【技术实现步骤摘要】
本技术涉及放电电路领域，具体的可以是激光器放电电路及激光器。
技术介绍
1、在高端光刻领域，高重频准分子激光因其高重频、窄线宽和大能量的特点，是目前半导体光刻领域应用的占绝对主导地位的光源。
2、对于准分子激光器而言，高重频放电稳定性对输出激光光斑指标性能、放电腔和工作气体寿命等等都有非常重要的影响。有研究报道，准分子激光器在高重频放电条件下阴极表面会出现热点放电，热点放电的出现会使初始时刻的均匀稳定辉光放电演化为不均匀且稳定性较差的丝状放电。因此，如何抑制稳定性较差的丝状放电是需要解决的问题。
技术实现思路
1、本技术要解决的技术问题在于，克服现有的技术的不足，提供激光器放电电路及激光器，能够有效缩短丝状放电阶段的持续时间，提高放电周期的稳定性。
2、为达到上述技术目的，一方面，本技术提供的激光器放电电路，包括：峰化电容、与峰化电容并联的放电等离子体区以及与峰化电容并联的开关支路；所述开关支路在所述放电等离子体区从放电阶段进入到丝状放电阶段的情况下处于导通状态。
3、具体的，开关支路的数量为一个或多个；当开关支路的数量为多个的情况下，将多个开关支路分别与峰化电容并联。
4、具体的，开关支路包括至少一个关断器件，关断器件在导通的状态下，使得开关支路导通。
5、具体的，关断器件包括自愈式电容和/或igbt组件。
6、具体的，激光器包括阴极和阳极，激光器在阴极和阳极之间进行放电，峰化电容包括多个并联的电容器，多个并
7、具体的，当关断器件为自愈式电容，且多个自愈式电容通过其各自所在开关支路进行并联，多个自愈式电容根据空间阵列分布，多个自愈式电容与峰化电容的多个电容器一一对应；自愈式电容的高压端与峰化电容对应的电容器的高压端分别连接延时电感器件的一端，使得自愈式电容与对应的电容器形成水平连接，峰化电容和所述自愈式电容的下表面的低压端分别与激光器的接地腔壁的底部平行连接。
8、具体的，当关断器件为igbt组件，且多个igbt组件通过其各自所在开关支路进行并联，igbt组件与峰化电容的电容器一一对应，igbt组件的两端均通过金属导电铜片分别与峰化电容和激光器的接地腔壁直线连接。
9、具体的，关断器件包括光敏开关。
10、具体的，开关支路与用于控制开关支路闭合的控制器连接，以使控制器在放电等离子体区从放电阶段进入到丝状放电阶段导通开关支路。
11、另一方面，本技术提供的一种准分子激光器，包括放电腔，该放电腔包括上述放电电路。
12、在本申请实施例中，放电电路，包括：峰化电容、与峰化电容并联的放电等离子体区以及与峰化电容并联的开关支路；开关支路在放电等离子体区从放电阶段进入到丝状放电阶段的情况下处于导通状态。
13、其中，通过开关支路的导通，解决因为丝状放电阶段导致的不均匀放电时间较长的问题，改善由于放电不稳定性引起的激光器的电极损伤、气体寿命降低以及光束质量较差的问题。
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1.一种激光器放电电路，其特征在于，包括：峰化电容、与所述峰化电容并联的放电等离子体区以及与所述峰化电容并联的开关支路；所述开关支路在所述放电等离子体区从放电阶段进入到丝状放电阶段的情况下处于导通状态。
2.根据权利要求1所述的放电电路，其特征在于，所述开关支路的数量为一个或多个；当所述开关支路的数量为多个的情况下，将多个开关支路分别与所述峰化电容并联。
3.根据权利要求1或2所述的放电电路，其特征在于，所述开关支路包括至少一个关断器件，所述关断器件在导通的状态下，使得所述开关支路导通。
4.根据权利要求3所述的放电电路，其特征在于，所述关断器件包括自愈式电容和/或IGBT组件。
5.根据权利要求1所述的放电电路，其特征在于，所述激光器包括阴极和阳极，所述激光器在所述阴极和所述阳极之间进行放电，所述峰化电容包括多个并联的电容器，所述多个并联的电容器通过阵列结构排布；
6.根据权利要求3所述的放电电路，其特征在于，当所述关断器件为自愈式电容，且多个自愈式电容通过其各自所在开关支路进行并联，所述多个自愈式电容根据空间阵列分布
7.根据权利要求3所述的放电电路，其特征在于，当所述关断器件为IGBT组件，且多个IGBT组件通过其各自所在开关支路进行并联，所述IGBT组件与峰化电容的电容器一一对应，所述IGBT组件的两端均通过金属导电铜片分别与所述峰化电容和激光器的接地腔壁直线连接。
8.根据权利要求3所述的放电电路，其特征在于，所述关断器件包括光敏开关。
9.根据权利要求3所述的放电电路，其特征在于，当所述关断器件为IGBT组件，所述开关支路与用于控制开关支路闭合的控制器连接，以使控制器在所述放电等离子体区从放电阶段进入到丝状放电阶段导通所述开关支路。
10.一种准分子激光器，其特征在于，包括放电腔，所述放电腔包括如权利要求1-权利要求9任一项的放电电路。
...【技术特征摘要】
1.一种激光器放电电路，其特征在于，包括：峰化电容、与所述峰化电容并联的放电等离子体区以及与所述峰化电容并联的开关支路；所述开关支路在所述放电等离子体区从放电阶段进入到丝状放电阶段的情况下处于导通状态。
2.根据权利要求1所述的放电电路，其特征在于，所述开关支路的数量为一个或多个；当所述开关支路的数量为多个的情况下，将多个开关支路分别与所述峰化电容并联。
3.根据权利要求1或2所述的放电电路，其特征在于，所述开关支路包括至少一个关断器件，所述关断器件在导通的状态下，使得所述开关支路导通。
4.根据权利要求3所述的放电电路，其特征在于，所述关断器件包括自愈式电容和/或igbt组件。
5.根据权利要求1所述的放电电路，其特征在于，所述激光器包括阴极和阳极，所述激光器在所述阴极和所述阳极之间进行放电，所述峰化电容包括多个并联的电容器，所述多个并联的电容器通过阵列结构排布；
6.根据权利要求3所述的放电电路...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜鑫先，吴劲松，张晓录，张寅虎，刘斌，徐向宇，
申请(专利权)人：北京科益虹源光电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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