System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种顶层设置抑制杂波单元的TC-SAW谐振结构制造技术_技高网

一种顶层设置抑制杂波单元的TC-SAW谐振结构制造技术

技术编号:40401611 阅读:6 留言:0更新日期:2024-02-20 22:26
本发明专利技术公开了一种顶层设置抑制杂波单元的TC‑SAW谐振结构,包括:衬底;叉指换能器,所述叉指换能器设置在衬底上,所述叉指换能器包括第一叉指换能器和第二叉指换能器;所述第一叉指换能器包括第一汇流排和连接至第一汇流排的各第一电极指,所述第二叉指换能器包括第二汇流排和连接至第二汇流排的各第二电极指;温度补偿层,所述温度补偿层覆盖在各第一电极指和各第二电极指的表面;抑制杂波单元,所述抑制杂波单元为设置在温度补偿层上方的金属结构,所述抑制杂波单元在第一方向上形成连续周期的两个对称分布的余弦波形。本发明专利技术的一种顶层设置抑制杂波单元的TC‑SAW谐振结构,通过设置余弦结构的抑制杂波单元,提高了滤波器抑制杂波的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及顶层设置抑制杂波单元的 tc-saw 谐振结构,属于滤波器领域。


技术介绍

1、目前,以谐振结构为基本单元的滤波器在通讯领域得到越来越广泛的应用,其中,tc-saw(temperature compensated-saw,温度补偿型声表面波)滤波器是声学滤波器的一种,其在普通saw滤波器的基础上,通过覆着或粘接温度补偿层进行性能改进,使器件频率温度系数(tcf)下降。因此其具备了saw滤波器体积小、插入损耗小的特征,并且具有频率温度稳定性好的优势,可以解决恶劣温度环境下的抗干扰问题。

2、但是,普通的tc-saw谐振结构/滤波器会产生较大的杂波信号,严重影响谐振结构/滤波器的性能。


技术实现思路

1、专利技术目的:为了克服现有技术中存在的不足,本专利技术提供一种顶层设置抑制杂波单元的 tc-saw 谐振结构,通过设置余弦结构的抑制杂波单元,提高了滤波器抑制杂波的效果。

2、技术方案:为解决上述技术问题,本专利技术的一种顶层设置抑制杂波单元的 tc-saw谐振结构,包括:

3、衬底;

4、叉指换能器,所述叉指换能器设置在衬底上,所述叉指换能器包括第一叉指换能器和第二叉指换能器;所述第一叉指换能器包括第一汇流排和连接至第一汇流排的各第一电极指,所述第二叉指换能器包括第二汇流排和连接至第二汇流排的各第二电极指;

5、温度补偿层,所述温度补偿层覆盖在各第一电极指和各第二电极指的表面;

6、还包括抑制杂波单元,所述抑制杂波单元为设置在温度补偿层上方的金属结构,所述抑制杂波单元在第一方向上形成连续周期的两个对称分布的余弦波形,第一方向平行于所述衬底所在平面且垂直于第一电极指;

7、所述第一电极指和第二电极指沿对称轴a对称分布,余弦波形的顶点b位于对称轴a上,顶点b位于第一电极指或第二电极指的端部。

8、进一步的,所述抑制杂波单元的外侧边缘与第一电极指/第二电极指末端在第三方向的距离取值范围为(0-0.1)*l;所述第三方向平行于所述衬底所在平面,且与第一方向相交;所述单个所述抑制杂波单元沿第一方向的宽度取值范围为(0.3-0.6)*l,与第一方向的单个电极指的宽度相同;l为叉指换能器的工作波长。

9、进一步的,所述第一电极指末端与第二汇流排之间的间隙长度取值范围为(0.1-2)*l,第二电极指末端与第一汇流排之间的间隙长度取值范围为(0.1-2)*l,l为叉指换能器的工作波长。

10、进一步的,所述抑制杂波单元的外侧边缘与第一电极指/第二电极指末端在第三方向的距离取值范围为(0.05-0.08)*l;所述第三方向平行于所述衬底所在平面,且与第一方向相交;所述单个所述抑制杂波单元沿第一方向的宽度取值范围为(0.4-0.5)*l,与第一方向的单个电极指的宽度相同;l为叉指换能器的工作波长。

