超结碳化硅晶体管的结构、制造方法及电子设备技术

一种超结碳化硅晶体管的结构、制造方法及电子设备，属于半导体技术领域，包括左右对称的两个子场效应管结构和多个第二有源层，左右对称的切面为矢状面，所述子场效应管结构包括衬底、漂移层、第一阱、半导体柱、第一有源层以及栅极结构；漂移层设置于衬底的上表面；第一阱设置于漂移层的上表面；其中，第一阱与矢状面之间设置预设距离；半导体柱设置于第一阱下表面；第一有源层设置于第一阱中且位于第一阱上表面；栅极结构覆盖第一阱顶部；多个第二有源层设置于两个栅极结构之间；半导体柱、第二有源层和第一阱的掺杂类型为第一类型；衬底、漂移层和第一有源层的为第二类型；减小了导通损耗和芯片面积，增大了可靠性和电流密度，简化了工艺。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于半导体，尤其涉及一种超结碳化硅晶体管的结构、制造方法及电子设备。

技术介绍

1、碳化硅（sic）功率金属-氧化-半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor，mosfet)由于其更快的开关速度、更低的开关损耗和更高的工作温度范围，已成为电动汽车和光伏逆变器等高功率应用中硅绝缘栅双极晶体管（igbt）的有力竞争对手。在实际应用中，mosfet 需要反并联二极管来处理反向电流，硅基mosfet常采用体二极管来降低寄生电感，起到续流作用，但是对于sic mosfet，其材料带隙较宽，体二极管开启电压（约2.7v）远高于硅基mosfet（约1.5v），导通损耗较大。

2、相关的碳化硅晶体管将sic mosfet与sbd或jfet反并联集成可以起到反向续流作用，但通常并联在平面，其会使芯片面积有所增大；也有相关的碳化硅晶体管通过分裂栅在反向时控制续流通道开启的结构，但其存在栅极可靠性、工艺复杂以及电流密度低的问题。

3、故相关的碳化硅晶体管存在导通损耗大、芯片面本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种超结碳化硅晶体管的结构，其特征在于，包括左右对称的两个子场效应管结构，左右对称的切面为矢状面，所述子场效应管结构包括：

2.如权利要求1所述的超结碳化硅晶体管的结构，其特征在于，所述超结碳化硅晶体管的结构还包括：

3.如权利要求1所述的超结碳化硅晶体管的结构，其特征在于，所述超结碳化硅晶体管的结构包括：

4.如权利要求1所述的超结碳化硅晶体管的结构，其特征在于，所述第一类型为P型，所述第二类型为N型；或者

5.如权利要求1所述的超结碳化硅晶体管的结构，其特征在于，还包括：

6.如权利要求1至5任意一项所述的超结碳化硅晶体...

【技术特征摘要】

1.一种超结碳化硅晶体管的结构，其特征在于，包括左右对称的两个子场效应管结构，左右对称的切面为矢状面，所述子场效应管结构包括：

2.如权利要求1所述的超结碳化硅晶体管的结构，其特征在于，所述超结碳化硅晶体管的结构还包括：

3.如权利要求1所述的超结碳化硅晶体管的结构，其特征在于，所述超结碳化硅晶体管的结构包括：

4.如权利要求1所述的超结碳化硅晶体管的结构，其特征在于，所述第一类型为p型，所述第二类型为n型；或者

5.如权利要求1所述的超结碳化硅晶体管的结构，其特征在于，还包括：

6.如权利要求1至5任意一项所述的超结碳化硅晶体管的结构，其特征在于，所述栅极结构的材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔凯，
申请(专利权)人：深圳天狼芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：