本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，公开了一种CMP警报处理方法、系统、设备及介质，方法包括：在目标晶圆处于CMP的研磨工序时，响应于接收到的警报信号，终止目标晶圆的研磨工序；对目标晶圆进行吸附，并对目标晶圆进行清洗操作；在对目标晶圆的清洗操作结束后，控制目标晶圆执行下一CMP工序。本发明专利技术能够实现研磨工序发生警报后对晶圆的有效保护，既避免了因紧急停止带来的应力损伤问题，又去除晶圆表面的研磨液防止了薄膜腐蚀，大大降低了晶圆的报废率，一定程度上保障了晶圆的研磨效率和CMP工艺的稳定性。
1、化学机械抛光(chemical mechanical polishing，cmp)是集成电路制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键技术。与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同，cmp工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合来实现晶圆表面微米级/纳米级材料的去除，从而达到晶圆表面的高度(纳米级)平坦化效应，使下一步的光刻工艺得以进行。cmp技术结合了机械抛光和化学抛光，相对于其他平坦化技术而言有着极大的优势，它不但能够对硅片表面进行局部处理，同时也可以对整个硅片表面进行平坦化处理，是目前唯一能兼顾表面全局和局部平坦化的技术。
2、当前，晶圆在工艺研磨过程中遇到警报(alarm)时机台执行相关动作，即alarm时是无论停止动作为abort platform(紧急停止)，finish recipe(工艺配方完成后停止)，stop recipe(当前工艺step立马停止)，相关设备停止对研磨的晶圆均有很大的应力损伤；此外，残留晶圆表面的研磨液会继续腐蚀，导致产品报废，影响晶圆研磨的效率。
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种cmp警报处理方法、系统、设备及介质，以解决现有化学机械抛光研磨晶圆的过程中，由于警报导致晶圆受到应力损伤以及研磨垫上残留研磨液对晶圆的腐蚀，进而影响晶圆研磨效率的问题。
>3、在目标晶圆处于cmp的研磨工序时，响应于接收到的警报信号，终止目标晶圆的研磨工序；4、对目标晶圆进行吸附，并对目标晶圆进行清洗操作；
5、在对目标晶圆的清洗操作结束后，控制目标晶圆执行下一cmp工序。
6、本专利技术的cmp警报处理方法，能够在研磨工序发生警报后对晶圆进行有效的保护，既能避免因紧急停止带来的应力损伤问题，又能去除晶圆表面的研磨液，防止了薄膜腐蚀的发生，能够减少晶圆的报废率，一定程度上保障了晶圆的研磨效率和cmp工艺的稳定性。
7、在一种可选的实施方式中，对目标晶圆进行吸附，包括：
8、通过晶圆载体将目标晶圆从研磨垫上吸附起来。
9、本专利技术通过对目标晶圆进行吸附，使得目标晶圆能够从研磨垫上离开，避免了紧急停止带来的应力损伤问题。
10、在一种可选的实施方式中，对目标晶圆进行清洗操作，包括：
11、基于警报信号确定故障等级；
12、基于故障等级确定目标晶圆对应的目标清洗操作程序；
13、基于目标清洗操作程序对目标晶圆进行清洗操作。
14、本专利技术通过警报信号对应的故障等级分别对目标晶圆进行清洗操作，既能去除晶圆表面的研磨液防止薄膜腐蚀的发生，又能够减少清洗的成本，有助于提高晶圆的研磨效率。
15、在一种可选的实施方式中，当检测到目标晶圆研磨工序中的晶圆载体研磨压力超过预设压力阈值，和/或，研磨液的流量超过预设流量阈值，和/或，研磨垫的转速超过第一预设转速阈值，和/或，研磨平台的转速超过第二预设转速阈值时，生成对应的警报信号。
16、本专利技术通过检测多种研磨工序参数来确定对应的警报信号，能够保障警报的准确性，一定程度上提高了cmp工艺的稳定性。
17、在一种可选的实施方式中，对目标晶圆进行清洗操作之前，cmp警报处理方法还包括：
18、检测目标晶圆吸附是否成功；
19、在目标晶圆吸附成功时，执行对目标晶圆进行清洗操作的步骤。
20、本专利技术通过对晶圆吸附操作的检测，能够最大化保障目标晶圆的清洗效果，有助于提高晶圆的研磨效率。
21、在一种可选的实施方式中，cmp警报处理方法还包括：
22、在目标晶圆吸附失败时，生成对应的第一警报信号以提示操作人员进行预警处理。
23、在一种可选的实施方式中，cmp警报处理方法还包括：