11、进一步的,所述第一电极指末端与第二汇流排之间的间隙长度取值范围为(0.15-0.18)*l,第二电极指末端与第一汇流排之间的间隙长度取值范围为(0.15-0.18)*l,l为叉指换能器的工作波长。

12、进一步的,所述余弦波形为连续式金属结构。

13、进一步的,所述抑制杂波单元的外侧边缘与第一电极指/第二电极指末端在第三方向的距离取值范围为(0-0.1)*l;所述第三方向平行于所述衬底所在平面,且与第一方向相交;所述单个所述抑制杂波单元沿第一方向的宽度取值范围为(0.3-0.6)*l,与第一方向的单个电极指的宽度相同;l为叉指换能器的工作波长。

14、进一步的,所述第一电极指末端与第二汇流排之间的间隙长度取值范围为(0.1-2)*l,第二电极指末端与第一汇流排之间的间隙长度取值范围为(0.1-2)*l,l为叉指换能器的工作波长。

15、进一步的,所述抑制杂波单元的外侧边缘与第一电极指/第二电极指末端在第三方向的距离取值范围为(0-0.08)*l;所述第三方向平行于所述衬底所在平面,且与第一方向相交;所述单个所述抑制杂波单元沿第一方向的宽度取值范围为(0.3-0.5)*l,与第一方向的单个电极指的宽度相同;所述第一电极指末端与第二汇流排之间的间隙长度取值范围为(1-1.5)*l,第二电极指末端与第一汇流排之间的间隙长度取值范围为(1-1.5)*l,l为叉指换能器的工作波长。

16、有益效果:目前声表面波器件,其芯片基本构成是压电衬底、压电衬底表面制作的金属电极结构:叉指换能器、反射栅阵、屏蔽电极、声波多条耦合电极以及传感器敏感结构等。每个声表面波器件至少有一个叉指换能器,叉指换能器是在纵向上、即在声波传播的方向上,并排地布置有与声波传播方向垂直的周期电极指,且电极指交替地与第一和第二汇流排连接。叉指换能器激发的声表面波,向两边传播,声表面波传输的声道,与所在传播衬底的特性有关,在实用器件中,一般其声道会逐渐扩散。声道扩展导致产生杂散声波模式,且有效声波能量损失,器件q值减低,明显劣化器件性能。

17、本专利技术提供一种结构简单,成本更低,加工更容易的声表面波器件,通过在叉指换能器的电极指两端上方设置杂波抑制单元,每一端的杂波抑制单元连接形成连续周期的余弦波形结构,抑制杂波,优化声表面波器件性能。

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【技术保护点】

1.一种顶层设置抑制杂波单元的 TC-SAW 谐振结构,包括:

2.根据权利要求1所述的顶层设置抑制杂波单元的 TC-SAW 谐振结构,其特征在于:所述余弦波形为分布式金属结构,抑制杂波单元仅位于第一电极指或各第二电极正上方。

3.根据权利要求2所述的顶层设置抑制杂波单元的 TC-SAW 谐振结构,其特征在于:所述抑制杂波单元的外侧边缘与第一电极指/第二电极指末端在第三方向的距离取值范围为(0-0.1)*L;所述第三方向平行于所述衬底所在平面,且与第一方向相交;单个所述抑制杂波单元沿第一方向的宽度取值范围为(0.3-0.6)*L,与第一方向的单个电极指的宽度相同;L为叉指换能器的工作波长。

4.根据权利要求2所述的顶层设置抑制杂波单元的 TC-SAW 谐振结构,其特征在于:所述第一电极指末端与第二汇流排之间的间隙长度取值范围为(0.1-2)*L,第二电极指末端与第一汇流排之间的间隙长度取值范围为(0.1-2)*L,L为叉指换能器的工作波长。

5.根据权利要求3所述的顶层设置抑制杂波单元的 TC-SAW 谐振结构,其特征在于:所述抑制杂波单元的外侧边缘与第一电极指/第二电极指末端在第三方向的距离取值范围为(0.05-0.08)*L;所述第三方向平行于所述衬底所在平面,且与第一方向相交;所述单个所述抑制杂波单元沿第一方向的宽度取值范围为(0.4-0.5)*L,与第一方向的单个电极指的宽度相同;L为叉指换能器的工作波长。

