半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的要旨是使用于半导体装置的保护电路有效地起作用，来防止浪涌所引起的半导体装置的损坏。本发明专利技术的一个方式是一种半导体装置，包括：端子电路；保护电路；集成电路；以及使它们彼此电连接的布线，其中，保护电路设置在端子电极和集成电路之间，并且，不分支布线地使端子电极、保护电路、集成电路彼此连接。可以防止静电放电所引起的半导体装置的损坏。此外，可以减少在半导体装置中产生的不良现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种相对于静电放电等预料不到的高电压的施加具有防止电路损坏 的单元的半导体装置。
技术介绍
作为集成电路的不良的很大原因之一，有静电放电(Electrostatic Discharge, 以下称为“ESD”)所引起的半导体元件、电极等的损坏。于是，作为ESD所引起的集成电路 的损坏防止对策，在端子和集成电路之间插入保护电路。保护电路是用来防止在ESD现象 时产生的称为浪涌或尖峰(spike)等的超过额定的过大电压或电流(下面，称为“浪涌”) 被供应到集成电路的电路。作为用于保护电路的典型元件，有电阻元件、二极管、电容元件。例如，在专利文件1和2中记载有如下事实利用形成在绝缘膜上的半导体层形成 二极管，并且将该二极管用作保护电路的元件。在专利文件1中，在高频输出输入信号线和 外部供应电源VDD之间插入有横向二极管，该横向二极管通过在多晶硅膜中在横方向上形 成PN结来得到。在专利文件2中，将由半导体层构成的PIN 二极管用作保护元件。通过以 相对于该PIN 二极管的I层的方式设置浮动电极，当过大电流流过于保护电路元件而栅极 绝缘膜损坏，因此发生电贯穿时，PIN 二极管的P本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，在衬底上包括：端子电极；保护电路；集成电路；以及使所述端子电极、所述保护电路和所述集成电路电连接的布线，其中，所述保护电路设置在所述端子电极和所述集成电路之间，并且，所述端子电极、所述保护电路和所述集成电路不分支所述布线地彼此连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：广濑笃志，宍户英明，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]