本申请实施例公开了一种半导体装置以及半导体装置的制作方法。一种半导体装置包括：硅通孔以及依次层叠的第一芯片，第二芯片和第五绝缘层。第一芯片包括具有第一开口的第一绝缘层；第一开口暴露出第一电连接层。硅通孔包括相连的第一段硅通孔和第二段硅通孔；第一段硅通孔位于第一开口中，第一段硅通孔的底部为第一电连接层；第二段硅通孔贯穿第二芯片，第二段硅通孔的底部连接第一段硅通孔，顶部连接第三电连接层；第一金属通孔的底部连接第二电连接层，顶部连接第三电连接层。第一电连接层和第二电连接层通过硅通孔、第一金属通孔和第三电连接层形成电连接。实施本申请实施例，可以减小或避免因为电荷堆积，造成的硅通孔刻蚀过程中硅横向刻蚀。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
技术实现思路
【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
pct国内申请，权...
【专利技术属性】
技术研发人员：赫然，焦慧芳，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。