【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体制造领域，特别涉及一种薄膜沉积腔体及其进气机构。
技术介绍
1、沉积工艺是半导体制造工艺中常见的成膜工艺。沉积工艺主要包括化学气相沉积(cvd，chemical vapor deposition)、物理气相沉积(pvd，physical vapor deposition)以及原子层沉积工艺(ald，atomic layer deposition)。
2、以化学气相沉积为例，化学气相沉积是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在晶圆表面，制得目标薄膜的工艺技术。该工艺技术通过薄膜沉积腔体得以实现。
3、然而，目前沉积薄膜的效率、薄膜的均匀度以及薄膜沉积腔体内的气体抽速均有待提高。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种进气机构以及薄膜沉积腔体，至少可以提高沉积薄膜的效率以及提高薄膜的均匀度。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种进气机构，用于向薄膜沉积腔体的腔室内提供气体，进气机构包括：进气组件，所述进气组件设置在所述腔室的顶部，所述进气组件内具有进气通道，所述进气通道用于连通提供气体的进气管；固定机构以及风刀出气组件，所述风刀出气组件通过所述固定机构与所述进气组件相固定；所述风刀出气组件包括绕所述进气通道的周向间隔设置的至少两个风刀，所述风刀内形成有气体通路，且所述气体通路的进气端与所述进气通道连通，所述风刀的出气面具有间隔设置的多个出气口，所述出气口与所述气体通路的出气端连通；驱动电机，所述驱动
3、在一些实施例中，所述风刀内具有多个相互独立的气体通路，且所述气体通路与所述出气口一一对应。
4、在一些实施例中，所述气体通路为位于所述风刀内的空腔，且不同的所述风刀内的所述气体通路相连通；多个所述出气口与所述空腔连通。
5、在一些实施例中，多个所述风刀构成一字形、十字形或者米字形。
6、在一些实施例中，所述风刀包括：第一出气组件，所述第一出气组件内具有所述气体通路，所述气体通路的气体流通方向相对于所述进气通道的气体流通方向倾斜；第二出气组件，所述第二出气组件内具有贯穿所述第二出气组件的多个所述出气口，且所述出气口与所述气体通路的出气端连通；其中，所述出气口的出气方向为竖直方向。
7、在一些实施例中，所述风刀包括与所述进气组件正对的中心部；在沿所述风刀边缘指向所述中心部的方向上，所述出气口的分布密度逐渐减小。
8、在一些实施例中，所述风刀包括与所述进气组件正对的中心部；在沿所述风刀边缘指向所述中心部的方向上，不同的所述出气口的出气量逐渐减小。
9、在一些实施例中，所述进气通道包括：相互独立的第一进气通道和第二进气通道，所述第一进气通道用于与提供第一气体的第一进气管连通，所述第二进气通道用于与提供第二气体的第二进气管连通；所述气体通路包括相互独立的第一气体通路和第二气体通路，所述第一气体通路的进气端与所述第一进气通道连通，所述第二气体通路的进气端与所述第二进气通道连通；所述多个出气口包括：第一类出气口，所述第一类出气口与所述第一气体通路的出气端连通；第二类出气口，所述第二类出气口与所述第二气体通路的出气端连通；其中，所述第一类出气口与所述第二类出气口交替设置。
10、根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种薄膜沉积腔体，包括：腔室；基座，所述基座设置于所述腔室的底部，用于承载晶圆；抽气口，所述抽气口设置在所述腔室的部分底部区域；上述任一实施例所述的进气机构，所述进气组件设置在所述腔室的顶部，所述固定机构以及所述风刀出气设置在所述腔室内。
11、在一些实施例中，所述出气口所在的位置为等离子电极板。
12、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
