一种薄膜体声波谐振器及其制作方法和电子设备技术

本发明专利技术提供了一种薄膜体声波谐振器及其制作方法和电子设备，将上电极和下电极中至少之一者设置为第一电极层和第二电极层的叠加结构，能够通过降低电极的电阻值来提高薄膜体声波谐振器的Q值。在第一电极层和第二电极层之间设置声波限定层，以将声波限定在薄膜体声波谐振器的有源区域处，避免第二电极层对应声波限定层的部分对薄膜体声波谐振器的性能造成影响。此外，本发明专利技术提供的技术方案，将介质层设置于第二电极层上，且将保护层覆盖在介质层的裸露表面进行保护，实现了介质层和保护层的叠层对第二电极层进行保护的目的，同时介质层还能够提供一定的温度补偿效果，达到抑制温度漂移效应的功能，提高了薄膜体声波谐振器的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及滤波器，更为具体地说，涉及一种薄膜体声波谐振器及其制作方法和电子设备。

技术介绍

1、fbar(film bulk acoustics resonator，薄膜体声波谐振器)是一种目前广泛使用于射频领域的谐振器，使用mems(micro electro mechanical systems，微机电系统)半导体表面工艺技术和薄膜技术制造而来。利用压电效应和逆压电效应，结合信号选通特性，将多个薄膜体声波谐振器级联而成的拓扑结构就可以实现信号滤波的效果。现有的薄膜体声波谐振器的性能较差，有待提高。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术提供了一种薄膜体声波谐振器及其制作方法和电子设备，有效解决了现有技术存在的技术问题，提高了薄膜体声波谐振器的性能。

2、为实现上述目的，本专利技术提供的技术方案如下：

3、一种薄膜体声波谐振器，包括：在厚度方向上依次叠加的衬底、下电极、压电层和上电极；

4、所述上电极和所述下电极中至少之一者包括在所述厚度方向上叠加的第一电极层和第二电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：在厚度方向上依次叠加的衬底、下电极、压电层和上电极；

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，位于所述衬底与所述下电极之间包括有声学镜，在所述厚度方向上，所述声学镜、所述下电极、所述压电层和所述上电极的交叠区域为有源区域。

3.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声学镜包括空气腔或布拉格声学反射镜。

4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述下电极包括所述第一电极层和所述第二电极层，其中，所述衬底与所述下电极之间无声学镜，其中，在所述厚度方向上，所述下电极、所述...

【技术特征摘要】

1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：在厚度方向上依次叠加的衬底、下电极、压电层和上电极；

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，位于所述衬底与所述下电极之间包括有声学镜，在所述厚度方向上，所述声学镜、所述下电极、所述压电层和所述上电极的交叠区域为有源区域。

3.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声学镜包括空气腔或布拉格声学反射镜。

4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述下电极包括所述第一电极层和所述第二电极层，其中，所述衬底与所述下电极之间无声学镜，其中，在所述厚度方向上，所述下电极、所述声波限定层、所述压电层和所述上电极的交叠区域为有源区域。

5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一电极层位于靠近所述压电层一侧，且所述第二电极层位于远离所述压电层一侧，其中，所述第二电极层的厚度大于所述第一电极层的厚度。

6.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一电极层和所述第二电极层的材质相同；

7.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声波限定层为真空层、气体层或高声阻抗材料层。

8.根据权利要求2-4任意一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，在所述有源区域的至少一侧，所述薄膜体声波谐振器还包括位于上电极处且沿所述有源区域的侧边延伸呈环形设置的边界环。

9.根据权利要求8所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述上电极包括所述第一电极层和所述第二电极层时，所述边界环位于所述第一电极层和所述第二电极层之间，且与所述声波限定层相通。

10.根据权利要求9所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，在所述边界环处，所述介质层还包括支撑凸...

【专利技术属性】
技术研发人员：高安明，路晓明，姜伟，
申请(专利权)人：浙江星曜半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：