【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电源管理芯片领域，具体涉及一种无片外电容的ldo瞬态增强电路。
技术介绍
1、电源管理芯片能够去除电源电压的噪声，得到稳定可靠的输出电压，实现升压或者降压的功能，在各种电路中必不可少。尤其是低压差线性稳压器芯片(ldo)，被广泛应用于无线能量传输和电池供电系统中。主要分为：有片外电容与无片外电容的低压差线性稳压器。在传统的ldo中，通常会在输出端后连接一个片外大电容，这个电容不仅可以抑制电路负载变化带来的输出电压的变化，同时还能稳定内部环路，但是ldo输出端必须留出相应的引脚，大大浪费芯片的面积。将电容完全集成在一颗芯片内部，避免使用外部负载电容，大大节省了芯片的面积，满足soc系统集成的要求。但是，由于去掉片外大电容会使系统的稳定性受到影响，尤其是在负载电流变化较大时，芯片的瞬态响应性能会变得很差，导致输出端产生过大的下冲、过冲电压，影响芯片性能。
2、常见的改进瞬态响应的方法有米勒补偿分裂极点、添加缓冲器降低输出阻抗从而将带宽内的次主极点推向高频等。前者往往需要增加一个米勒补偿电容进行电路补偿，将靠的很近的极点分裂开来，实现环路稳定性，但其仍然会消耗较大的电路面积；对于后者，若只是添加普通的源随器不足以提供较低的输出阻抗，当功率管尺寸较大时，因为有较大的寄生电容所以不足以将极点推向高频，而如果采用超级源随器虽然能够提供较小的输出阻抗，但其摆率仍与普通的源随器摆率相近，取决于充电电流和功率管栅极寄生电容的比值，可以提升瞬态响应的效果有限。
技术实现思路
2、一种无片外电容的ldo瞬态增强电路，包括：
3、误差放大器ea、ab类源跟随器、功率管mp、反馈电路和瞬态增强模块；其中，
4、所述误差放大器ea用于将自身正相输入端的反馈电压vfb和负相输入端的基准电压vref进行比较，输出误差放大信号；
5、所述ab类源跟随器包括：共源级放大器a1、高通滤波器和class-ab类放大器a2；所述共源级放大器a1包括；pmos管m3；
6、所述pmos管m3的栅极接收到所述误差放大信号，对所述误差放大信号进行放大，输出第一放大信号至所述高通滤波器和所述class-ab类放大器a2；所述高通滤波器对所述第一放大信号进行滤波，输出滤波后的信号至所述class-ab类放大器a2；所述class-ab类放大器a2对接收到的信号进行放大，输出第二放大信号，并将所述第二放大信号反馈至所述pmos管m3的源极；
7、所述功率管mp用于在所述第二放大信号的控制下，输出输出信号至所述ldo的输出端vout，形成环路控制；
8、所述瞬态增强模块用于对所述输出信号进行放大，输出第三放大信号；将所述第三放大信号输出至所述ab类源跟随器的输入端，实现增大电路摆率的目的；并将所述第三放大信号输出至所述ldo的输出端vout，以在所述ldo的输出端vout增加一个额外的泄放通路。
9、在本专利技术的一个实施例中，ab类源跟随器包括：
10、nmos管m1、nmos管m2、pmos管m3、pmos管m4、电容c1和电阻r3；其中，
11、所述nmos管m1的源极接地，所述nmos管m1的栅极接入外加偏置电压vbias1，所述nmos管m1的漏极与所述pmos管m3的漏极连接；
12、所述nmos管m2的源极接地，所述nmos管m2的栅极与所述电容c1的第一端连接，所述nmos管m2的漏极与所述pmos管m4的漏极相接于第一节点；
13、所述pmos管m3的源极与所述第一节点连接，所述pmos管m3的栅极与所述误差放大器ea的输出端连接，所述pmos管m3的漏极与所述nmos管m2的栅极连接；
14、所述pmos管m4的源极接入输入电压vin，所述pmos管m4的栅极与所述电容c1的第二端连接；
15、所述电阻r3的第一端接入外加偏置电压vbias2，所述电阻r3的第二端与所述电容c1的第二端连接。
