【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于图像处理，具体涉及一种纳米压印光刻的图像处理方法。
技术介绍
1、压印光刻技术是一种用于微电子制造的重要工艺，它在集成电路制造和光学器件制造等领域具有广泛应用。纳米压印技术作为一种新型的图形转移技术，相比于传统的光刻技术，纳米压印可以制作出小线宽图形，并相对于高精度的电子束曝光技术而言，纳米压印技术拥有极低的制作成本，适合于大规模的工业生产。随着纳米压印技术的发展，需对纳米压印的生产质量进行把控，对压印光刻的衬底进行监测，监测的基础是采集衬底图像，因此需提高衬底图像的质量。
技术实现思路
1、本专利技术为了解决以上问题，提出了一种纳米压印光刻的图像处理方法。
2、本专利技术的技术方案是：一种纳米压印光刻的图像处理方法包括以下步骤：
3、s1、获取压印光刻工作过程中被刻衬底的工作图像，对被刻衬底的工作图像进行预处理，生成被刻衬底的待处理图像；
4、s2、确定被刻衬底的待处理图像的模糊像素点集合；
5、s3、对模糊像素点集合进行亮度...
【技术保护点】
1.一种纳米压印光刻的图像处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的纳米压印光刻的图像处理方法，其特征在于，所述S1中，对被刻衬底的工作图像进行预处理的具体方法为：对工作图像依次进行去噪处理和裁剪处理。
3.根据权利要求1所述的纳米压印光刻的图像处理方法，其特征在于，所述S2包括以下子步骤：
4.根据权利要求3所述的纳米压印光刻的图像处理方法，其特征在于，所述S22中，待处理图像第i行的像素梯度变化行值Hi的计算公式为：；式中，Gi,j表示待处理图像中第i行第j列像素点的像素值，I表示待处理图像的像素点行数，J表...
【技术特征摘要】
1.一种纳米压印光刻的图像处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的纳米压印光刻的图像处理方法，其特征在于，所述s1中，对被刻衬底的工作图像进行预处理的具体方法为：对工作图像依次进行去噪处理和裁剪处理。
3.根据权利要求1所述的纳米压印光刻的图像处理方法，其特征在于，所述s2包括以下子步骤：
4.根据权利要求3所述的纳米压印光刻的图像处理方法，其特征在于，所述s22中，待处理图像第i行的像素梯度变化行值hi的计算公式为：；式中，gi,j表示待处理图像中第i行第j列像素点的像素值，i表示待处理图像的像素点行数，j表示待处理图像的像素点列数，gi,j+1表示待处理图像中第i行第j+1列像素点的像素值，gi,j表示待处理图像中第i行第j列像素点的像素值，gi,1表示待处理图像中第i行第1列像素点的像素值，ln(·)表示对数运算。
5.根据权利要求3所述的纳米压印光刻的图像处理方法，其特征在于，所述s25中，待处理图像中第i行第j列像素点与兴趣像素点之间的模糊相似度vi,j的计算公式为：；式中，gi,j表示待处理图像中第i行第j列像素点的像素值，g0表示兴趣像素点的像素值，hi表示待处理图像第i行的像素梯度变化行值，h0表示待处理图像中兴趣像素点所...
【专利技术属性】
技术研发人员：冀然，房臣，
申请(专利权)人：青岛天仁微纳科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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