一种升压功率变换电路、电容预充电方法、逆变装置制造方法及图纸

技术编号:41095737 阅读:26 留言:0更新日期:2024-04-25 13:54
本发明专利技术提出一种升压功率变换电路及电容预充电方法,所述升压功率变换电路包括直流母线电容C1、直流母线电容C2、飞跨电容Cf、功率开关管Q3、功率开关管Q4、功率二极管D1、功率二极管D2、功率二极管D4、电感L、开关Q1。通过给功率二极管D1并联一个开关Q1,在输入电源PV或母线有电时,开关Q1保持闭合状态,实现对飞跨电容Cf的预充电,使得飞跨电容Cf在缓冲阶段或者机器处于待机状态时均能保持与直流母线电容C1两端电压相等,避免缓冲或者待机过程中开关器件的电压应力超器件规格的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电路,尤其涉及一种升压功率变换电路、电容预充电方法、逆变装置


技术介绍

1、飞跨电容三电平boost电路常用于1kv~1.5kv直流母线的光伏系统,相比两电平boost电路,三电平boost电路可以降低变换器中的半导体器件的电压应力,方便选到合适型号的半导体器件。

2、为了满足三电平boost电路中的半导体器件在任何时刻都不超电压应力的要求,正常工作时飞跨电容电压需要控制到直流母线电压的一半,这可以通过合理的控制电路中半导体器件的开通和关断实现,但是在三电平boost预充过程中控制系统还没有进入正常的电压控制过程,无法实现预充过程中的半导体器件的电压应力控制,容易导致预充过程中半导体器件的过压损坏。


技术实现思路

1、为了解决上述问题,本专利技术提出了一种升压功率变换电路、电容预充电方法、逆变装置,用以解决现有技术中升压功率变换电路中半导体器件过压击穿的技术问题。

2、因此,本专利技术提出一种升压功率变换电路,包括直流母线电容c1、直流母线电容c2、飞跨电容cf、功率开关管本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种升压功率变换电路,其特征在于,包括直流母线电容C1、直流母线电容C2、飞跨电容Cf、功率开关管Q3、功率开关管Q4、功率二极管D1、功率二极管D2、功率二极管D4、电感L、开关Q1;

2.如权利要求1所述的升压功率变换电路,其特征在于,所述功率开关管Q3和所述功率开关管Q4均包括金属-氧化物半导体场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管、三极管中的一种。

3.如权利要求1所述的升压功率变换电路,其特征在于,所述直流母线电容C1的容值与所述直流母线电容C2的容值相同。

4.如权利要求3所述的升压功率变换电路,其特征在于,所述飞跨电容Cf的容值小于等于所述...

【技术特征摘要】

1.一种升压功率变换电路,其特征在于,包括直流母线电容c1、直流母线电容c2、飞跨电容cf、功率开关管q3、功率开关管q4、功率二极管d1、功率二极管d2、功率二极管d4、电感l、开关q1;

2.如权利要求1所述的升压功率变换电路,其特征在于,所述功率开关管q3和所述功率开关管q4均包括金属-氧化物半导体场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管、三极管中的一种。

3.如权利要求1所述的升压功率变换电路,其特征在于,所述直流母线电容c1的容值与所述直流母线电容c2的容值相同。

4.如权利要求3所述的升压功率变换电路,其特征在于,所述飞跨电容cf的容值小于等于所述直流母线电容c1的容值。

5.如权利要求1所述的升压功率变换电路,其特征在于,所述开关q1包括继电器和接触器中的任意一种。

6.如权利要求1所述的升压功率变换电路,其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员:周光军饶勇
申请(专利权)人:苏州汇川控制技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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