【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光掩模，特别涉及一种预防光掩模板缺陷修补损伤的方法。
技术介绍
1、在制作光罩(光掩模板)过程中，时常会出现不该有的材料被留存在某些区域的基板上，继而形成缺陷。若产生大范围缺陷，则会使用入射离子束的机台来做缺陷修补。然而在修补过程中，因离子束扫描的时间较长，容易造成基板出现扫描损伤(scan damage)，甚至可能导致光罩报废。
2、为了预防扫描损伤，公开号为cn 1672099a的中国专利技术提出了一种用于修补光掩模上缺陷的方法，该方法是事先在基板的一个表面上形成缓冲层，缓冲层保护基板在修补缺陷时不受损伤。虽然该方法可以有效保护基板不被损伤，但是也存在不足。通过在基板表面事先形成缓冲层后，会使得最终制得的光掩模板产品带有该缓冲层，例如其图2d所示，缓冲层30一直形成于基板上，形成图案的不透射层32只能形成于缓冲层30上，而不是形成于基板16上，导致产品结构改变。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于改善现有技术中存在的缺陷修补易损伤基板或者保护措施会导致光掩模产品结构改变的问题，提供一种预防光掩模板缺陷修补损伤的方法，既能预防基板在缺陷修补时损伤，又不改变最终的光掩模板产品结构。
2、为了实现上述目的，本专利技术实施例提供了以下技术方案：
3、一种预防光掩模板缺陷修补损伤的方法，在光掩模板制作完成之后，且执行缺陷修补之前，在光掩模板的表面形成保护模。
4、上述方案中，通过在缺陷修补前预先在光掩模板表面形成保护模，保
5、为了预防硅化钼层损伤导致产品报废，在进一步优化的方案中，所述保护模覆盖硅化钼层所在区域。
6、在基板缺陷修补过程中，通常只关注了基板损伤，但是实际上硅化钼层的图形也容易损伤，因为硅化钼层中图形线宽一般为0.2um，甚至更小，在修补过程中容易被冲洗掉，继而导致图形断裂，但是硅化钼层的图形损伤时常被忽略。另外，实际上硅化钼层也可能沾附脏污需要清洗，在清洗过程中不仅容易损伤缺陷位置的图形，而且还容易损伤缺陷位置周边区域的正常图形。本方案中，在形成保护模时，保护模覆盖硅化钼层所在区域，因此可避免硅化钼层(mosi)损伤，避免硅化钼层在光罩贴模后检出透光度超规格的状况造成产品报废，即本方案可以解决光掩模板因硅化钼层修补损伤导致报废的问题。
7、进一步优化的方案中，所述保护模的面积范围大于缺陷位置。
8、缺陷修补只会修补有缺陷的位置，因此可以仅在缺陷位置形成保护模，但是修补过程中蚀刻气体也可能会对缺陷位置的周边区域造成损伤。本方案中，保护模的面积范围大于缺陷位置，因此保护模不仅可以对缺陷位置的基板和硅化钼层进行保护，还可以对缺陷位置的周边区域进行保护，避免缺陷位置的周边区域因缺陷修补而受到损伤，进一步提高产品良率。
9、进一步优化的方案中，所述保护模的面积范围为以缺陷位置为中心，向外延伸2-3um形成的区域面积。
10、保护模覆盖的范围越宽，就会对越多的区域进行保护，但是保护模的范围更宽就会消耗更多的时间，也会消耗更多的材料。本方案中，保护模的范围为以缺陷位置为中心，向外延伸2-3um，不仅兼顾了保护效果，又节省了时间成本及材料成本。
11、所述在光掩模板的表面形成保护模的操作是：若修补方式为入射离子束，则沉积类金刚石炭以形成保护模；若修补方式为电子束，则沉积六羰基铬以形成保护模。
12、所述光掩模板为相位移光掩模板。
13、与现有技术相比，本专利技术在光罩上先下沉积气体(deposition gas)使其光罩基板及硅化钼层(mosi)形成保护作用，此保护作用可避免基板损伤及硅化钼层(mosi)在光罩贴模后检出透光度超规格的状况造成产品报废，继而提高产品良率；由于是在光罩制作完成后的表面形成保护模，因此不会改变光罩结构；还能优化工艺制程技能、提高良率、减少成本、提高产品品质。
14、更多或更详细的技术效果阐述请见实施例中相关描述。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种预防光掩模板缺陷修补损伤的方法，其特征在于，在光掩模板制作完成之后，且执行缺陷修补之前，在光掩模板的表面形成保护模。
2.根据权利要求1所述的一种预防光掩模板缺陷修补损伤的方法，其特征在于，所述保护模覆盖硅化钼层所在区域。
3.根据权利要求2所述的一种预防光掩模板缺陷修补损伤的方法，其特征在于，所述保护模的面积范围大于缺陷位置。
4.根据权利要求3所述的一种预防光掩模板缺陷修补损伤的方法，其特征在于，所述保护模的面积范围为以缺陷位置为中心，向外延伸2-3um形成的区域面积。
5.根据权利要求1所述的一种预防光掩模板缺陷修补损伤的方法，其特征在于，所述在光掩模板的表面形成保护模的操作是：若修补方式为入射离子束，则沉积类金刚石炭以形成保护模；若修补方式为电子束，则沉积六羰基铬以形成保护模。
6.根据权利要求1所述的一种预防光掩模板缺陷修补损伤的方法，其特征在于，所述光掩模板为相位移光掩模板。
【技术特征摘要】
1.一种预防光掩模板缺陷修补损伤的方法，其特征在于，在光掩模板制作完成之后，且执行缺陷修补之前，在光掩模板的表面形成保护模。
2.根据权利要求1所述的一种预防光掩模板缺陷修补损伤的方法，其特征在于，所述保护模覆盖硅化钼层所在区域。
3.根据权利要求2所述的一种预防光掩模板缺陷修补损伤的方法，其特征在于，所述保护模的面积范围大于缺陷位置。
4.根据权利要求3所述的一种预防光掩模板缺陷修补损伤的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴雪云，曾振瑞，
申请(专利权)人：兴华芯绍兴半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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