制备方法,其特征在于,所述在所述桥墩区域、所述桥拱区域、以及所述桥顶区域分别施加不同的曝光剂量,包括:

7.根据权利要求1所述的空气桥的制备方法,其特征在于,所述在所述桥拱区域中,跟随与所述桥顶区域之间距离的增大,施加剂量逐渐增加的中间曝光剂量,包括:

8.根据权利要求1所述的空气桥的制备方法,其特征在于,所述空气桥的制备方法还包括:

9.根据权利要求8所述的空气桥的制备方法,其特征在于,所述空气桥的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员:卜坤亮张文龙
申请(专利权)人:腾讯科技深圳有限公司
类型:发明
国别省市:

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