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【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及光电集成领域,尤其涉及一种波导以及光模块。
技术介绍
1、光模块是进行光电转换的光电子器件。其中,硅光模块是一种采用硅光子技术的光模块。硅光子技术是基于硅和硅基衬底材料(如sige/si、soi等),利用现有cmos工艺进行光器件开发和集成的新一代技术。硅光模块产生的核心理念是“以光代电”,即利用激光束代替电子信号进行数据传输。硅光子技术将硅光模块中的光学器件与电子元件整合到一个独立的微芯片中,使光信号处理与电信号的处理深度融合,最终实现真正意义上的“光互联”。对比普通光模块,硅光模块具有低功耗、低成本、高集成和高速率等优势。
2、硅光模块主要由波导、调制器、耦合器、awc、滤波器、接收器、阻隔层、衬底等构成。硅光模块芯片通过硅晶圆技术,在硅基底上利用蚀刻工艺加上外延生长等加工工艺制备调制器、接收器、波导等关键器件,以实现调制器、接收器以及无源光学器件的高度集成。
3、但是,目前光模块回波损耗的问题较为严重。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种波导以及光模块,减少回波损耗对光模块的影响,提升了光模块的性能。
2、为解决上述问题,本专利技术实施例提供一种波导,应用于光模块,沿波导的延伸方向且沿光的入射方向为第一方向,所述波导包括沿所述第一方向依次设置的:第一传导部,具有平行相对的第一传导侧壁;抗回波部,包括与所述第一传导侧壁相连且凸出于所述第一传导侧壁的抗回波侧壁,所述抗回波侧壁用于对回波进行反射和透射。
...【技术保护点】
1.一种波导,应用于光模块,沿波导的延伸方向且沿光的入射方向为第一方向,其特征在于,所述波导包括沿所述第一方向依次设置的:
2.如权利要求1所述的波导,其特征在于,所述抗回波部与所述第一传导部相连的部分的宽度,大于所述第一传导部的宽度,且沿所述第一方向,所述抗回波部的宽度递减。
3.如权利要求1或2所述的波导,其特征在于,所述抗回波部还包括与所述抗回波侧壁相连的缓冲侧壁,所述缓冲侧壁用于对回波进行全反射。
4.如权利要求3所述的波导,其特征在于,所述波导还包括:第二传导部,与所述抗回波部相连;所述第二传导部具有平行相对的第二传导侧壁,所述第二传导侧壁与所述缓冲侧壁相连。
5.如权利要求3所述的波导,其特征在于,与所述第一方向平行且相反的方向为第二方向,沿所述抗回波部指向所述第一传导部的方向,所述缓冲侧壁与所述第二方向的夹角逐渐增大。
6.如权利要求3所述的波导,其特征在于,在所述缓冲侧壁与所述抗回波侧壁相连的位置处,所述缓冲侧壁与所述第一方向之间的夹角为0°至180°。
7.如权利要求1所述的波导,其特征在于
8.如权利要求1所述的波导,其特征在于,所述波导的材料包括硅、氧化硅、氮化硅、磷化铟、氮化镓、铌酸锂、锗、锗化硅、砷化镓、铟镓砷、铟镓氮、碳化硅、以及聚合物材料中的一种或多种。
9.一种光模块,其特征在于,包括:
10.如权利要求9所述的光模块,其特征在于,所述光电器件为发光器件,用于发出入射光。
11.如权利要求10所述的光模块,其特征在于,所述发光器件为激光器。
12.如权利要求9所述的光模块,其特征在于,所述光电器件包括光电调制器、光电探测器、分光器、光栅、模式偏转仪或加热器。
13.如权利要求9至12任一项所述的光模块,其特征在于,所述光模块为半导体光模块。
14.如权利要求9至12任一项所述的光模块,其特征在于,所述光模块为硅光模块。
...【技术特征摘要】
1.一种波导,应用于光模块,沿波导的延伸方向且沿光的入射方向为第一方向,其特征在于,所述波导包括沿所述第一方向依次设置的:
2.如权利要求1所述的波导,其特征在于,所述抗回波部与所述第一传导部相连的部分的宽度,大于所述第一传导部的宽度,且沿所述第一方向,所述抗回波部的宽度递减。
3.如权利要求1或2所述的波导,其特征在于,所述抗回波部还包括与所述抗回波侧壁相连的缓冲侧壁,所述缓冲侧壁用于对回波进行全反射。
4.如权利要求3所述的波导,其特征在于,所述波导还包括:第二传导部,与所述抗回波部相连;所述第二传导部具有平行相对的第二传导侧壁,所述第二传导侧壁与所述缓冲侧壁相连。
5.如权利要求3所述的波导,其特征在于,与所述第一方向平行且相反的方向为第二方向,沿所述抗回波部指向所述第一传导部的方向,所述缓冲侧壁与所述第二方向的夹角逐渐增大。
6.如权利要求3所述的波导,其特征在于,在所述缓冲侧壁与所述抗回波侧壁相连的位置处,所述缓冲侧壁与所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴家亨,曾红林,陈晓军,冯霞,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
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