13、本公开实施例提供的进气机构的技术方案中，进气机构用于向薄膜沉积腔体的腔室内提供气体。进气机构包括：进气组件、固定机构以及风刀出气组件，进气组件设置在薄膜沉积腔体的腔室顶部，进气组件内具有进气通道，进气通道用于连通提供气体的进气管。风刀出气组件通过固定机构与进气组件相固定。风刀出气组件包括绕进气通道的周向间隔设置的至少两个风刀，风刀内有气体通路，且气体通路的进气端与进气通道连通。风刀的出气面具有间隔设置的多个出气口。出气口与气体通路的出气端连通。进气机构还包括驱动电机。驱动电机用于驱动风刀出气组件旋转。由于进气组件的进气通道与风刀出气组件的气体通路连通，气体通路的出气端与出气口连通，从而气体可以由进气通道进入，经过风刀出气组件的气体通路后从出气口至薄膜沉积腔体的腔室中。本公开实施例中，驱动电机可以驱动风刀出气组件旋转，可以带动风刀出气组件内的气体通路中的气体旋转，风刀出气组件以进气通道为圆心旋转，由于离心力的作用，远离进气通道的出气口的气体通路的气体旋转速度大于靠近进气通道的出气口的气体通路的气体旋转速度，使单位时间内远离进气通道的出气口出来的气体的流量大于靠近进气通道的出气口出来的气体的流量，从而在单位时间内远离进气通道的出气口出来的气体的密度大于靠近进气通道的出气口出来的气体的密度，可以减小因为气体通路路径长度不一带来的靠近进气通道的出气口出来的气体的密度与远离进气通道的出气口出来的气体的密度差异，使单位时间内靠近进气通道的晶圆表面上的气体密度与远离进气通道的晶圆表面上的气体密度接近，进而可以提高沉积出的薄膜的均匀度。
14、此外，风刀出气组件旋转可以带动风刀出气组件内的气体通路中的气体旋转，使气体的流动速度变快，气体到达晶圆的速度更快，可以提高单位面积的晶圆上的气体密度，从而可以提高沉积薄膜的效率。另外，风刀出气组件旋转可以带动风刀出气组件内的气体通路中的气体旋转，使气体的流动速度变快，可以提高气体从腔室底部的抽走速度。
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1.一种进气机构，用于向薄膜沉积腔体的腔室内提供气体，其特征在于，所述进气机构包括：
2.根据权利要求1所述的进气机构，其特征在于，所述风刀内具有多个相互独立的气体通路，且所述气体通路与所述出气口一一对应。
3.根据权利要求1所述的进气结构，其特征在于，所述气体通路为位于所述风刀内的空腔，且不同的所述风刀内的所述气体通路相连通；多个所述出气口与所述空腔连通。
4.根据权利要求1-3任一项所述的进气机构，其特征在于，多个所述风刀构成一字形、十字形或者米字形。
5.根据权利要求1-3任一项所述的进气机构，其特征在于，所述风刀包括：
6.根据权利要求1所述的进气机构，其特征在于，所述风刀包括与所述进气组件正对的中心部；在沿所述风刀边缘指向所述中心部的方向上，所述出气口的分布密度逐渐减小。
7.根据权利要求1或6所示的进气结构，其特征在于，所述风刀包括与所述进气组件正对的中心部；在沿所述风刀边缘指向所述中心部的方向上，不同的所述出气口的出气量逐渐减小。
8.根据权利要求1所述的进气结构，其特征在于，所述进
9.一种薄膜沉积腔体，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的薄膜沉积腔体，其特征在于，所述出气口所在的位置为等离子电极板。
...【技术特征摘要】
1.一种进气机构，用于向薄膜沉积腔体的腔室内提供气体，其特征在于，所述进气机构包括：
2.根据权利要求1所述的进气机构，其特征在于，所述风刀内具有多个相互独立的气体通路，且所述气体通路与所述出气口一一对应。
3.根据权利要求1所述的进气结构，其特征在于，所述气体通路为位于所述风刀内的空腔，且不同的所述风刀内的所述气体通路相连通；多个所述出气口与所述空腔连通。
4.根据权利要求1-3任一项所述的进气机构，其特征在于，多个所述风刀构成一字形、十字形或者米字形。
5.根据权利要求1-3任一项所述的进气机构，其特征在于，所述风刀包括：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：周纬，朱顺利，李继刚，张俊，
申请(专利权)人：江苏首芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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