非发光III族氮化物半导体层叠体的制造方法技术

本公开涉及一种非发光III族氮化物半导体层叠体的制造方法，其包括如下步骤：准备含有硅(Si)的生长基板；在生长基板上形成多个突起；在生长基板上生长第一缓冲层，以覆盖多个突起；在第一缓冲层上形成多个生长阻挡膜；从通过生长阻挡膜暴露的第一缓冲层生长第二缓冲层；及在第二缓冲层上形成非发光III族氮化物半导体层叠体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开总体上涉及一种非发光iii族氮化物半导体层叠体或iii族氮化物半导体器件以及其制造方法，尤其，涉及如电源设备(例如，晶体管、高电子迁移率晶体管(highelectron mobility transistor；hemt))等的非发光(non-emitting)iii族氮化物半导体层叠体或iii族氮化物半导体器件及其制造方法。另外，本公开的一部分可以扩展到发光iii族氮化物半导体层叠体或iii族氮化物半导体器件(例如，led、ld)及其制造方法。

技术介绍

1、在此，提供与本公开相关的
技术介绍
，但这不一定意味着现有技术。

2、图1为示出美国授权专利公报第7,230,284号中提出的iii族氮化物半导体器件的一例的图，iii族氮化物半导体器件(例如，algan/gan基hemt)包括生长基板11(例如，蓝宝石基板、sic基板)、缓冲层12(例如，alxga1-xn(0≤x≤1)缓冲层)、沟道层20(例如，gan沟道层)、2deg(two-dimensional electron gas；二维电子气)22、势垒层18(例如，algan势垒层)、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种非发光III族氮化物半导体层叠体的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的非发光III族氮化物半导体层叠体的制造方法，其特征在于，在形成生长阻挡膜的步骤中，以位于各突起的上部以及突起与突起之间的方式形成多个生长阻挡膜。

3.根据权利要求1所述的非发光III族氮化物半导体层叠体的制造方法，其特征在于，多个突起和生长基板由相同材料形成。

4.根据权利要求3所述的非发光III族氮化物半导体层叠体的制造方法，其特征在于，含有硅的生长基板为Si生长基板和SiC生长基板中的一种。

5.根据权利要求1所述的非发光III族氮化...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种非发光iii族氮化物半导体层叠体的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的非发光iii族氮化物半导体层叠体的制造方法，其特征在于，在形成生长阻挡膜的步骤中，以位于各突起的上部以及突起与突起之间的方式形成多个生长阻挡膜。

3.根据权利要求1所述的非发光iii族氮化物半导体层叠体的制造方法，其特征在于，多个突起和生长基板由相同材料形成。

4.根据权利要求3所述的非发光iii族氮化物半导体层叠体的制造方法，其特征在于，含有硅的生长基板为si生长基板和sic生长基板中的一种。

5.根据权利要求1所述的非发光iii族氮化物半导体层叠体的制造方法，其特征在于，多个突起和生长基板由不同材料形成。

6.根据权利要求5所述的非发光iii族氮化物半导体层叠体的制造方法，其特征在于，在形成多个突起的步骤之前，还包括形成突起基底层的步骤，且通过蚀刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋俊午，
申请(专利权)人：威弗洛得有限公司，
类型：发明
国别省市：