【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路制造，特别涉及一种存储器及其制造方法。
技术介绍
1、动态随机存储器(dynamic random access memory，简称：dram)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每一个存储单元主要由一个晶体管与一个由晶体管所操控的电容器所构成，且存储单元会排列成阵列形式，每一个存储单元中的晶体管通过宇线与位线彼此电性连接。现有技术中，晶体管与位线之间具有较高的接触电阻，从而降低了存储器的质量。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种存储器及其制造方法，以解决现有技术中晶体管与位线之间具有较高的接触电阻，从而降低了存储器的质量的问题。
2、为了达到上述目的，本申请提供了一种存储器的制造方法，所述存储器的制造方法包括：
3、提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有掺杂区；
4、在所述半导体衬底上形成多晶硅结构，所述多晶硅结构对准所述掺杂区；
5、形成导电材料层，所述导电材料层覆盖所述多晶硅结构并与所述多晶硅结构反应而在所述多晶硅结构上形成欧姆接触结构，所述多晶硅结构和所述欧姆接触结构作为位线接触；
6、去除反应剩余的所述导电材料层，暴露出所述位线接触；以及，
7、形成位线，所述位线与所述位线接触相连接。
8、可选的，在所述的存储器的制造方法中，在所述半导体衬底上形成多晶硅结构，所述多晶硅结构对准所述掺杂区，包括：
9、在所述半导体衬底上形成第一介质
10、在所述第一凹槽中填充多晶硅材料，去除所述第一凹槽中的部分所述多晶硅材料，以在所述第一凹槽中形成第二凹槽，被保留的所述多晶硅材料形成对准所述掺杂区的所述多晶硅结构。
11、可选的，在所述的存储器的制造方法中，所述多晶硅结构的顶表面低于所述第一介质层的顶表面，并且高于所述半导体衬底的顶表面。
12、可选的，在所述的存储器的制造方法中，形成导电材料层，所述导电材料层覆盖所述多晶硅结构并与所述多晶硅结构反应而在所述多晶硅结构上形成欧姆接触结构，包括：
13、在所述第一介质层上和所述第二凹槽内形成导电材料层，所述导电材料层覆盖所述多晶硅结构并与所述多晶硅结构反应而在所述多晶硅结构上形成欧姆接触结构。
14、可选的，在所述的存储器的制造方法中，在形成所述第二凹槽之后，在形成所述导电材料层之前，所述存储器的制造方法还包括：在所述第二凹槽中填充第二介质层，所述第二介质层的顶表面不高于所述多晶硅结构的顶表面。
15、可选的，在所述的存储器的制造方法中，所述导电材料层为含钛膜层，形成所述导电材料层包括：在预设温度下沉积含钛离子，以形成所述导电材料层；所述预设温度介于600℃～800℃之间。
16、可选的，在所述的存储器的制造方法中，去除反应剩余的所述导电材料层，暴露出所述位线接触，包括：采用湿法刻蚀工艺去除反应剩余的所述导电材料层。
17、可选的，在所述的存储器的制造方法中，所述湿法刻蚀工艺中，所采用的刻蚀溶液对于所述导电材料层和所述第一介质层的刻蚀选择比大于3:1。
18、可选的，在所述的存储器的制造方法中，形成位线，所述位线与所述位线接触相连接，包括：
19、形成阻挡金属层，所述阻挡金属层覆盖所述位线接触以及所述第一介质层；以及，
20、形成位线导电层，所述位线导电层覆盖所述阻挡金属层；
21、其中，所述位线导电层和所述阻挡金属层作为所述位线。
22、可选的，在所述的存储器的制造方法中，提供半导体衬底，所述半导体衬底中还形成有源区、漏区、栅极结构以及与所述栅极结构连接的字线。
23、可选的，在所述的存储器的制造方法中，所述导电材料层仅包括钛元素，或者，所述导电材料层包括钛元素，还包括钽元素、钴元素、钨元素、氮元素或者硫元素；所述欧姆接触结构的材料为钛化硅，或者，所述欧姆接触结构包括钛元素和硅元素，还包括钽元素、钴元素、钨元素、氮元素或者硫元素。
24、本申请还提供一种存储器，所述存储器包括：
25、半导体衬底，所述半导体衬底中形成有掺杂区；
26、位线接触，所述位线接触对准所述掺杂区，所述位线接触包括多晶硅结构以及位于所述多晶硅结构上的欧姆接触结构；以及，
27、位线，所述位线与所述位线接触相连接。
28、可选的，在所述的存储器中，所述存储器还包括形成于所述半导体衬底上的第一介质层，所述多晶硅结构的顶表面低于所述第一介质层的顶表面，并且高于所述半导体衬底的顶表面。
29、可选的，在所述的存储器中，所述存储器还包括覆盖所述多晶硅结构侧壁的第二介质层，所述第二介质层的顶表面不高于所述多晶硅结构的顶表面。
30、可选的，在所述的存储器中，所述欧姆接触结构的材料为钛化硅，或者，所述欧姆接触结构的材料包括钛元素和硅元素，还包括钽元素、钴元素、钨元素、氮元素或者硫元素。
31、在本申请提供的存储器及其制造方法中，形成多层结构的位线接触，所述位线接触包括多晶硅结构和所述多晶硅结构上的欧姆接触结构，所述多晶硅结构能够与半导体衬底中的掺杂区实现较佳的电性连接，而所述欧姆接触结构能够与位线实现较佳的电性连接，从而使得掺杂区和位线之间具有较佳的电性连接，即使得相应的晶体管和位线之间具有较佳的电性连接，降低了两者之间的接触电阻，提高了整个存储器的质量。
