【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及陶瓷抛光，尤其涉及一种抛光轨迹规划方法、抛光设备和计算机可读存储介质。
技术介绍
1、在陶瓷生产工序中，通过抛光设备的数组打磨头对陶瓷进行不同目数的打磨抛光，打磨头安装在同一个横梁上，与流水线方向一致的，相邻的打磨头距离相同，并且打磨头为同相位和同速度摆动。
2、在陶瓷打磨抛光之后，现有检测方案主要为人工抽样检测陶瓷，一般选取陶瓷的几个部分区域进行光泽度等抛光效果的检验，若陶瓷不满足检验要求，则由经验调整控制参数，导致控制参数的调整不准确。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种抛光轨迹规划方法、抛光设备和计算机可读存储介质，旨在解决抛光设备的控制参数的调整不准确的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供的一种抛光轨迹规划方法，所述抛光轨迹规划方法包括以下步骤：
3、在抛光设备基于初始抛光轨迹的运行结束后，检测陶瓷品质参数；
4、根据所述陶瓷品质参数对初始抛光轨迹进行修正，得到修正后的目标抛光轨迹；
5、根据所述目标抛光轨迹确定目标抛光控制参数，根据所述目标抛光控制参数控制所述抛光设备下一轮运行。
6、可选地，所述在抛光设备基于初始抛光轨迹的运行结束后，检测陶瓷品质参数的步骤之前，还包括：
7、根据陶瓷的基础参数和品质要求参数，确定所述抛光设备本轮运行的初始抛光轨迹；
8、根据所述初始抛光轨迹确定所述初始抛光控制参数，基于所述初始抛光控制参数控制所述抛光设备运
9、可选地，所述在抛光设备基于初始抛光轨迹的运行结束后，检测陶瓷品质参数的步骤之后，还包括：
10、确定所述陶瓷品质参数与所述品质要求参数之间的差值；
11、若所述差值不处于预设范围内，则执行所述根据所述陶瓷品质参数对初始抛光轨迹进行修正，得到修正后的目标抛光轨迹的步骤。
12、可选地，所述根据陶瓷的基础参数和品质要求参数，确定所述抛光设备本轮运行的初始抛光轨迹的步骤之前，还包括：
13、获取陶瓷种类和尺寸；
14、根据所述陶瓷种类和所述尺寸，确定所述品质要求参数，所述品质要求参数包括均匀度和/或光泽度。
15、可选地，所述根据所述目标抛光轨迹确定目标抛光控制参数的步骤包括：
16、获取节能目标参数；
17、根据所述目标抛光轨迹和所述节能目标参数，确定所述目标抛光控制参数。
18、可选地，所述检测陶瓷品质参数的步骤包括：
19、检测陶瓷的光泽度和均匀度；
20、基于所述光泽度、所述均匀度和对应的权重值，确定所述陶瓷品质参数。
21、可选地，所述根据所述目标抛光轨迹确定目标抛光控制参数的步骤包括：
22、对所述目标抛光轨迹对应的陶瓷区域进行划分，得到多个子区域；
23、确定每一子区域对应的目标抛光控制参数，所述目标抛光控制参数包括流水线控制参数、打磨横梁参数、打磨头参数中的至少一者。
24、为实现上述目的，本专利技术还提供一种抛光设备，所述抛光设备包括存储器、处理器以及存储在所述存储器并可在所述处理器上执行的抛光轨迹规划程序，所述抛光轨迹规划程序被所述处理器执行时实现如上所述的抛光轨迹规划方法的各个步骤。
25、为实现上述目的，本专利技术还提供如上所述的抛光设备，所述抛光设备包括流水线和横梁，所述流水线用于放置陶瓷，所述横梁上设置有至少一个打磨头，所述打磨头用于对所述陶瓷进行抛光。
26、为实现上述目的，本专利技术还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有抛光轨迹规划程序，所述抛光轨迹规划程序被处理器执行时实现如上所述的抛光轨迹规划方法的各个步骤。
27、本专利技术提供的一种抛光轨迹规划方法、抛光设备和计算机可读存储介质，在抛光设备基于初始抛光轨迹的运行结束后，检测陶瓷品质参数；根据陶瓷品质参数对初始抛光轨迹进行修正，得到修正后的目标抛光轨迹；根据目标抛光轨迹确定目标抛光控制参数，以根据目标抛光控制参数控制抛光设备下一轮运行。通过检测到的陶瓷品质参数对初始抛光轨迹进行修正，以确定目标抛光控制参数，提高了抛光设备的控制参数调整的准确性，提高了陶瓷的抛光质量。
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1.一种抛光轨迹规划方法，其特征在于，所述抛光轨迹规划方法包括：
2.如权利要求1所述的抛光轨迹规划方法，其特征在于，所述在抛光设备基于初始抛光轨迹的运行结束后，检测陶瓷品质参数的步骤之前，还包括：
3.如权利要求2所述的抛光轨迹规划方法，其特征在于，所述在抛光设备基于初始抛光轨迹的运行结束后，检测陶瓷品质参数的步骤之后，还包括：
4.如权利要求2所述的抛光轨迹规划方法，其特征在于，所述根据陶瓷的基础参数和品质要求参数，确定所述抛光设备本轮运行的初始抛光轨迹的步骤之前，还包括：
5.如权利要求1所述的抛光轨迹规划方法，其特征在于，所述根据所述目标抛光轨迹确定目标抛光控制参数的步骤包括：
6.如权利要求1所述的抛光轨迹规划方法，其特征在于，所述检测陶瓷品质参数的步骤包括：
7.如权利要求1所述的抛光轨迹规划方法，其特征在于，所述根据所述目标抛光轨迹确定目标抛光控制参数的步骤包括：
8.一种抛光设备，其特征在于，所述抛光设备包括存储器、处理器以及存储在所述存储器并可在所述处理器上执行的抛光轨迹规划程序
9.如权利要求8所述的抛光设备，其特征在于，所述抛光设备包括流水线和横梁，所述流水线用于放置陶瓷，所述横梁上设置有至少一个打磨头，所述打磨头用于对所述陶瓷进行抛光。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有抛光轨迹规划程序，所述抛光轨迹规划程序被处理器执行时实现如权利要求1-7任一项所述的抛光轨迹规划方法的各个步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种抛光轨迹规划方法，其特征在于，所述抛光轨迹规划方法包括：
2.如权利要求1所述的抛光轨迹规划方法，其特征在于，所述在抛光设备基于初始抛光轨迹的运行结束后，检测陶瓷品质参数的步骤之前，还包括：
3.如权利要求2所述的抛光轨迹规划方法，其特征在于，所述在抛光设备基于初始抛光轨迹的运行结束后，检测陶瓷品质参数的步骤之后，还包括：
4.如权利要求2所述的抛光轨迹规划方法，其特征在于，所述根据陶瓷的基础参数和品质要求参数，确定所述抛光设备本轮运行的初始抛光轨迹的步骤之前，还包括：
5.如权利要求1所述的抛光轨迹规划方法，其特征在于，所述根据所述目标抛光轨迹确定目标抛光控制参数的步骤包括：
6.如权利要求1所述的抛光轨迹规划方法，其特征在于，所述检测陶瓷品质参数的步骤包...
【专利技术属性】
技术研发人员：武扬斌，方宁，马晓飞，赵环宇，闫向峰，冯柏达，雷敏，
申请(专利权)人：苏州汇川控制技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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