【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路,特别涉及一种结构化和非结构化数据建立集成电路良率预测模型。
技术介绍
1、在集成电路制造过程中,良率与生产单位的利益直接相关。而在生在过程中,会出现大量的测试数据,包括inline数据、错误检测与分类(fault detection andclassification,fdc)数据、量测数据、缺陷(defect)数据、晶圆验收测试(waferacceptance test,wat)数据晶圆探针测试(chip probing,cp)数据。以上数据均为结构化数据,此外还有很多非结构化数据,如报警提醒、专家反馈数据、自然语言报告以及其他文件中的关键信息等。传统的分析方法通过t检验值、平均值分析、方差分析以及根据经验和已存在的数据库进行判断,从而确定影响良率的因素,但是这些分析方法非常耗时耗力且分析出来的结果不一定准确。同时传统的良率预测方法只基于结构化的数据(主要是wat数据和缺陷数据),对于非结构化的数据不能很好的进行处理,造成信息上的损失,增加了预测和分析的不确定性,传统的分析方法非常耗时耗力,且不能准确定影响良率
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1.一种结构化和非结构化数据建立集成电路良率预测模型,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种结构化和非结构化数据建立集成电路良率预测模型,其特征在于,所述的步骤1中收集的结构化数据,包括半导体晶圆制造过程中的Inline数据、错误检测与分类(Fault Detection and Classification,FDC)数据、量测数据、晶圆可接受性测试(Wafer Acceptance Test,WAT)数据、缺陷数据、探针测试(Chip Probing,CP)数据。
3.根据权利要求1所述的一种结构化和非结构化数据建立集成电路
...【技术特征摘要】
1.一种结构化和非结构化数据建立集成电路良率预测模型,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种结构化和非结构化数据建立集成电路良率预测模型,其特征在于,所述的步骤1中收集的结构化数据,包括半导体晶圆制造过程中的inline数据、错误检测与分类(fault detection and classification,fdc)数据、量测数据、晶圆可接受性测试(wafer acceptance test,wat)数据、缺陷数据、探针测试(chip probing,cp)数据。
3.根据权利要求1所述的一种结构化和非结构化数据建立集成电路良率预测模型,其特征在于,所述的步骤1中收集的非结构化数据,包括专家反馈意见、自然语言报告,其中专家反馈意见包括有经验的专家对半导体晶圆的分析文档、预测文档;自然语言报告包括操作员的笔记、机台的维护日志。
4.根据权利要求1所述的一种结构化和非结构化数据建立集成电路良率预测模型,其特征在于,所述的步骤2中的预处理,包括对结构化数据和非结构化数据进行去噪声数据处理、无关数据处理,并对其进行归一化处理。
5.根据权利要求1所述的一种结构化和非结构化数据建立集成电路良率预测模型,其特征在于,所述的步骤3中对预处理后的结构化数据和非结构化数据做进一步处理,包括数据增强操作、...
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