【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及一种图像传感器及其制备方法。
技术介绍
1、随着互补金属氧化物半导体（complementary metal oxide semiconductor，cmos）图像传感器技术的发展，出现了背照式（back side illumination，bsi）cmos图像传感器。
2、传统的背照式图像传感器的先进制程中，使用了氧化物栅格（oxide grid），通常会将这种oxide grid做成简单的闸状，但是这种闸状结构容易造成光的散射，从而减少了发光二极管对光的吸收，其会影响背照式图像传感器的感光量。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对传统技术中的光散射的问题提供一种能够增加光通量的图像传感器及其制备方法。
2、为了实现上述目的，第一方面，本申请提供了一种图像传感器的制备方法，包括：
3、提供衬底，所述衬底设有多个间隔排布的光电元件；
4、于所述衬底上形成氧化层；
5、于所述氧化层上形成隔离层；
<...【技术保护点】
1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述对所述隔离层进行刻蚀，形成分别与所述光电元件对应设置的多个凹槽，包括：
3.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述基于所述透光介质层去除剩余所述隔离层，以形成开口，包括：
4.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述基于所述开口形成所述隔离件，包括：
5.根据权利要求4所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，每一所述金属层的材料包括钛、铝和钨的混合金属材料。
...【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述对所述隔离层进行刻蚀，形成分别与所述光电元件对应设置的多个凹槽，包括：
3.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述基于所述透光介质层去除剩余所述隔离层，以形成开口，包括：
4.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述基于所述开口形成所述隔离件，包括：
5.根据权利要求4所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，每一所述金属层的材料包括钛、铝和钨的混合金属材料。
6.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：陈维邦，郑志成，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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