16、在本专利技术的一个实施例中，在所述ab类源跟随器中，所述高通滤波器包括：所述电容c1和所述电阻r3。
17、在本专利技术的一个实施例中，在所述ab类源跟随器中，所述class-ab类放大器a2包括：nmos管m2和pmos管m4。
18、在本专利技术的一个实施例中，反馈电路包括：
19、电阻r1和电阻r2；其中，
20、所述电阻r1的第一端与所述功率管mp的漏极连接，所述电阻r1的第二端与所述电阻r2的第一端连接；
21、在所述阻r1的第二端和所述电阻r2的第一端之间引出所述反馈电压vfb，至所述误差放大器ea的正相输入端；
22、所述电阻r2的第二端接地。
23、在本专利技术的一个实施例中，瞬态增强模块包括：频率补偿的瞬态增强子电路和电流镜模块。
24、在本专利技术的一个实施例中，频率补偿的瞬态增强子电路包括：
25、nmos管m5、nmos管m6、nmos管m7、nmos管m8、pmos管m9、pmos管m10和电容c2；其中，
26、所述nmos管m5的源极接地，所述nmos管m5的栅极与所述nmos管m6的栅极连接，所述nmos管m5的漏极与所述nmos管m7的漏极相接于第二节点；
27、所述nmos管m6的源极接地，所述nmos管m6的栅极与所述nmos管m6的漏极连接，所述nmos管m6的漏极与所述nmos管m8的漏极连接；
28、所述nmos管m7的源极与所述电容c2的第二端连接，所述nmos管m7的栅极与所述nmos管m8的栅极连接，并接入外加偏置电压vbias3；
29、所述nmos管m8的源极与所述pmos管m10的漏极连接；
30、所述pmos管m9的源极接入所述输入电压vin，所述pmos管m9的栅极与所述pmos管m10的栅极连接，并接入外加偏置电压vbias4，所述pmos管m9的漏极与所述电容c2的第二端连接；
31、所述pmos管m10的源极与所述pmos管m9的源极连接；
32、所述电容c2的第一端与所述功率管mp的漏极连接。
33、在本专利技术的一个实施例中，电流镜模块包括：
34、nmos管m11、pmos管m12、pmos管m13和nmos管m14；其中，
35、所述nmos管m11的源极接地，所述nmos管m11的栅极接入所述第二节点的电压vg，所述nmos管m11的漏极与所述pmos管m12的漏极连接；
36、所述pmos管m12的源极接入所述输入电压vin，所述pmos管m12的栅极与所述pmos管m13的栅极连接，所述pmos管m12的漏极与自身的栅极连接；
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1.一种无片外电容的LDO瞬态增强电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种无片外电容的LDO瞬态增强电路，其特征在于，所述AB类源跟随器包括：
3.根据权利要求2所述的一种无片外电容的LDO瞬态增强电路，其特征在于，在所述AB类源跟随器中，所述高通滤波器包括：所述电容C1和所述电阻R3。
4.根据权利要求2所述的一种无片外电容的LDO瞬态增强电路，其特征在于，在所述AB类源跟随器中，所述CLASS-AB类放大器A2包括：NMOS管M2和PMOS管M4。
5.根据权利要求1所述的一种无片外电容的LDO瞬态增强电路，其特征在于，所述反馈电路包括：
6.根据权利要求2所述的一种无片外电容的LDO瞬态增强电路，其特征在于，所述瞬态增强模块包括：频率补偿的瞬态增强子电路和电流镜模块。
7.根据权利要求6所述的一种无片外电容的LDO瞬态增强电路，其特征在于，所述频率补偿的瞬态增强子电路包括：
8.根据权利要求7所述的一种无片外电容的LDO瞬态增强电路，其特征在于，所述电流镜模块包括：
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