【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体量测，具体涉及一种基于图像清晰度聚焦的方法及装置。
技术介绍
1、半导体晶圆cd(critical dimension，关键尺寸，简称cd)和ovl(overlay,套刻精度)需要在高倍镜(典型倍率100x，未来150x)条件下自聚焦技术实现快速量测。现有技术依赖成像镜头获取视场光信号，进而将光信号转化为电平信号进行处理来实现对焦。一些情况下，还需要结合特定算法对电平信号进行转化计算才能实现聚焦。这样导致晶圆量测过程中图像聚焦局限于采用特定算法对转化的电平信号计算处理来进行聚焦，一方面聚焦过程复杂不易进行聚焦，另一方面由于转化计算步骤多造成聚焦不准确等问题。
2、因此，需要一种新的基于图像清晰度聚焦方案。
技术实现思路
1、有鉴于此，本说明书实施例提供一种基于图像清晰度聚焦的方法及装置。
2、本说明书实施例提供以下技术方案：
3、本说明书实施例提供一种基于图像清晰度聚焦的方法，所述基于图像清晰度聚焦的方法包括：对待量测样品进行光学成像通过粗对焦获取焦面范围，光学成像过程包括样品成像和叠加成像；
4、根据焦面范围通过叠加成像结合压电的精对焦获取焦面位置；
5、若所述焦面位置对应叠加图像的清晰度为最大图像清晰度，则将所述焦面位置对应拍摄图像用于晶圆量测过程。
6、与现有技术相比，本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括：
7、基于光学成像的粗对焦获取焦面范围，光
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1.一种基于图像清晰度聚焦的方法，其特征在于，所述基于图像清晰度聚焦的方法包括：
2.根据权利要求1所述的基于图像清晰度聚焦的方法，其特征在于，对待量测样品进行光学成像通过粗对焦获取焦面范围包括：
3.根据权利要求1所述的基于图像清晰度聚焦的方法，其特征在于，所述基于图像清晰度聚焦的方法还包括：
4.根据权利要求1所述的基于图像清晰度聚焦的方法，其特征在于，所述焦面位置用于对晶圆不同线宽的量测或者晶圆套刻误差的量测。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的基于图像清晰度聚焦的方法，其特征在于，所述基于图像清晰度聚集的方法还包括：通过激光测距和光谱共焦辅助确定粗扫的焦面范围。
6.一种基于图像清晰度聚焦的装置，其特征在于，应用于如权利要求1-5中任一项所述基于图像清晰度聚焦的方法，所述基于图像清晰度聚焦的装置包括：光栅尺、短焦透镜、长焦透镜、偏振分光棱镜、相机、位移分光棱镜、分光棱镜、光源、压电、物镜；
7.根据权利要求6所述的基于图像清晰度聚焦的装置，其特征在于，所述光栅尺设置光栅条的宽度以及相邻光栅条的间距，
8.根据权利要求6所述的基于图像清晰度聚焦的装置，其特征在于，所述光栅尺对应的第二光源设置为红光光源；样品成像光路中的第一光源采用蓝光、白光或卤素光源。
9.根据权利要求6所述的基于图像清晰度聚焦的装置，其特征在于，样品成像相机端设置机械千分尺以旋转角度，以防止压电扫描错位。
10.一种基于图像清晰度聚焦的装置，其特征在于，应用如权利要求1-5中任一项所述基于图像清晰度聚焦的方法，所述基于图像清晰度聚焦的装置包括：相机、分光棱镜、白光LED光源、压电、物镜、反射镜、快门；
...【技术特征摘要】
1.一种基于图像清晰度聚焦的方法，其特征在于，所述基于图像清晰度聚焦的方法包括：
2.根据权利要求1所述的基于图像清晰度聚焦的方法，其特征在于，对待量测样品进行光学成像通过粗对焦获取焦面范围包括：
3.根据权利要求1所述的基于图像清晰度聚焦的方法，其特征在于，所述基于图像清晰度聚焦的方法还包括：
4.根据权利要求1所述的基于图像清晰度聚焦的方法，其特征在于，所述焦面位置用于对晶圆不同线宽的量测或者晶圆套刻误差的量测。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的基于图像清晰度聚焦的方法，其特征在于，所述基于图像清晰度聚集的方法还包括：通过激光测距和光谱共焦辅助确定粗扫的焦面范围。
6.一种基于图像清晰度聚焦的装置，其特征在于，应用于如权利要求1-5中任一项所述基于图像清晰度聚焦的方法，所述基于图像清晰度聚焦的装置包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡伟雄，秦雪飞，任晓静，梁安生，
申请(专利权)人：魅杰光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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