本公开涉及铝氮化物层的制造方法(METHOD OF MANUFACTURING AN ALUMINUM NITRIDE LAYER)，该方法包括：准备生长基板的步骤；在生长基板上生长Al<subgt;1‑v‑w</subgt...

本公开涉及一种非发光III族氮化物半导体层叠体的制造方法，其包括如下步骤：准备含有硅(Si)的生长基板；在生长基板上形成多个突起；在生长基板上生长第一缓冲层，以覆盖多个突起；在第一缓冲层上形成多个生长阻挡膜；从通过生长阻挡膜暴露的第一缓...