【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文中公开的至少一些实施例大体上涉及存储器系统，且更特定来说(但不限于)配置存储器单元以存储数据的技术。
技术介绍
1、存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置及易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统来将数据存储于存储器装置处及从存储器装置检索数据。
2、存储器装置可包含具有形成于半导电材料的集成电路裸片上的一或多个存储器单元阵列的存储器集成电路。存储器单元是可个别地使用或操作以存储数据的最小存储器单位。一般来说，存储器单元可存储一或多个数据位。
3、已开发用于存储器集成电路的不同类型的存储器单元，例如随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态随机存取存储器(dram)、静态随机存取存储器(sram)、同步动态随机存取存储器(sdram)、相变存储器(pcm)、磁随机存取存储器(mram)、或非(nor)快闪存储器、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、快闪存储器等。
4、一些集成电路存储器单元是易失性的，且需要电力以维持存储于...
【技术保护点】
1.一种装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中在不存在所述第二电压脉冲的情况下，将所述第一电压脉冲施加到所述存储器单元将所述存储器单元的所述阈值电压编程到表示替代值的替代电平。
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第二电压脉冲持续不超过20纳秒；且
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述值是第三值；
5.根据权利要求4所述的装置，其中响应于编程存储器单元的所述阈值电压以表示第四值的确定，所述控制器经配置以指示所述电压驱动器：
6.根据权利要求5所述的装置，其中所述第一电压脉冲及所述第二电压脉冲的...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中在不存在所述第二电压脉冲的情况下，将所述第一电压脉冲施加到所述存储器单元将所述存储器单元的所述阈值电压编程到表示替代值的替代电平。
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第二电压脉冲持续不超过20纳秒；且
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述值是第三值；
5.根据权利要求4所述的装置，其中响应于编程存储器单元的所述阈值电压以表示第四值的确定，所述控制器经配置以指示所述电压驱动器：
6.根据权利要求5所述的装置，其中所述第一电压脉冲及所述第二电压脉冲的持续时间具有与所述第三电压脉冲的持续时间相同的长度；且所述第五电压脉冲及所述第六电压脉冲的持续时间具有与所述第四电压脉冲的持续时间相同的长度。
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述第三电压脉冲的所述持续时间及所述第四电压脉冲的所述持...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨玲明，陈宣安，K·萨尔帕特瓦里，F·D·贝尔纳克特尔，J·陈，N·N·加杰拉，A·马宗达，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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