【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及其制造方法。
技术介绍
1、随着对显示面板的高分辨率、高清晰度、快速响应、低功耗等指标提出越来越高的要求，金属氧化物半导体凭借其相对较高的迁移率及相对低温多晶硅更低的漏电流，越来越多被应用在液晶显示面板(liquid crystal display panel，简称lcd)和有机电致发光显示面板(organic electroluminescence display panel，简称oled)等高端显示器件中。近年来，高迁移率的金属氧化物半导体在具备低漏电流优势的基础上，进一步增加迁移率，成为了研究热点。
2、然而，当由于高迁移率氧化物半导体更容易开启，稳定性相对较差，难以兼顾合适的阈值电压及优异稳定性，故在当前的显示面板中难以同时满足各电路单元对不同薄膜晶体管要求。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种显示面板及其制造方法，可以解决由于高迁移率氧化物半导体更容易开启，稳定性相对较差，难以兼顾合适的阈值电压及优异稳定性，故在当前的显示面板中难以同时满足各电路单元对不同薄膜晶体管要求的问题。
2、本申请实施例提供了一种显示面板，包括：
3、基底；
4、第一晶体管，设置于所述基底上，所述第一晶体管包括第一源极和第一漏极；
5、第二晶体管，设置于所述基底上，所述第二晶体管包括第二源极和第二漏极；
6、其中，所述第一源极和所述第一漏极均具有两层金属子层，所述第二源极和所述第
7、可选地，在本申请的一些实施例中，所述两层金属子层包括第一子金属层和第二子金属层，所述第二子金属层设置在所述第一子金属层远离所述基底的一面；
8、所述三层金属子层包括第三子金属层、第四子金属层和第五子金属层，所述第四子金属层设置在所述第三子金属层远离所述基底的一面，所述第五子金属层设置在所述第四子金属层远离所述基底的一面；其中
9、所述第一子金属层和所述第三子金属层同层同材料，所述第二子金属层和所述第四子金属层同层同材料。
10、可选地，在本申请的一些实施例中，所述第一子金属层包括钼、钛、钕、银中至少一种；
11、所述第二子金属层包括铜、铝、铁中至少一种；
12、所述第五子金属层包括钼、钛、钕、银中至少一种。
13、可选地，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括：
14、保护层，设置于所述两层金属子层和所述三层金属子层上，所述保护层接触所述第一源极、所述第一漏极、所述第一源极和所述第二漏极设置。
15、可选地，在本申请的一些实施例中，所述显示面板包括栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括多级级连的goa单元，所述goa单元包括所述第一晶体管和所述第二晶体管。
16、可选地，在本申请的一些实施例中，所述goa单元包括：
17、上拉控制模块，连接第一节点，用于上拉所述第一节点的电位；
18、上拉模块，连接所述第一节点，所述上拉模块用于输出本级扫描信号；
19、下拉模块，连接所述第一节点，用于下拉所述第一节点的电位；
20、下拉维持模块，连接所述第一节点，用于维持所述第一节点的低电位；
21、其中，所述上拉控制模块和所述上拉模块中的至少一个包括所述第二晶体管，所述下拉模块和所述下拉维持模块中的至少一个包括所述第一晶体管。
22、相应地，本申请还提供了一种显示面板的制造方法，包括如下步骤：
23、提供一基底；
24、在所述基底上形成第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管包括第一源极和第一漏极，所述第二晶体管包括第二源极和第二漏极，其中，所述第一源极和所述第一漏极均具有两层金属子层，所述第二源极和所述第二漏极均具有三层金属子层。
25、可选地，在本申请的一些实施例中，所述两层金属子层包括第一子金属层和第二子金属层，所述第二子金属层设置在所述第一子金属层远离所述基底的一面，所述三层金属子层包括第三子金属层、第四子金属层和第五子金属层，所述第四子金属层设置在所述第三子金属层远离所述基底的一面，所述第五子金属层设置在所述第四子金属层远离所述基底的一面；其中
26、形成所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极的方法包括：
27、在所述基底上依次沉积第一金属图案和第二金属图案；
28、通过金属打印工艺在与所述第二晶体管对应区域的所述第二金属图案上形成第三金属图案；
29、对所述第一金属图案、所述第二金属图案和所述第三金属图案进行图案化处理，以形成所述第一子金属层、所述第二子金属层、所述第三子金属层、所述第四子金属层和所述第五子金属层。
30、可选地，在本申请的一些实施例中，所述两层金属子层包括第一子金属层和第二子金属层，所述第二子金属层设置在所述第一子金属层远离所述基底的一面，所述三层金属子层包括第三子金属层、第四子金属层和第五子金属层，所述第四子金属层设置在所述第三子金属层远离所述基底的一面，所述第五子金属层设置在所述第四子金属层远离所述基底的一面；其中
31、形成所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极的方法包括：
32、在所述基底上依次沉积第一金属图案、第二金属图案和第三金属图案；
33、对所述第一金属图案、所述第二金属图案和所述第三金属图案进行图案化处理，以形成所述第一子金属层、所述第二子金属层、所述第三子金属层、所述第四子金属层和所述第五子金属层；
34、刻蚀所述第二子金属层远离所述第一子金属层一面的所述第三金属图案。
35、相应地，本申请还提供了一种显示面板，所述显示面板由上述中任一项所述的显示面板的制造方法制成。
36、本申请实施例中，提供了一种显示面板及其制造方法，包括：基底；第一晶体管，设置于基底上，第一晶体管包括第一源极和第一漏极；第二晶体管，设置于基底上，第二晶体管包括第二源极和第二漏极；其中，第一源极和第一漏极均具有两层金属子层，第二源极和第二漏极均具有三层金属子层。在本申请中，显示面板同时包括第一晶体管和第二晶体管，第二晶体管的第二源极和第二漏极要比第一晶体管的第一源极和第一漏极多一层子金属层；第一晶体管具有关态特性更好和稳定性更好的优点，第二晶体管具有迁移率更高和输出特性更好的优点；本申请在显示面板中同时设置第一晶体管和第二晶体管，分别利用第一晶体管的和第二晶体管的优点，从而可以满足显示面板中各电路单元对不同薄膜晶体管要求。
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1.一种显示面板，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述两层金属子层包括第一子金属层和第二子金属层，所述第二子金属层设置在所述第一子金属层远离所述基底的一面；
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一子金属层包括钼、钛、钕、银中至少一种；
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
5.如权利要求1至4任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括多级级连的GOA单元，所述GOA单元包括所述第一晶体管和所述第二晶体管。
6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述GOA单元包括：
7.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
8.如权利要求7所述的显示面板的制造方法，其特征在于，
9.如权利要求7所述的显示面板的制造方法，其特征在于，
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板由权利要求7-9任一项所述的显示面板的制造方法制成。
【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述两层金属子层包括第一子金属层和第二子金属层，所述第二子金属层设置在所述第一子金属层远离所述基底的一面；
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一子金属层包括钼、钛、钕、银中至少一种；
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
5.如权利要求1至4任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括栅极驱动电路，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡志辉，葛世民，吴伟，
申请(专利权)人：广州华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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