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本发明公开了一种双面隧穿钝化接触太阳能电池结构及其制备方法，该结构包括硅基体，以及其正面非金属化区域设置的正面隧穿氧化层、第一N型掺杂多晶硅层、N型掺杂碳化硅层和正面减反层或透明导电氧化物薄膜，正面金属化区域设置的正面隧穿氧化层、第一N型掺...
该专利属于湖南红太阳光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南红太阳光电科技有限公司授权不得商用。

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