一种用于沉积设备的调温装置制造方法及图纸

技术编号:40332898 阅读:6 留言:0更新日期:2024-02-09 14:24
本申请公开一种用于沉积设备的调温装置包括:外套壳,包括收容腔和进口,进口设置在外套壳的顶壁上;内套筒,与进口同轴设置在收容腔内,高度小于收容腔的高度,横截面面积大于进口的横截面面积且小于收容腔的横截面面积,内套筒的顶端开口并设置在外套壳的顶壁上,内套筒的底壁上设置有通孔;第一加热单元,覆盖在内套筒的内侧壁上;第二加热单元,设置在外套壳的底壁与内套筒的底壁之间,第二加热单元的横截面面积大于通孔的横截面面积;散热组件,设置在内套筒与外套壳之间;检测件,用于检测内套筒内的环境温度;控制器,根据检测件的检测结果控制散热组件或控制第一加热单元启动或停止。本申请可用于热壁和冷壁CVD工艺,保温效果好且降温快。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光伏制造,具体涉及一种用于沉积设备的调温装置


技术介绍

1、在半导体制造业,表面沉积经常被用在硅基片的表面处理工艺中,其利用化学气相沉积的方法使硅基片与气体发生化学反应,在硅基片表面沉积出氧化层,减少或消除硅基片表面的反射光,增加透光量,进而提高光伏电池的光电转换效率。

2、化学气相沉积按衬底加热类型可以分为热壁cvd工艺和冷壁cvd工艺,热壁cvd工艺是通过外部电源加热腔室,再由加热的腔室壁对衬底辐射加热,工艺相对更加成熟,制备成本较低,且在材料生长中表现出良好的可靠性;冷壁cvd工艺是通过感应加热或设置恒流源,通过衬底本身或利用与衬底接触的加热器直接加热衬底,室壁保持在室温,其降温速度可以通过所加的恒流源控制,能够在较大的范围内控制降温速率。

3、根据不同的制备需求,可以选择不同结构的沉积设备以对应通过热壁cvd工艺或冷壁cvd工艺实现对硅基片表面的化学气相沉积,但是两种结构的沉积设备通常单独设置,在不同的制备要求下需要分别使用对应的沉积设备,操作麻烦,且两个沉积设备占用空间面积大。

4、同时,沉积过程中的一个关键参数是硅基片温度。因为工艺气体在特定温度下反应并沉积在硅基片上,硅基片温度决定了硅基片上材料沉积的速率。如果硅基片表面的温度变化,则会导致薄膜不均匀沉积的情况,并使得硅基片上的物理性质不均匀,尤其在外延沉积中,甚至轻微的温度不均匀性也会导致沉积膜滑移。现有应用于热壁cvd工艺的保温装置均为被动保温,即在反应室的外侧设置保温层,但是仅能减缓热量的流失,导致反应室内侧的温度无法维持稳定。

5、此外,硅基片在进行化学气相沉积时,会产生大量热量,自然降温速度慢,等待时间长,当硅基片由机械手从反应室内取出放置于片盒内时,易发生形变,影响后续使用,且片盒也会过热导致工人无法移动。


技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种用于沉积设备的调温装置,以解决现有技术中适用于热壁和冷壁cvd工艺的沉积设备独立设置操作不便、热壁cvd工艺应用的保温装置无法保证反应室内温度恒定以及硅基片降温慢的问题。

2、为解决上述技术问题,本技术采用的技术方案是:

3、一种用于沉积设备的调温装置,包括:

4、外套壳,包括收容腔和与所述收容腔相连通的进口,所述进口设置在所述外套壳的顶壁上;

5、内套筒,与所述进口同轴设置在所述收容腔内,所述内套筒的高度小于所述收容腔的高度,所述内套筒的横截面面积大于所述进口的横截面面积,且小于所述收容腔的横截面面积,所述内套筒的顶端开口并设置在所述外套壳的顶壁上,所述内套筒的底壁上设置有通孔;

6、第一加热单元,用于对反应室的室壁进行加热,所述第一加热单元覆盖在所述内套筒的内侧壁上;

7、第二加热单元,用于对所述反应室的衬底进行加热,所述第二加热单元设置在所述外套壳的底壁与所述内套筒的底壁之间,所述第二加热单元的横截面面积大于所述通孔的横截面面积;

