一种无片外电容的LDO瞬态增强电路制造技术

本发明专利技术公开了一种无片外电容的LDO瞬态增强电路，包括：误差放大器EA、AB类源跟随器、功率管MP、反馈电路和瞬态增强模块。通过利用AB类源跟随器中的共源级放大器A1和CLASS‑AB类放大器A2级联形成一个两级放大器作为单位增益缓冲器，将电路的输出阻抗降低从而将次极点推到更高频率，增加系统的带宽的同时极大的节省了电路的面积。利用瞬态增强模块瞬间增大了功率管MP的栅端的充放电电流，增大了电路的摆率；并在LDO的输出端Vout增加一个额外的泄放通路。从增强电路的闭环带宽和功率管MP的栅端的驱动电流入手，在不增加功耗的前提下提高电路的瞬态响应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电源管理芯片领域，具体涉及一种无片外电容的ldo瞬态增强电路。

技术介绍

1、电源管理芯片能够去除电源电压的噪声，得到稳定可靠的输出电压，实现升压或者降压的功能，在各种电路中必不可少。尤其是低压差线性稳压器芯片(ldo)，被广泛应用于无线能量传输和电池供电系统中。主要分为：有片外电容与无片外电容的低压差线性稳压器。在传统的ldo中，通常会在输出端后连接一个片外大电容，这个电容不仅可以抑制电路负载变化带来的输出电压的变化，同时还能稳定内部环路，但是ldo输出端必须留出相应的引脚，大大浪费芯片的面积。将电容完全集成在一颗芯片内部，避免使用外部负载电容，大大节省了芯片的面积，满足soc系统集成的要求。但是，由于去掉片外大电容会使系统的稳定性受到影响，尤其是在负载电流变化较大时，芯片的瞬态响应性能会变得很差，导致输出端产生过大的下冲、过冲电压，影响芯片性能。

2、常见的改进瞬态响应的方法有米勒补偿分裂极点、添加缓冲器降低输出阻抗从而将带宽内的次主极点推向高频等。前者往往需要增加一个米勒补偿电容进行电路补偿，将靠的很近的极点分裂开来，实现环本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种无片外电容的LDO瞬态增强电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种无片外电容的LDO瞬态增强电路，其特征在于，所述AB类源跟随器包括：

3.根据权利要求2所述的一种无片外电容的LDO瞬态增强电路，其特征在于，在所述AB类源跟随器中，所述高通滤波器包括：所述电容C1和所述电阻R3。

4.根据权利要求2所述的一种无片外电容的LDO瞬态增强电路，其特征在于，在所述AB类源跟随器中，所述CLASS-AB类放大器A2包括：NMOS管M2和PMOS管M4。

5.根据权利要求1所述的一种无片外电容的LDO瞬态增强电路，其特征在于，所...

【技术特征摘要】

1.一种无片外电容的ldo瞬态增强电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种无片外电容的ldo瞬态增强电路，其特征在于，所述ab类源跟随器包括：

3.根据权利要求2所述的一种无片外电容的ldo瞬态增强电路，其特征在于，在所述ab类源跟随器中，所述高通滤波器包括：所述电容c1和所述电阻r3。

4.根据权利要求2所述的一种无片外电容的ldo瞬态增强电路，其特征在于，在所述ab类源跟随器中，所述class-ab类放大器a2包括：nmos管m2和pmos管m4。

5.根据权利要求1所述的一种无片外电容的ldo瞬态增强电路，其特征在于，所述反馈电路包...

【专利技术属性】
技术研发人员：林浩东，柴常春，樊庆庆，徐乐，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：