多晶发光装置及其制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种多晶发光装置及其制备方法，制备方法包括：将LED芯片四周围设有反射胶层的第一发光结构置于第一支撑膜表面；反射胶层的上表面与LED芯片的发光上面齐平，第一发光结构中规则排列有至少一个多晶发光装置对应的多颗LED芯片；将一整块光转换层贴于第一发光结构表面，光转换层靠近LED芯片的发光上面配置；至少于相邻LED芯片之间的光转换层中形成第一凹槽；于形成的第一凹槽中填充光反射材料，光反射材料的上表面与光转换层的上表面齐平；沿相邻多晶发光结构之间的切割道进行切割，得到多晶发光装置，多晶发光装置中包括规则排列的多颗LED芯片。有效解决现有多晶发光装置出光不均匀的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其是一种多晶发光装置及其制备方法。

技术介绍

1、在多晶csp（芯片尺寸封装）产品中，制备中通常需要将led芯片排布在第一支撑膜（uv膜等）表面后，针对每颗led芯片进行贴荧光膜操作。该种封装方式下，受贴片精度的影响，极有可能出现如图1所示的荧光膜片1出现旋转等问题，导致相邻的led芯片的光源中心很难做到一致；且相邻led芯片之间的间距无法进一步缩小。基于此，在多晶csp产品表面形成透镜之后，光型会出现很明显的明暗交错问题，严重影响产品应用。

技术实现思路

1、为了克服以上不足，本专利技术提供了一种多晶发光装置及其制备方法，有效解决现有多晶发光装置出光不均匀的问题。

2、本专利技术提供的技术方案为：

3、一方面，本专利技术提供了一种多晶发光装置制备方法，包括：

4、将led芯片四周围设有反射胶层的第一发光结构置于第一支撑膜表面；所述led芯片具有发光上面、发光侧面及与所述发光上面相对的电极表面，且于所述第一支撑膜表面各led芯片的发光上面朝上；所述反本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多晶发光装置制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的多晶发光装置制备方法，其特征在于，所述至少于相邻LED芯片之间的光转换层中形成第一凹槽中，于相邻LED芯片之间的光转换层和部分反射胶层中形成第一凹槽。

3.如权利要求1或2所述的多晶发光装置制备方法，其特征在于，所述至少于相邻LED芯片之间的光转换层中形成第一凹槽中，沿相邻LED芯片之间的中间位置形成第一凹槽，且形成的第一凹槽宽度小于相邻LED芯片之间的间隙宽度。

4.如权利要求1所述的多晶发光装置制备方法，其特征在于，所述反射胶层和填充于第一凹槽内的光反射材料中掺杂有光反射颗粒。...

【技术特征摘要】

1.一种多晶发光装置制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的多晶发光装置制备方法，其特征在于，所述至少于相邻led芯片之间的光转换层中形成第一凹槽中，于相邻led芯片之间的光转换层和部分反射胶层中形成第一凹槽。

3.如权利要求1或2所述的多晶发光装置制备方法，其特征在于，所述至少于相邻led芯片之间的光转换层中形成第一凹槽中，沿相邻led芯片之间的中间位置形成第一凹槽，且形成的第一凹槽宽度小于相邻led芯片之间的间隙宽度。

4.如权利要求1所述的多晶发光装置制备方法，其特征在于，所述反射胶层和填充于第一凹槽内的光反射材料中掺杂有光反射颗粒。

5.如权利要求1或2或4所述的多晶发光装置制备方法，其特征在于，所述将led芯片四周围设有反射胶层的第一发光结构置于第一支撑膜表面之前，包括：

6.如权利要求1或2或4所述的多晶发光装置制备方法，其特征在于，所述沿相邻...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐海，赵汉民，尹江涛，李珍珍，
申请(专利权)人：江西晶亮光电科技协同创新有限公司，
类型：发明
国别省市：