8、散热组件,设置在所述内套筒的外侧壁与所述外套壳的内侧壁之间;

9、检测件,用于检测所述内套筒内的环境温度;以及

10、控制器,分别与所述第一加热单元、所述第二加热单元、所述检测件、所述散热组件信号连接,所述控制器根据所述检测件的检测结果控制所述散热组件启动或停止,或者控制所述第一加热单元启动或停止。

11、进一步地,所述通孔的横截面面积与所述进口的横截面面积相等。

12、进一步地,所述进口的轴线与所述外套壳的轴线共线。

13、进一步地,所述第一加热单元为环绕设置在所述内套筒的内侧壁上的加热丝。

14、进一步地,于高度方向上,所述第一加热单元的投影落在所述外套壳的顶壁上。

15、进一步地,所述第二加热单元包括设置在所述外套壳底壁上的加热盘和设置在所述加热盘顶部的导热金属板。

16、进一步地,所述散热组件包括环设在所述外套筒外侧壁上的循环水管和与所述循环水管连接的制冷系统。

17、进一步地,所述检测件为温度传感器。

18、进一步地,所述外套壳、所述内套筒均为圆柱体结构。

19、进一步地,所述外套壳的底部设置有行走组件。

20、由于上述技术方案的运用,本申请与现有技术相比的有益效果在于:

21、(1)本申请可同时适用于热壁cvd工艺和冷壁cvd工艺,结构紧凑,占用空间小;

22、(2)本申请通过将内套筒设置在外套壳的收容腔内,且内套筒的横截面面积大于进口的横截面面积,并小于所述收容腔的横截面面积,使得内套筒与外套壳之间形成隔热空间,以减少热量流失,保持反应室内的温度稳定;

23、(3)本申请通过设置散热组件,以对反应室进行降温,加速降温效果,避免硅基片通过机械手移动时因温度过高产生形变,且便于后续操作人员进行搬运。

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【技术保护点】

1.一种用于沉积设备的调温装置,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的一种用于沉积设备的调温装置,其特征在于,所述通孔的横截面面积与所述进口的横截面面积相等。

3.如权利要求2所述的一种用于沉积设备的调温装置,其特征在于,所述进口的轴线与所述外套壳的轴线共线。

4.如权利要求1所述的一种用于沉积设备的调温装置,其特征在于,所述第一加热单元为环绕设置在所述内套筒的内侧壁上的加热丝。

5.如权利要求4所述的一种用于沉积设备的调温装置,其特征在于,于高度方向上,所述第一加热单元的投影落在所述外套壳的顶壁上。

6.如权利要求1所述的一种用于沉积设备的调温装置,其特征在于,所述第二加热单元包括设置在所述外套壳底壁上的加热盘和设置在所述加热盘顶部的导热金属板。

7.如权利要求1所述的一种用于沉积设备的调温装置,其特征在于,所述散热组件包括环设在所述内套筒外侧壁上的循环水管和与所述循环水管连接的制冷系统。

8.如权利要求1所述的一种用于沉积设备的调温装置,其特征在于,所述检测件为温度传感器。

9.如权利要求1所述的一种用于沉积设备的调温装置,其特征在于,所述外套壳、所述内套筒均为圆柱体结构。

10.如权利要求1所述的一种用于沉积设备的调温装置,其特征在于,所述外套壳的底部设置有行走组件。

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【技术特征摘要】

1.一种用于沉积设备的调温装置,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的一种用于沉积设备的调温装置,其特征在于,所述通孔的横截面面积与所述进口的横截面面积相等。

3.如权利要求2所述的一种用于沉积设备的调温装置,其特征在于,所述进口的轴线与所述外套壳的轴线共线。

4.如权利要求1所述的一种用于沉积设备的调温装置,其特征在于,所述第一加热单元为环绕设置在所述内套筒的内侧壁上的加热丝。

5.如权利要求4所述的一种用于沉积设备的调温装置,其特征在于,于高度方向上,所述第一加热单元的投影落在所述外套壳的顶壁上。

6.如权利要求1所述的一种用于...

【专利技术属性】
技术研发人员:何保杨翁航冯佳兵施梓祺许志敏
申请(专利权)人:芜湖协鑫集成新能源科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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