【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及谐振器，尤其涉及双通带横向激励体声波谐振器及其制作方法、滤波器。
技术介绍
1、目前5g通信技术已经逐渐发展成熟并商业化，随着移动数据流量的爆炸式增长，对未来6g通信技术的发展需求越来越强烈。而这就要求作为核心的射频前端模块具有更加优良的性能，其中射频滤波器是决定无线通信带宽的最为核心的零部件。近年来，横向激励体声波谐振器(xbar)以其高频、大带宽等独特性能成为实现5g/6g射频滤波器的最佳选择，然而，现有的xbar射频滤波器由于谐振器的单谐振峰仅呈现单频带响应，为满足射频通信对多频段的需求，必须在同一空间嵌入多个单频带滤波器，这较为突出地增加了设备的大小和复杂性，不利于实现小型化和高度集成化。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供了一种双通带横向激励体声波谐振器及其制作方法、滤波器，通过在谐振器的压电层下方设置异质层，可以同时激发a2和a3谐振模态，使横向激励体声波谐振器呈现双频带响应。
2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种双通带横向激励体声波谐振器，包括压电层、电极层和异质层；所述异质层的材质与所述压电层的材质不同；
3、所述电极层和所述异质层位于所述压电层在厚度方向相背离的两侧；所述电极层包括叉指电极和块电极，所述叉指电极与所述压电层重叠的区域形成有源区；所述异质层与所述有源区在所述厚度方向上的投影全部交叠。
4、可选地，所述异质层的材质具有正弹性温度系数。
5、可选地，所述异质层的材质为bcb、si
6、可选地，所述压电层的材质为aln、scaln、linbo3、litao3、pvdf中的任意一种。
7、第二方面，本专利技术实施例提供了一种双通带横向激励体声波谐振器的制备方法，包括：
8、提供一绝缘衬底；
9、在所述绝缘衬底上依次层叠异质层和压电层；
10、刻蚀所述压电层；
11、制备电极层，所述电极层位于所述压电层远离所述绝缘衬底的一侧；所述电极层与所述压电层重叠的区域形成有源区；
12、去除所述有源区的绝缘衬底。
13、可选地，在去除所述有源区的绝缘衬底之前，还包括：
14、在所述电极层远离所述压电层的一侧沉积二氧化硅保护层；
15、在所述绝缘衬底远离所述压电层的一侧沉积并图案化二氧化硅层；所述二氧化硅层与所述有源区在所述厚度方向上的投影不交叠。
16、可选地，去除所述有源区的绝缘衬底，包括：
17、采用光刻工艺去除所述有源区的绝缘衬底。
18、可选地，所述异质层为二氧化硅层；
19、在去除所述有源区的绝缘衬底之后，还包括：
20、利用boe溶液腐蚀所述二氧化硅层，以控制所述二氧化硅层的厚度。
21、可选地，制备电极层，包括：
22、沉积并图案化电极层，以形成叉指电极和块电极。
23、可选地，在制备叉指电极之后，还包括：
24、采用金属剥离工艺制备au pad电极，所述au pad电极位于所述块电极远离所述压电层的一侧。
25、第三方面，本专利技术还提供了一种滤波器，包括本专利技术第一方面任一项所述的谐振器。
26、本专利技术实施例提供的一种双通带横向激励体声波谐振器及其制作方法、滤波器，谐振器包括压电层、电极层和异质层；异质层的材质与压电层的材质不同；电极层和异质层位于压电层在厚度方向相背离的两侧；电极层包括叉指电极和块电极，叉指电极与压电层重叠的区域形成有源区；异质层与有源区在厚度方向上的投影全部交叠，本专利技术的技术方案，通过在压电层下增加了异质层，可以改变谐振器厚度方向的应力与电场分布，使谐振器的偶数阶模态机械-电相互作用能不为0，解决了传统谐振器只能激发单一谐振模态的问题，可以同时激发a2和a3谐振模态，应用到滤波器中，有利于实现设备的小型化和高度集成化。
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1.一种双通带横向激励体声波谐振器，其特征在于，包括压电层、电极层和异质层；所述异质层的材质与所述压电层的材质不同；
2.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述异质层的材质具有正弹性温度系数。
3.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述异质层的材质为BCB、Si、SiN、Al2O3、Au、Al、W、SiO2中的任意一种。
4.一种双通带横向激励体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在去除所述有源区的绝缘衬底之前，还包括：
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，去除所述有源区的绝缘衬底，包括：
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述异质层为二氧化硅层；
8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，制备电极层，包括：
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在制备叉指电极之后，还包括：
10.一种滤波器，其特征在于，包括权利要求1-3任一项所述的谐振器。
【技术特征摘要】
1.一种双通带横向激励体声波谐振器，其特征在于，包括压电层、电极层和异质层；所述异质层的材质与所述压电层的材质不同；
2.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述异质层的材质具有正弹性温度系数。
3.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述异质层的材质为bcb、si、sin、al2o3、au、al、w、sio2中的任意一种。
4.一种双通带横向激励体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的制备方...
【专利技术属性】
技术研发人员：温志伟，刘文娟，曾敏，童欣，杨思洁，孙博文，孙成亮，
申请(专利权)人：武汉敏声新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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