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本公开涉及一种非发光III族氮化物半导体层叠体的制造方法，其包括如下步骤：准备含有硅(Si)的生长基板；在生长基板上形成多个突起；在生长基板上生长第一缓冲层，以覆盖多个突起；在第一缓冲层上形成多个生长阻挡膜；从通过生长阻挡膜暴露的第一缓冲层...
该专利属于威弗洛得有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过威弗洛得有限公司授权不得商用。

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