【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体沉积，特别涉及一种薄膜沉积装置及沉积方法。
技术介绍
1、横流沉积技术广泛应用于半导体工业中，能够在半导体材料表面形成薄膜。在横流沉积过程中，反应气体分子通过一个狭窄的反应区域，在飞行过程中和基片表面发生化学反应最终形成薄膜。
2、在现有技术中，横流沉积得到的薄膜的均匀性往往比较差。
3、因此，希望能有一种新的薄膜沉积装置及沉积方法，能够克服上述问题。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本专利技术的目的在于提供一种薄膜沉积装置及沉积方法，从而沉积得到均匀性更好的薄膜。
2、根据本专利技术的一方面，提供一种薄膜沉积装置，包括：反应腔，具有进气口和出气口；电极板，设置在所述反应腔内；以及基座，设置在所述反应腔内，具有用于承载晶圆的承载表面，所述承载表面与所述电极板相对设置；其中，所述电极板的第一端、所述基座的第一端与所述进气口相邻设置，所述电极板的第二端、所述基座的第二端与所述出气口相邻设置，以使气体由所述进气口经所述电极板与所述基座之间的气流通道流出至所述出气口；所述电极板的第一端与所述基座的第一端之间的距离为第一距离；所述电极板的第二端与所述基座的第二端之间的距离为第二距离，且所述第一距离小于所述第二距离。
3、可选地，所述基座包括设置在所述承载表面的加热装置，用于对所述晶圆进行加热。
4、可选地，所述基座的承载表面与所述电极板之一呈水平设置，所述基座的承载表面与所述电极板中的另一个倾斜设置；或所述基座的
5、所述第一距离与所述第二距离的距离差根据沉积制程设置，以使晶圆表面各处的沉积层厚度均匀。
6、可选地，所述电极板的第一端和/或所述电极板的第二端与驱动单元相连接，所述驱动单元用于驱动所述电极板的第一端和/或所述电极板的第二端接近或远离所述基座。
7、可选地，所述基座与驱动单元相连接，所述驱动单元用于驱动所述基座接近或远离所述电极板。
8、可选地，所述基座的第一端固定，所述驱动单元与所述基座的第二端相连接；所述基座的第二端在所述驱动单元的驱动下接近或远离所述电极板上极板的第二端。
9、可选地，所述薄膜沉积装置还包括：
10、控制单元，用于提供驱动信号至所述驱动单元，以控制所述第一距离和/或所述第二距离。
11、可选地，所述薄膜沉积装置用于执行至少一次沉积制程，所述控制单元被配置为：在每次沉积制程开始前，提供相应的所述驱动信号以调整所述第一距离和/或所述第二距离，使得：
12、在后的沉积制程对应的第一距离不同于在先的沉积制程对应的第一距离，和/或，
13、在后的沉积制程对应的第二距离不同于在先的沉积制程对应的第二距离。
14、可选地，所述驱动单元包括步进电机，所述步进电机以步进方式调节所述第一距离和/或所述第二距离。
15、根据本专利技术的另一方面，提供一种沉积方法，应用于如前所述的薄膜沉积装置，包括：
16、在形成至少一个沉积层之前，根据当前沉积制程调整所述电极板和/或所述基座，使得所述第一距离小于所述第二距离；以及
17、在每个沉积层的形成阶段，经由所述进气口向所述反应腔内通入反应气体，以使所述晶圆表面形成沉积层。
18、根据本专利技术实施例的薄膜沉积装置及沉积方法，电极板的第一端与基座的第一端之间的间距小于电极板的第二端与基座的第二端之间的间距，沉积得到的薄膜的均匀性和质量都更好。
19、进一步地，电极板和/或基座倾斜设置，电极板与基座之间的间距沿着气流流动方向均匀增大，保证了沉积薄膜各部分的均匀性和质量。
20、进一步地，电极板与基座之间的间距可调，能够应用于不同种类的沉积气体的沉积。
21、进一步地，电极板与基座之间的间距可调，能够在同一个晶圆上沉积得到均匀性和质量更好的多层薄膜。
22、进一步地，基座水平设置，电极板倾斜设置，在保证薄膜沉积均匀性和质量的同时，保证了晶圆转运的便捷性。
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1.一种薄膜沉积装置，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中，所述基座包括设置在所述承载表面的加热装置，用于对所述晶圆进行加热。
3.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中，所述基座的承载表面与所述电极板之一呈水平设置，所述基座的承载表面与所述电极板中的另一个倾斜设置；或所述基座的承载表面与所述电极板均倾斜设置；
4.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中，所述电极板的第一端和/或所述电极板的第二端与驱动单元相连接，所述驱动单元用于驱动所述电极板的第一端和/或所述电极板的第二端接近或远离所述基座。
5.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中，所述基座与驱动单元相连接，所述驱动单元用于驱动所述基座接近或远离所述电极板。
6.根据权利要求5所述的薄膜沉积装置，其中，所述基座的第一端固定，所述驱动单元与所述基座的第二端相连接；所述基座的第二端在所述驱动单元的驱动下接近或远离所述电极板上极板的第二端。
7.根据权利要求4或5所述的薄膜沉积装置，其中，所述薄膜沉积装置还包括：
8.根据权利要求7
9.根据权利要求7所述的薄膜沉积装置，其中，所述驱动单元包括步进电机，所述步进电机以步进方式调节所述第一距离和/或所述第二距离。
10.一种沉积方法，应用于如权利要求1-9中任一项所述的薄膜沉积装置，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种薄膜沉积装置，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中，所述基座包括设置在所述承载表面的加热装置，用于对所述晶圆进行加热。
3.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中，所述基座的承载表面与所述电极板之一呈水平设置，所述基座的承载表面与所述电极板中的另一个倾斜设置；或所述基座的承载表面与所述电极板均倾斜设置；
4.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中，所述电极板的第一端和/或所述电极板的第二端与驱动单元相连接，所述驱动单元用于驱动所述电极板的第一端和/或所述电极板的第二端接近或远离所述基座。
5.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中，所述基座与驱动单元相连接，所述驱动单元用于驱动所述基座接近或远离所述电极板。
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【专利技术属性】
技术研发人员：朱顺利，周纬，李继刚，张俊，
申请(专利权)人：江苏首芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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