24、在对目标晶圆进行清洗操作时，若监测到目标晶圆清洗操作失败，生成对应的第二警报信号以提示操作人员进行预警处理。
25、本专利技术通过对晶圆吸附和晶圆清洗操作的异常监测，能够准确获知对应工序的异常情况并及时进行相应预警处理，一定程度上保障了cmp工艺的稳定性。
26、第二方面，本专利技术提供了一种cmp警报处理系统，系统包括：
27、终止模块，用于在目标晶圆处于cmp的研磨工序时，响应于接收到的警报信号，终止目标晶圆的研磨工序；
28、处理模块，用于对目标晶圆进行吸附，并对目标晶圆进行清洗操作；
29、控制模块，用于在对目标晶圆的清洗操作结束后，控制目标晶圆执行下一cmp工序。
30、本专利技术的cmp警报处理系统，能够实现cmp设备在抛光过程中发生报警情况后对晶圆进行的有效保护，通过对目标晶圆的吸附和清洗的保护操作，通过吸附操作能够避免因警报被紧急停止带来的晶圆应力损伤问题，又通过清洗操作去除晶圆表面的研磨液防止薄膜腐蚀，极大地降低了晶圆的报废率，保障了晶圆的研磨效率和cmp工艺的稳定性。
31、第三方面，本专利技术提供了一种cmp设备，包括：存储器和处理器，存储器和处理器之间互相通信连接，存储器中存储有计算机指令，处理器通过执行计算机指令，从而执行上述第一方面或其对应的任一实施方式的一种cmp警报处理方法。
32、第四方面，本专利技术提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有计算机指令，计算机指令用于使计算机执行上述第一方面或其对应的任一实施方式的一种cmp警报处理方法。
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【技术保护点】
1.一种CMP警报处理方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的CMP警报处理方法，其特征在于，所述对所述目标晶圆进行吸附，包括：
3.根据权利要求1所述的CMP警报处理方法，其特征在于，所述对所述目标晶圆进行清洗操作，包括：
4.根据权利要求3所述的CMP警报处理方法，其特征在于，当检测到目标晶圆研磨工序中的晶圆载体研磨压力超过预设压力阈值，和/或，研磨液的流量超过预设流量阈值，和/或，研磨垫的转速超过第一预设转速阈值，和/或，研磨平台的转速超过第二预设转速阈值时，生成对应的警报信号。
5.根据权利要求3所述的CMP警报处理方法，其特征在于，在对所述目标晶圆进行清洗操作之前，所述方法还包括：
6.根据权利要求5所述的CMP警报处理方法，其特征在于，所述方法还包括：
7.根据权利要求1至6中任一项所述的CMP警报处理方法，其特征在于，所述方法还包括：
8.一种CMP警报处理系统，其特征在于，所述系统包括：
9.一种CMP设备，其特征在于，包括：存储器和处理器，所述存储器和所述处理器之间互相通信连接，所述存储器中存储有计算机指令，所述处理器通过执行所述计算机指令，从而执行权利要求1至7中任一项所述的CMP警报处理方法。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机指令，所述计算机指令用于使计算机执行权利要求1至7中任一项所述的CMP警报处理方法。
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【技术特征摘要】
1.一种cmp警报处理方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的cmp警报处理方法，其特征在于，所述对所述目标晶圆进行吸附，包括：
3.根据权利要求1所述的cmp警报处理方法，其特征在于，所述对所述目标晶圆进行清洗操作，包括：
4.根据权利要求3所述的cmp警报处理方法，其特征在于，当检测到目标晶圆研磨工序中的晶圆载体研磨压力超过预设压力阈值，和/或，研磨液的流量超过预设流量阈值，和/或，研磨垫的转速超过第一预设转速阈值，和/或，研磨平台的转速超过第二预设转速阈值时，生成对应的警报信号。
5.根据权利要求3所述的cmp警报处理方法，其特征在于，在对所述目标晶圆进行清洗操作之前，所述方法还包...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐勇，
申请(专利权)人：北京晶亦精微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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