【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及真空镀膜，具体的说，是一种真空镀膜工艺。
技术介绍
1、真空镀膜，是指在真空中把蒸发源加热蒸发或用加速离子轰击溅射，沉积到基片表面形成单层或多层薄膜。真空镀膜技术发展很快，从四十年代开始，到如今已成为以电子学为中心的电子、光学、钟表、宇航等工业部门不可缺少的新技术、新方法。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种真空镀膜工艺，能够完成pc底材膜层的镀制。
2、本专利技术通过下述技术方案实现：一种真空镀膜工艺，包括下述步骤：
3、1）原材料储存：将所进原材料存储于原材料库内，原材料中pc底材、底涂原料及面漆分别存储；
4、2）镀膜前准备：拆封pc底材，检查有无碰伤，检查底涂原料及面漆有无异色，将合格材料用卡板装载并运送至工位；
5、3）清洁：采用酒精或白电油将pc底材的表面进行清理，除去油污，而后装载至夹具上；
6、4）喷底涂：配置底涂材料并装载至喷涂机上，而后开启喷涂机，自动进行pc底材表面的喷涂；
7、5）喷涂完成后进行流平处理，而后在70℃~80℃温度条件下进行烘烤，至表面干燥为止；
8、6）冷却至室温后，将步骤5）所得插入镀膜装载筒中，而后装载至真空镀膜机中；
9、7）抽真空，使得真空镀膜机内真空度为1.32*10-3~1.34*10-3pa，而后设置镀膜工艺参数，并基于pvd工艺进行膜层的镀制；
10、8）镀制完成后，冷却至室温后，连同镀膜装载筒
11、9）根据设计准备面漆，而后喷涂在步骤8）所得产品上，之后利用紫外线进行烘烤，烘烤之后冷却固化；
12、10）产品检验并入库：抽样检测，报废残次品，将合格品包装好后存储进成品库。
13、进一步为更好地实现本专利技术所述的一种真空镀膜工艺，特别采用下述设置方式：所述原材料库的仓储温度为-15~50℃，仓储湿度为30%~80%。，pc底材的堆叠高度不高于1.5米，涂原料及面漆堆叠高度不高于1.8米。
14、进一步为更好地实现本专利技术所述的一种真空镀膜工艺，特别采用下述设置方式：所述酒精，采用99.9%酒精。
15、进一步为更好地实现本专利技术所述的一种真空镀膜工艺，特别采用下述设置方式：在进行喷涂时，喷口离pc底材距离为20~30cm。
16、进一步为更好地实现本专利技术所述的一种真空镀膜工艺，特别采用下述设置方式：所述真空镀膜机内真空度为1.33*10-3pa。
17、进一步为更好地实现本专利技术所述的一种真空镀膜工艺，特别采用下述设置方式：在进行紫外线烘烤时，烘烤温度为78~92℃；在进行冷却固化时，在室温中冷却固化25~40min。
18、进一步为更好地实现本专利技术所述的一种真空镀膜工艺，特别采用下述设置方式：在进行紫外线烘烤时，烘烤温度为88℃；在进行冷却固化时，在室温中冷却固化30min。
19、进一步为更好地实现本专利技术所述的一种真空镀膜工艺，特别采用下述设置方式：抽样检查时，批次次品率高于7%或存在气泡问题时，需重新修正镀膜工艺参数。
20、本专利技术与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：
21、本专利技术采用简单的工艺即可实现pc底材的镀膜处理，并得到良品率极高的成品，从而最大限度的降低成本。
22、本专利技术在进行喷涂时，喷口距离pc底材20~30cm能够使得喷涂更加均匀，且最大限度的避免浪费。
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1.一种真空镀膜工艺，其特征在于：包括下述步骤：
2.根据权利要求1所述的一种真空镀膜工艺，其特征在于：所述原材料库的仓储温度为-15~50℃，仓储湿度为30%~80%，PC底材的堆叠高度不高于1.5米，涂原料及面漆堆叠高度不高于1.8米。
3.根据权利要求1所述的一种真空镀膜工艺，其特征在于：所述酒精，采用99.9%酒精。
4.根据权利要求1所述的一种真空镀膜工艺，其特征在于：在进行喷涂时，喷口离PC底材距离为20~30cm。
5.根据权利要求1所述的一种真空镀膜工艺，其特征在于：所述真空镀膜机内真空度为1.33*10-3Pa。
6.根据权利要求1所述的一种真空镀膜工艺，其特征在于：在进行紫外线烘烤时，烘烤温度为78~92℃；在进行冷却固化时，在室温中冷却固化25~40min。
7.根据权利要求1所述的一种真空镀膜工艺，其特征在于：在进行紫外线烘烤时，烘烤温度为88℃；在进行冷却固化时，在室温中冷却固化30min。
8.根据权利要求1所述的一种真空镀膜工艺，其特征在于：抽样检查时，批次次品率高于
...【技术特征摘要】
1.一种真空镀膜工艺，其特征在于：包括下述步骤：
2.根据权利要求1所述的一种真空镀膜工艺，其特征在于：所述原材料库的仓储温度为-15~50℃，仓储湿度为30%~80%，pc底材的堆叠高度不高于1.5米，涂原料及面漆堆叠高度不高于1.8米。
3.根据权利要求1所述的一种真空镀膜工艺，其特征在于：所述酒精，采用99.9%酒精。
4.根据权利要求1所述的一种真空镀膜工艺，其特征在于：在进行喷涂时，喷口离pc底材距离为20~30cm。
5.根据权利要求1所述的一种真空镀膜工...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢成，王伟，
申请(专利权)人：成都金鸿泰医疗设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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