一种双面隧穿钝化接触太阳能电池结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种双面隧穿钝化接触太阳能电池结构及其制备方法，该结构包括硅基体，以及其正面非金属化区域设置的正面隧穿氧化层、第一N型掺杂多晶硅层、N型掺杂碳化硅层和正面减反层或透明导电氧化物薄膜，正面金属化区域设置的正面隧穿氧化层、第一N型掺杂多晶硅层、N型掺杂碳化硅层、第二N型掺杂多晶硅层、正面减反层或透明导电氧化物薄膜和正面电极，并形成欧姆接触。本发明专利技术中，在电池正面金属化区域和非金属化区域构建隧穿接触结构，不仅可以提高正面钝化效果，而且也能减少正面寄生吸收，提高正面光学利用率，从而构建得到钝化效果好、转换效率高的双面隧穿钝化接触电池结构，对于实现TOPCon电池的广泛应用具有重要意义。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光伏，涉及一种隧穿钝化接触太阳能电池结构及其制备方法，具体涉及一种双面隧穿钝化接触太阳能电池结构及其制备方法。

技术介绍

1、与单面隧穿钝化接触太阳能电池(topcon电池)结构相比，双面隧穿钝化接触太阳能电池结构具有更高的理论效率，高达28.7％，有望成为下一代主流电池。然而，现有双面隧穿钝化接触太阳能电池结构中，在电池正面构建隧穿钝化接触结构时，在非金属化区域未形成隧穿钝化接触结构，因而非金属化区域仍然复合仍然相对较高，与此同时，若在正面采用隧穿钝化接触结构，则正面非金属化区域的掺杂多晶硅很难精确减薄控制厚度，容易造成该区域寄生吸收问题，从而导致正面光学利用率降低，上述缺陷的存在使得topcon电池的转换效率仍然难以有效提高。另外，现有双面隧穿钝化接触太阳能电池结构的制备方法中，主要是先沉积非晶硅层，经退火处理后形成多晶硅，进而在掩膜的作用下进行刻蚀，由此在电池正面形成多晶硅层，但是这样的方法难以精确控制非金属化区域多晶硅的厚度，且工艺窗口窄，因而难以在电池正面非金属化区域制得厚度精确可控的非晶硅层或多晶硅层。因此，如何精确控制topco本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双面隧穿钝化接触太阳能电池结构，其特征在于，包括硅基体，所述硅基体正面的非金属化区域由内向外依次为正面隧穿氧化层、第一N型掺杂多晶硅层、N型掺杂碳化硅层和正面减反层；所述硅基体正面的金属化区域由内向外依次为正面隧穿氧化层、第一N型掺杂多晶硅层、N型掺杂碳化硅层、第二N型掺杂多晶硅层、正面减反层和正面电极；所述正面电极穿过所述正面减反层后与所述第二N型掺杂多晶硅层和所述N型掺杂碳化硅层形成欧姆接触；

2.根据权利要求1所述的双面隧穿钝化接触太阳能电池结构，其特征在于，所述第二N型掺杂多晶硅层的厚度大于所述第一N型掺杂多晶硅层；所述第一N型掺杂多晶硅层的厚度为1nm～10...

【技术特征摘要】

1.一种双面隧穿钝化接触太阳能电池结构，其特征在于，包括硅基体，所述硅基体正面的非金属化区域由内向外依次为正面隧穿氧化层、第一n型掺杂多晶硅层、n型掺杂碳化硅层和正面减反层；所述硅基体正面的金属化区域由内向外依次为正面隧穿氧化层、第一n型掺杂多晶硅层、n型掺杂碳化硅层、第二n型掺杂多晶硅层、正面减反层和正面电极；所述正面电极穿过所述正面减反层后与所述第二n型掺杂多晶硅层和所述n型掺杂碳化硅层形成欧姆接触；

2.根据权利要求1所述的双面隧穿钝化接触太阳能电池结构，其特征在于，所述第二n型掺杂多晶硅层的厚度大于所述第一n型掺杂多晶硅层；所述第一n型掺杂多晶硅层的厚度为1nm～100nm；所述第二n型掺杂多晶硅层的厚度为10nm～200nm。

3.根据权利要求2所述的双面隧穿钝化接触太阳能电池结构，其特征在于，所述第一n型掺杂多晶硅层的厚度为3nm～20nm；所述第二n型掺杂多晶硅层的厚度为40nm～100nm。

4.根据权利要求3所述的双面隧穿钝化接触太阳能电池结构，其特征在于，所述硅基体为n型硅片；所述硅基体的电阻率为0.3ω·cm～7ω·cm；

5.根据权利要求4所述的双面隧穿...

【专利技术属性】
技术研发人员：李兵，陈骏，赵增超，成秋云，李明，
申请(专利权)人：湖南红太阳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：