6.根据权利要求4所述的顶层设置抑制杂波单元的 TC-SAW 谐振结构,其特征在于:所述第一电极指末端与第二汇流排之间的间隙长度取值范围为(0.15-0.18)*L,第二电极指末端与第一汇流排之间的间隙长度取值范围为(0.15-0.18)*L,L为叉指换能器的工作波长。

7.根据权利要求1所述的顶层设置抑制杂波单元的 TC-SAW 谐振结构,其特征在于:所述余弦波形为连续式金属结构。

8.根据权利要求7所述的顶层设置抑制杂波单元的 TC-SAW 谐振结构,其特征在于:所述抑制杂波单元的外侧边缘与第一电极指/第二电极指末端在第三方向的距离取值范围为(0-0.1)*L;所述第三方向平行于所述衬底所在平面,且与第一方向相交;单个所述抑制杂波单元沿第一方向的宽度取值范围为(0.3-0.6)*L,与第一方向的单个电极指的宽度相同;L为叉指换能器的工作波长。

9.根据权利要求8所述的顶层设置抑制杂波单元的 TC-SAW 谐振结构,其特征在于:所述第一电极指末端与第二汇流排之间的间隙长度取值范围为(0.1-2)*L,第二电极指末端与第一汇流排之间的间隙长度取值范围为(0.1-2)*L,L为叉指换能器的工作波长。

10.根据权利要求9所述的顶层设置抑制杂波单元的 TC-SAW 谐振结构,其特征在于:所述抑制杂波单元的外侧边缘与第一电极指/第二电极指末端在第三方向的距离取值范围为(0-0.08)*L;所述第三方向平行于所述衬底所在平面,且与第一方向相交;所述单个所述抑制杂波单元沿第一方向的宽度取值范围为(0.3-0.5)*L,与第一方向的单个电极指的宽度相同;所述第一电极指末端与第二汇流排之间的间隙长度取值范围为(1-1.5)*L,第二电极指末端与第一汇流排之间的间隙长度取值范围为(1-1.5)*L,L为叉指换能器的工作波长。

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【技术特征摘要】

1.一种顶层设置抑制杂波单元的 tc-saw 谐振结构,包括:

2.根据权利要求1所述的顶层设置抑制杂波单元的 tc-saw 谐振结构,其特征在于:所述余弦波形为分布式金属结构,抑制杂波单元仅位于第一电极指或各第二电极正上方。

3.根据权利要求2所述的顶层设置抑制杂波单元的 tc-saw 谐振结构,其特征在于:所述抑制杂波单元的外侧边缘与第一电极指/第二电极指末端在第三方向的距离取值范围为(0-0.1)*l;所述第三方向平行于所述衬底所在平面,且与第一方向相交;单个所述抑制杂波单元沿第一方向的宽度取值范围为(0.3-0.6)*l,与第一方向的单个电极指的宽度相同;l为叉指换能器的工作波长。

4.根据权利要求2所述的顶层设置抑制杂波单元的 tc-saw 谐振结构,其特征在于:所述第一电极指末端与第二汇流排之间的间隙长度取值范围为(0.1-2)*l,第二电极指末端与第一汇流排之间的间隙长度取值范围为(0.1-2)*l,l为叉指换能器的工作波长。

5.根据权利要求3所述的顶层设置抑制杂波单元的 tc-saw 谐振结构,其特征在于:所述抑制杂波单元的外侧边缘与第一电极指/第二电极指末端在第三方向的距离取值范围为(0.05-0.08)*l;所述第三方向平行于所述衬底所在平面,且与第一方向相交;所述单个所述抑制杂波单元沿第一方向的宽度取值范围为(0.4-0.5)*l,与第一方向的单个电极指的宽度相同;l为叉指换能器的工作波长。

6.根据权利要求4所述的顶层设置抑制杂波单元的 tc-saw 谐振结构,其特征在于:所述第一电极指末端与第二汇流排之间的间隙长度取值范围为(0....

【专利技术属性】
技术研发人员:黄磊唐供宾邹洁
申请(专利权)人:深圳新声半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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