System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 发光器件和包括所述发光器件的电子设备制造技术_技高网

发光器件和包括所述发光器件的电子设备制造技术

技术编号:40263107 阅读:10 留言:0更新日期:2024-02-02 22:52
公开发光器件和包括所述发光器件的电子设备。所述发光器件包括第一电极、与所述第一电极相对的第二电极、以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的中间层,其中所述中间层包括发射层,其中所述发射层包括m1种掺杂剂和m2种主体,并且m1和m2各自为1或更大,当m1为2或更大时,则两种或更多种掺杂剂彼此不同,当m2为2或更大时,则两种或更多种主体彼此不同,并且所述发光器件满足条件1,其中条件1可通过参照本文中提供的描述而理解。条件10德拜·V≤DM<subgt;EML</subgt;×(V<subgt;op</subgt;‑V<subgt;inj</subgt;)≤3.41德拜·V。

【技术实现步骤摘要】

本主题涉及发光器件和包括其的电子设备。


技术介绍

1、在发光器件(oled)之中,有机发光器件是在视角、响应时间、亮度、驱动电压、和响应速度方面具有改善的特性的自发射器件。另外,oled可产生全色图像。

2、在典型实例中,有机发光器件包括阳极、阴极、以及位于阳极和阴极之间的有机层,其中有机层包括发射层。空穴传输区域可位于阳极和发射层之间,且电子传输区域可位于发射层和阴极之间。从阳极提供的空穴可通过空穴传输区域朝着发射层移动,且从阴极提供的电子可通过电子传输区域朝着发射层移动。空穴和电子可在发射层中复合以产生激子。激子可从激发态跃迁至基态,从而产生光。


技术实现思路

1、提供具有改善的开启(导通)时间的发光器件。

2、提供包括所述发光器件的电子设备。

3、另外的方面将部分地在随后的详细描述中阐明,并且部分地将从该详细描述明晰,或者可通过所呈现的示例性实施方式的实践而获悉。

4、根据一个方面,发光器件包括:

5、第一电极,

6、与所述第一电极相对的第二电极,以及

7、布置在所述第一电极和所述第二电极之间的中间层,其中所述中间层包括发射层,

8、其中所述发射层包括m1种掺杂剂和m2种主体,

9、m1和m2各自为1或更大的整数,

10、当m1为2或更大时,则两种或更多种掺杂剂彼此不同,

11、当m2为2或更大时,则两种或更多种主体彼此不同,和

12、所述发光器件满足条件1:

13、条件1

14、0德拜·v≤dmeml×(vop-vinj)≤3.41德拜·v

15、其中,在条件1中,

16、dmeml为与之和并且以德拜计,

17、x为1至m1的变量,

18、y为1至m2的变量,

19、dm(dx)为第x种掺杂剂的偶极矩,并且以德拜计,

20、dm(hy)为第y种主体的偶极矩,并且以德拜计,

21、dm(dx)和dm(hy)各自基于密度泛函理论(dft)计算,

22、w(dx)为相对于所述m1种掺杂剂和所述m2种主体的总重量,所述第x种掺杂剂的重量分数,

23、w(hy)为相对于所述m1种掺杂剂和所述m2种主体的总重量,所述第y种主体的重量分数,

24、vop为在1毫安/平方厘米(ma/cm2)的电流密度下所述发光器件的驱动电压,并且以伏(v)计,和

25、vinj为所述发光器件的电荷注入电压,并且具有在如下坐标的电压之中的最小值:在所述发光器件的电压-电流密度图中在所述坐标处观察到电流密度增加速率的变化,且以伏(v)计。

26、例如,所述发光器件的所述中间层可包括

27、各自包括至少一个发射层的m个发光单元,和

28、布置在所述m个发光单元的两个相邻发光单元之间的m-1个电荷产生层,

29、其中

30、m可为2或更大的整数,和

31、所述m个发光单元的至少一个发光单元中包括的发射层中可包括所述m1种掺杂剂和所述m2种主体。

32、在一个或多个实施方式中,所述发光器件可进一步包括

33、包括红色子像素、绿色子像素、和蓝色子像素的基板,

34、其中所述第一电极可针对所述红色子像素、所述绿色子像素、和所述蓝色子像素的每一个被图案化,

35、所述发射层可包括对应于所述红色子像素的红色发射层、对应于所述绿色子像素的绿色发射层、和对应于所述蓝色子像素的蓝色发射层,和

36、所述绿色发射层可包括所述m1种掺杂剂和所述m2种主体。

37、根据一个或多个实施方式,电子设备包括所述发光器件。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.发光器件,其包括:

2.如权利要求1所述的发光器件,其中

3.如权利要求1所述的发光器件,其中

4.如权利要求1所述的发光器件,其中

5.如权利要求1所述的发光器件,其中

6.如权利要求1所述的发光器件,其中

7.如权利要求1所述的发光器件,其中

8.如权利要求1所述的发光器件,其中

9.如权利要求8所述的发光器件,其中

10.如权利要求1所述的发光器件,其中

11.如权利要求1所述的发光器件,其中

12.如权利要求1所述的发光器件,其中

13.如权利要求1所述的发光器件,其中

14.如权利要求1所述的发光器件,其中

15.如权利要求1所述的发光器件,其中

16.如权利要求1所述的发光器件,其中

17.如权利要求16所述的发光器件,其中

18.如权利要求16所述的发光器件,其中

19.如权利要求16所述的发光器件,其中

20.电子设备,其包括如权利要求1-19任一项所述的发光器件。

...

【技术特征摘要】

1.发光器件,其包括:

2.如权利要求1所述的发光器件,其中

3.如权利要求1所述的发光器件,其中

4.如权利要求1所述的发光器件,其中

5.如权利要求1所述的发光器件,其中

6.如权利要求1所述的发光器件,其中

7.如权利要求1所述的发光器件,其中

8.如权利要求1所述的发光器件,其中

9.如权利要求8所述的发光器件,其中

10.如权利要求1所述的发光器件,其中

11.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭丞燕金圣玟李锦喜李芳璘李晟熏石原慎吾崔炳基洪英基
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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