TOPCon电池结构的制备方法及应用技术

本发明专利技术提供了一种TOPCon电池结构的制备方法及应用，本发明专利技术利用硼扩共推工艺同时推进形成正面发射区n‑poly与背面p‑poly，减少了一步高温工艺，简化了工艺流程。后续通过利用激光大面积开膜工艺，保留电池正面发射极与金属接触区域的TOPCon结构，提升了发射极区域的钝化性能和载流子的收集效率。本发明专利技术优化了TOPCon电池结构的制备方法，简化了工艺流程，极大的缩减了工艺流程时间，降低了电池的制备成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池领域，具体涉及一种topcon电池结构的制备方法及应用。

技术介绍

1、自光伏技术成为一种可行的可再生能源以来，晶体硅(c-si)太阳能电池因为它的制造技术成熟，制造成本低，市场接受度高一直主导着光伏(pv)市场。近年来，带有topcon电池结构的电池凭借优秀的电池特性，低功率衰减性，以及和上一代量产perc电池产线的兼容性，受到了市场和研究机构的关注。

2、专利cn114497241a设计了一种新型全背结电池，通过降低两面接触区的载流子复合，并将发射极放到背面，可以降低正面非接触区的载流子复合，从而获得比常规topcon更高的开路电压和转换效率。但其所涉及的电池结构的工艺方法在电池制备过程中需要经过两次高温工艺(磷扩工艺和硼扩工艺)，工艺过程繁琐，工艺时间过程较长，不利于量产工艺的导入。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种topcon电池结构的制备方法及应用。

2、本专利技术的第一方面提供了一种topcon电池结构的制备方法，所述方法包本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种TOPCon电池结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述衬底材料为晶体硅。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述i-poly层的厚度为50～600nm，优选为300～500nm，更优选为300～400nm；和/或

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，步骤(3)中，沉积所述PSG层的方法为APCVD；和/或

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，步骤(6)中，制绒所得金字塔绒面结构的底面位于隧穿层下方。...

【技术特征摘要】

1.一种topcon电池结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述衬底材料为晶体硅。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述i-poly层的厚度为50～600nm，优选为300～500nm，更优选为300～400nm；和/或

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，步骤(3)中，沉积所述psg层的方法为apcvd；和/或

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，步骤(6)中，制绒所得金字塔绒面结构的底面位于隧穿层下方。

【专利技术属性】
技术研发人员：刘绍阳，徐冠超，张倬涵，李宏伟，王尧，陈达明，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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