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1.一种存储器的制造方法，其特征在于，所述存储器的制造方法包括：
2.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成多晶硅结构，所述多晶硅结构对准所述掺杂区，包括：
3.根据权利要求2所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述多晶硅结构的顶表面低于所述第一介质层的顶表面，并且高于所述半导体衬底的顶表面。
4.根据权利要求2所述的存储器的制造方法，其特征在于，形成导电材料层，所述导电材料层覆盖所述多晶硅结构并与所述多晶硅结构反应而在所述多晶硅结构上形成欧姆接触结构，包括：
5.如权利要求2所述的存储器的制造方法，其特征在于，在形成所述第二凹槽之后，在形成所述导电材料层之前，所述存储器的制造方法还包括：在所述第二凹槽中填充第二介质层，所述第二介质层的顶表面不高于所述多晶硅结构的顶表面。
6.如权利要求2～5中任一项所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述导电材料层为含钛膜层，形成所述导电材料层包括：在预设温度下沉积含钛离子，以形成所述导电材料层；所述预设温度介于600℃～800℃之间。
7.
8.如权利要求7所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺中，所采用的刻蚀溶液对于所述导电材料层和所述第一介质层的刻蚀选择比大于3:1。
9.如权利要求2～5中任一项所述的存储器的制造方法，其特征在于，形成位线，所述位线与所述位线接触相连接，包括：
10.如权利要求1～5中任一项所述的存储器的制造方法，其特征在于，提供半导体衬底，所述半导体衬底中还形成有源区、漏区、栅极结构以及与所述栅极结构连接的字线。
11.如权利要求1～5中任一项所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述导电材料层仅包括钛元素，或者，所述导电材料层包括钛元素，还包括钽元素、钴元素、钨元素、氮元素或者硫元素；所述欧姆接触结构的材料为钛化硅，或者，所述欧姆接触结构包括钛元素和硅元素，还包括钽元素、钴元素、钨元素、氮元素或者硫元素。
12.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括：
13.如权利要求12所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括形成于所述半导体衬底上的第一介质层，所述多晶硅结构的顶表面低于所述第一介质层的顶表面，并且高于所述半导体衬底的顶表面。
14.如权利要求13所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括覆盖所述多晶硅结构侧壁的第二介质层，所述第二介质层的顶表面不高于所述多晶硅结构的顶表面。
15.如权利要求12～14中任一项所述的存储器，其特征在于，所述欧姆接触结构的材料为钛化硅，或者，所述欧姆接触结构的材料包括钛元素和硅元素，还包括钽元素、钴元素、钨元素、氮元素或者硫元素。
...【技术特征摘要】
1.一种存储器的制造方法，其特征在于，所述存储器的制造方法包括：
2.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成多晶硅结构，所述多晶硅结构对准所述掺杂区，包括：
3.根据权利要求2所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述多晶硅结构的顶表面低于所述第一介质层的顶表面，并且高于所述半导体衬底的顶表面。
4.根据权利要求2所述的存储器的制造方法，其特征在于，形成导电材料层，所述导电材料层覆盖所述多晶硅结构并与所述多晶硅结构反应而在所述多晶硅结构上形成欧姆接触结构，包括：
5.如权利要求2所述的存储器的制造方法，其特征在于，在形成所述第二凹槽之后，在形成所述导电材料层之前，所述存储器的制造方法还包括：在所述第二凹槽中填充第二介质层，所述第二介质层的顶表面不高于所述多晶硅结构的顶表面。
6.如权利要求2～5中任一项所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述导电材料层为含钛膜层，形成所述导电材料层包括：在预设温度下沉积含钛离子，以形成所述导电材料层；所述预设温度介于600℃～800℃之间。
7.如权利要求6所述的存储器的制造方法，其特征在于，去除反应剩余的所述导电材料层，暴露出所述位线接触，包括：采用湿法刻蚀工艺去除反应剩余的所述导电材料层。
8.如权利要求7所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺中，所采用的刻蚀溶液对于所述导电材料层...
【专利技术属性】
技术研发人员：熊少游，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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