【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及滤波器领域，具体涉及一种声学滤波器及其制备方法。
技术介绍
1、目前，以谐振结构为基本单元的滤波器在通讯领域得到越来越广泛的应用，其中，tc-saw（temperature compensated-saw，温度补偿型声表面波）滤波器是声学滤波器的一种，其在普通saw滤波器的基础上，通过覆着或粘接温度补偿层进行性能改进，使器件频率温度系数（tcf）下降。因此其具备了saw滤波器体积小、插入损耗小的特征，并且具有频率温度稳定性好的优势，可以解决恶劣温度环境下的抗干扰问题。
2、但是，普通的tc-saw谐振结构/滤波器会产生较大的杂波信号，严重影响谐振结构/滤波器的性能。
技术实现思路
1、专利技术目的：本专利技术目的在于针对现有技术的不足，提供一种具有抑制杂波单元的tc-saw 谐振结构，通过抑制杂波单元的设置，提高滤波器抑制杂波的效果。
2、技术方案：本专利技术所述一种具有抑制杂波单元的 tc-saw 谐振结构，包括：
3、衬底；
4、叉指换能器，所述叉指换能器设置在衬底上，所述叉指换能器包括第一叉指换能器和第二叉指换能器；所述第一叉指换能器包括第一汇流排和连接至第一汇流排的各第一电极指，所述第二叉指换能器包括第二汇流排和连接至第二汇流排的各第二电极指；
5、温度补偿层，所述温度补偿层覆盖在各第一电极指和各第二电极指的表面；
6、抑制杂波单元，所述抑制杂波单元为设置在温度补偿层中的金属结构，所述抑制
7、进一步，所述抑制杂波单元包括分布式金属结构或连续式金属结构；
8、所述分布式金属结构构造为对应设置在各第一电极指和各第二电极指上侧的金属结构；
9、所述连续式金属结构构造为对应设置在各第一电极指和各第二电极指上侧的第一金属结构和连接各第一金属结构的第二金属结构。
10、进一步，所述抑制杂波单元在垂直于衬底的第二方向上具有与第一电极指和第二电极指其中之一的末端平齐的波峰/波谷，所述余弦波形的周期性变化范围对应四条第一电极指和四条第二电极指。
11、进一步，所述抑制杂波单元在第二方向上的断面为矩形。
12、进一步，还包括接触电极，所述接触电极设置在第一汇流排和第二汇流排上。
13、更进一步，还包括钝化层，所述钝化层覆盖温度补偿层，并在接触电极上设有开口部。
14、进一步，所述抑制杂波单元的外侧边缘与第一电极指/第二电极指末端在第三方向的距离取值范围为(0-0.1)*l，l为叉指换能器的工作波长；所述第三方向平行于所述衬底所在平面，且与第一方向相交。
15、进一步，单个所述抑制杂波单元沿第一方向的宽度取值范围为(0.3-0.6)*l，与第一方向的单个电极指的宽度相同，l为叉指换能器的工作波长。
16、进一步，第一电极指末端与第二汇流排之间的间隙长度取值范围为（0.1-2）*l，第二电极指末端与第一汇流排之间的间隙长度取值范围为（0.1-2）*l，l为叉指换能器的工作波长。
17、一种tc-saw滤波器，包括上述任意一条所述的具有抑制杂波单元的 tc-saw 谐振结构。
18、有益效果：目前声表面波器件，其芯片基本构成是压电衬底、压电衬底表面制作的金属电极结构：叉指换能器、反射栅阵、屏蔽电极、声波多条耦合电极以及传感器敏感结构等。每个声表面波器件至少有一个叉指换能器，叉指换能器是在纵向上、即在声波传播的方向上，并排地布置有与声波传播方向垂直的周期电极指，且电极指交替地与第一和第二汇流排连接。叉指换能器激发的声表面波，向两边传播，声表面波传输的声道，与所在传播衬底的特性有关，在实用器件中，一般其声道会逐渐扩散。声道扩展导致产生杂散声波模式，且有效声波能量损失，器件q值减低，明显劣化器件性能。
19、本专利技术提供一种结构简单，成本更低，加工更容易的声表面波器件，通过在叉指换能器的电极指两端上方设置杂波抑制单元，每一端的杂波抑制单元连接形成连续周期的余弦波形结构，抑制杂波，优化声表面波器件性能。
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1.一种具有抑制杂波单元的 TC-SAW 谐振结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的具有抑制杂波单元的 TC-SAW谐振结构，其特征在于，所述抑制杂波单元包括分布式金属结构或连续式金属结构；
3.根据权利要求1所述的具有抑制杂波单元的 TC-SAW谐振结构，其特征在于，所述抑制杂波单元在垂直于衬底的第二方向上具有与第一电极指和第二电极指其中之一的末端平齐的波峰/波谷；所述余弦波形的周期性变化范围对应四条第一电极指和四条第二电极指。
4.根据权利要求1所述的具有抑制杂波单元的 TC-SAW谐振结构，其特征在于，所述抑制杂波单元在第二方向上的断面为矩形。
5.根据权利要求1所述的具有抑制杂波单元的 TC-SAW 谐振结构，其特征在于，还包括接触电极，所述接触电极设置在第一汇流排和第二汇流排上。
6.根据权利要求5所述的具有抑制杂波单元的 TC-SAW 谐振结构，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层覆盖温度补偿层，并在接触电极上设有开口部。
7.根据权利要求1所述的具有抑制杂波单元的 TC-SAW 谐振
8.根据权利要求1所述的具有抑制杂波单元的 TC-SAW 谐振结构，其特征在于，单个所述抑制杂波单元沿第一方向的宽度取值范围为(0.3-0.6)*L，与第一方向的单个电极指的宽度相同，L为叉指换能器的工作波长。
9.根据权利要求1所述的具有抑制杂波单元的 TC-SAW 谐振结构，其特征在于，第一电极指末端与第二汇流排之间的间隙长度取值范围为（0.1-2）*L，第二电极指末端与第一汇流排之间的间隙长度取值范围为（0.1-2）*L，L为叉指换能器的工作波长。
10.一种TC-SAW滤波器，包括如权利要求1~9任意一条所述的具有抑制杂波单元的 TC-SAW 谐振结构。
...【技术特征摘要】
1.一种具有抑制杂波单元的 tc-saw 谐振结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的具有抑制杂波单元的 tc-saw谐振结构，其特征在于，所述抑制杂波单元包括分布式金属结构或连续式金属结构；
3.根据权利要求1所述的具有抑制杂波单元的 tc-saw谐振结构，其特征在于，所述抑制杂波单元在垂直于衬底的第二方向上具有与第一电极指和第二电极指其中之一的末端平齐的波峰/波谷；所述余弦波形的周期性变化范围对应四条第一电极指和四条第二电极指。
4.根据权利要求1所述的具有抑制杂波单元的 tc-saw谐振结构，其特征在于，所述抑制杂波单元在第二方向上的断面为矩形。
5.根据权利要求1所述的具有抑制杂波单元的 tc-saw 谐振结构，其特征在于，还包括接触电极，所述接触电极设置在第一汇流排和第二汇流排上。
6.根据权利要求5所述的具有抑制杂波单元的 tc-saw 谐振结构，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层覆盖温度补偿层，并在接触...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄磊，唐供宾，邹洁，
申请(专利权)人：深圳新声半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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