【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，尤其涉及一种芯片的制作方法及芯片。
技术介绍
1、trench mosfet是一种晶体管，其中导电通道被嵌入或“挖沟”于半导体材料之中。这种设计允许晶体管在更小的空间内实现高电流密度，同时降低开关损耗，广泛应用于高效能和高密度的电源管理系统。
2、trench mosfet的设计通过在半导体基板中创建垂直“沟槽”来形成导电通道，这种结构显著提高了器件的电流承载能力和效率；主要优点包括：trench mosfet/沟槽mos由于其垂直结构，相比传统平面mosfet，可以在更小的芯片面积内提供更高的功率密度；减少了导通状态下的电阻，从而降低了功耗和发热；具有较快的开关速度，这对于需要快速响应的应用(如开关电源和电动汽车的电池管理系统)来说非常关键。
3、另一方面，mim电容器以其高性能和紧凑的设计在现代电子领域中扮演着重要角色。它们的关键特点包括：能够在相对较小的体积内提供高电容，这对于缩小电路板大小和提高整体电路效率至关重要；在高频应用中表现出色，能稳定地工作在高速信号处理和高频通信系统中；性能不易受温度波动影响，适合于要求严格的环境。
4、现有技术中，二者在使用时作为单独的器件连接使用，集成度较低。
技术实现思路
1、针对相关技术中存在的不足之处，本专利技术提供了一种芯片的制作方法及芯片，解决沟槽mos与电容不集成的技术问题。
2、根据本申请的一方面，提供了一种芯片的制作方法，在一种可能的实施方式中，该方法包括：
3、在一种可能的实施方式中，在衬底上制作沟槽mos，包括：
4、在步骤s10中，提供沉底；
5、在步骤s20中，在衬底正面刻蚀以形成栅极沟槽；
6、在步骤s30中，在栅极沟槽中形成栅极氧化层和多晶硅层；
7、在步骤s40中，在栅极氧化层外周进行离子注入和扩散处理，以形成源极。
8、在一种可能的实施方式中，制作连结结构包括：制作一个连接源极的第一金属接触沟槽。
9、在一种可能的实施方式中，制作连结结构还包括：制作一个不连接源极的第二金属接触沟槽。
10、在一种可能的实施方式中，制作电容和连结结构的步骤包括：
11、在步骤s50中，沉积第二氧化层，在第二氧化层上刻蚀第一金属接触沟槽；或，刻蚀第一金属接触沟槽和第二金属接触沟槽；
12、在步骤s60中，在第二氧化层上和第一金属接触沟槽内沉积金属层；或，在第二氧化层上、在第一金属接触沟槽内和第二金属接触沟槽内沉积金属层；并去除第二氧化层上的金属层；
13、在步骤s70中，在第二氧化层上沉积金属-绝缘层-金属mim结构的电容层；
14、在步骤s80中，对部分电容层进行刻蚀，剩余电容层形成电容，电容与第一金属接触沟槽或与第二金属接触沟槽内的金属层接触。
15、在一种可能的实施方式中，制作连接结构还包括：
16、在步骤s90中，继续沉积第二氧化层；刻蚀与第一金属接触沟槽连接的电容上方区域的第二氧化层，形成延伸的第一金属接触沟槽；
17、或，刻蚀第一金属接触沟槽上方的第二氧化层，形成延伸的第一金属接触沟槽，并刻蚀电容上方区域的第二氧化层，形成延伸的第二金属接触沟槽；
18、在步骤s91中，在第二氧化层上、在延伸的第一金属接触沟槽内；或，在第二氧化层上、在延伸的第一金属接触沟槽内，和在延伸的第二金属接触沟槽内沉积金属层；
19、在步骤s92中，去除第二氧化层上的金属层。
20、在一种可能的实施方式中，上述各个沟槽的刻蚀深度为微米级。
21、在一种可能的实施方式中，金属-绝缘层-金属结构中的绝缘层包括硅氮化物或高介电常数材料。
22、在一种可能的实施方式中，mim电容的尺寸为0.5um-3um。
23、根据本申请的一方面，提供了一种芯片，通过上述任一种实施方式的制作方法制得，芯片集成沟槽mosfet和mim电容。
24、基于上述技术方案，本专利技术实施方式的芯片制作方法及芯片，在衬底上集成了沟槽mos和电容。
25、将trench mosfet和mim电容器集成，提供一种高效、紧凑且具有卓越性能的新型电子组件。这种集成能够在保持各自优点的同时，进一步提升电子设备的整体性能和可靠性。例如，在电源管理系统中，这种集成可能使得设备更加高效、响应更快，同时还能减小体积。在电动汽车、可穿戴设备、智能手机等多种现代电子产品中，这种集成技术的应用前景广阔。
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1.一种芯片的制作方法，其特征在于，该方法包括：在衬底上制作沟槽MOS和电容，以及，制作连接沟槽MOS与电容的连接结构。
2.根据权利要求1的制作方法，其特征在于，在衬底上制作沟槽MOS，包括：
3.根据权利要求2的制作方法，其特征在于，制作连结结构包括：制作连接源极的第一金属接触沟槽。
4.根据权利要求3的制作方法，其特征在于，制作连结结构还包括：制作不连接源极的第二金属接触沟槽。
5.根据权利要求3或4的制作方法，其特征在于，制作电容和连结结构的步骤包括：
6.根据权利要求5的制作方法，其特征在于，制作连接结构还包括：
7.根据权利要求6的制作方法，其特征在于，上述各个沟槽的刻蚀深度为微米级。
8.根据权利要求5的制作方法，其特征在于，金属-绝缘层-金属结构中的绝缘层包括硅氮化物或高介电常数材料。
9.根据权利要求1的制作方法，MIM电容的尺寸为0.5um-3um。
10.一种芯片，根据权利要求1或2或3中任一项芯片制作方法制作的芯片，其特征在于，芯片集成沟槽MOS和M
...【技术特征摘要】
1.一种芯片的制作方法，其特征在于，该方法包括：在衬底上制作沟槽mos和电容，以及，制作连接沟槽mos与电容的连接结构。
2.根据权利要求1的制作方法，其特征在于，在衬底上制作沟槽mos，包括：
3.根据权利要求2的制作方法，其特征在于，制作连结结构包括：制作连接源极的第一金属接触沟槽。
4.根据权利要求3的制作方法，其特征在于，制作连结结构还包括：制作不连接源极的第二金属接触沟槽。
5.根据权利要求3或4的制作方法，其特征在于，制作电容和连结结构的...
【专利技术属性】
技术研发人员：林本付，郭顺华，
申请(专利权)人：物元半导体技术青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：
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