【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
在各种实施例中，本公开大体上涉及微电子装置设计及制造领域。更明确来说，本公开涉及在体育场结构的水平区域内包含接触结构的微电子装置及相关电子系统及方法。
技术介绍
1、微电子工业的持续目标是增加例如非易失性存储器装置(例如，nand快闪存储器装置)的存储器装置的存储器密度(例如，每存储器裸片的存储器胞元的数目)。增加非易失性存储器装置中的存储器密度的一种方式是利用竖直存储器阵列(也称为“三维(3d)存储器阵列”)架构。常规竖直存储器阵列包含延伸穿过包含导电材料及绝缘材料的层级的一或多个层面(例如，堆叠结构)中的开口的竖直存储器串。每一竖直存储器串可包含串联耦合到竖直堆叠的存储器胞元的串联组合的至少一个选择装置。相较于具有晶体管的常规平面(例如，二维)布置的结构，此配置通过在裸片上向上(例如，竖直)建构阵列而允许将较大数量的切换装置(例如，晶体管)定位于单位裸片面积(即，所消耗的有源表面的长度及宽度)中。
2、竖直存储器阵列架构大体上包含层面控制逻辑装置(例如，串驱动器)的层级的导电结构之间的电连接，使得竖直存储器阵列的存储器胞...
【技术保护点】
1.一种微电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括竖直延伸穿过所述堆叠结构且耦合到所述堆叠结构的所述层级的所述导电材料的存储器胞元串。
3.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括在所述体育场结构的所述水平区域内且竖直延伸穿过所述堆叠结构的另外接触结构，所述另外接触结构与所述额外接触结构电隔离。
4.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述堆叠结构的所述块中的每一者进一步包括与所述体育场结构水平相邻且具有小于约1微米的水平宽度的顶区。
5.根据权利要求4所述的微电子装置，其中所述顶区的所述...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种微电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括竖直延伸穿过所述堆叠结构且耦合到所述堆叠结构的所述层级的所述导电材料的存储器胞元串。
3.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括在所述体育场结构的所述水平区域内且竖直延伸穿过所述堆叠结构的另外接触结构，所述另外接触结构与所述额外接触结构电隔离。
4.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述堆叠结构的所述块中的每一者进一步包括与所述体育场结构水平相邻且具有小于约1微米的水平宽度的顶区。
5.根据权利要求4所述的微电子装置，其中所述顶区的所述水平宽度小于或等于约100纳米。
6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的微电子装置，其中：
7.根据权利要求6所述的微电子装置，其进一步包括至少部分定位于所述体育场结构的所述至少一些所述梯级的所述水平区域内的另外接触结构，所述另外接触结构与所述额外接触结构电隔离。
8.根据权利要求6所述的微电子装置，其中所述接触结构中的多于一者至少部分定位于所述体育场结构的所述至少一些所述梯级中的每一者的水平区域内。
9.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述额外接触结构中的每一者具有耦合到其的所述接触结构中的一者。
10.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述额外接触结构中的每一者具有耦合到其的所述接触结构中的至少两者。
11.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的微电子装置，其进一步包括：
12.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的微电子装置，其中至少一行所述接触结构及至少一行所述额外接触结构各自在第一水平方向上延伸，且所述至少一行所述接触结...
【专利技术属性】
技术研发人员：I·V·恰雷，罗双强，徐丽芳，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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