【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种基于n+区和n-区提高抗闩锁能力的igbt及制备方法。
技术介绍
1、igbt(insulated gate bipolar transistor)是绝缘栅双极晶体管的简称，其由双极结型晶体管(bjt)和金属氧化物场效应晶体管(mosfet)组成，是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件，是实现电能转换的核心器件，也是目前mos-双极型功率器件的主要发展方向之一。igbt不仅具有mosfet输入阻抗高、栅极易驱动等特点，而且具有双极型晶体管电流密度大、功率密度高等优势，已广泛应用于轨道交通、新能源汽车、智能电网、风力发电等高电压、大电流的领域，以及微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等低功率家用电器领域。igbt的驱动方法和mosfet 基本相同，igbt也是一个三端器件，正面有两个电极，分别为发射极(emitter)和栅极(gate)，背面为集电极(collector);在正向工作状态下，发射极接地或接负压，集电极接正压，两电极间电压vce>0，因此igbt的发射极和集电极又分别称为阴极(cathode)和阳极(anode)。igbt可以通过控制其集-射极电压vce和栅-射极电压vge的大小，实现对igbt导通/开关/阻断状态的控制。igbt 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给pnp 晶体管提供基极电流，使igbt导通。反之，加反向栅极电压消除沟道，流过反向基极电流，使igbt关断。
2、在igbt内部的npn晶体管的基极和发射极之间并有一个体区扩展电阻，p
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供种基于n+区和n-区提高抗闩锁能力的igbt及制备方法，该igbt对传统的n+区的浓度分布进行改善，将n+区分裂出一块n-区，n+区和n-区并排的结构能够降低集电极载流子浓度，三极管的放大系数会随之减小，导致集电极电流减小，从而抑制npn晶体管的导通，避免闩锁效应的发生。
2、一种基于n+区和n-区提高抗闩锁能力的igbt，包括：n-区；
3、所述n-区位于体区上方并与所述体区和所述栅极氧化层邻接。
4、优选地，还包括：n+区；
5、优选地，所述n+区位于所述n-区和p+区之间并与所述体区、所述n-区和所述p+区邻接。
6、优选地，所述n-区的掺杂浓度为1018至2×1018cm-3。
7、优选地，所述n+区的掺杂浓度为1019至2×1020cm-3。
8、优选地，所述n-区的宽度为0.8um。
9、优选地，所述n+区的宽度为0.4um。
10、优选地，所述n-区的厚度为1um。
11、优选地，所述n+区的厚度为1um。
12、优选地，还包括：集电极、发射极、栅极、衬底、缓冲层、漂移层、p+区和体区；
13、所述集电极位于所述衬底下方；
14、所述衬底位于所述缓冲层下方；
15、所述缓冲层位于所述漂移层下方；
16、所述漂移层位于所述体区下方；
17、所述体区位于n+区、所述n-区和所述p+区下方；
18、所述p+区位于所述发射极下方；
19、所述发射极位于n+区、所述n-区和所述p+区上方；
20、所述栅极位于所述漂移层上方。
21、一种基于n+区和n-区提高抗闩锁能力的igbt制备方法，包括：
22、在衬底上方外延形成缓冲层和漂移层；
23、在所述漂移层的上层蚀刻沟槽后沉积栅极；
24、在所述栅极的两侧离子注入形成体区；
25、在所述体区的上层离子注入形成n-区、n+区和p+区；
26、沉积发射极和集电极。
27、本专利技术对传统的n+区的浓度分布进行改善，将n+区分裂出一块n-区，n+区和n-区并排的结构能够降低集电极载流子浓度，三极管的放大系数会随之减小，导致集电极电流减小，从而抑制npn晶体管的导通，避免闩锁效应的发生。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基于N+区和N-区提高抗闩锁能力的IGBT，其特征在于，包括：N-区；
2.根据权利要求1所述的一种基于N+区和N-区提高抗闩锁能力的IGBT，其特征在于，还包括：N+区；
3.根据权利要求1所述的一种基于N+区和N-区提高抗闩锁能力的IGBT，其特征在于，所述N-区的掺杂浓度为1018至2×1018cm-3。
4.根据权利要求2所述的一种基于N+区和N-区提高抗闩锁能力的IGBT，其特征在于，所述N+区的掺杂浓度为1019至2×1020cm-3。
5.根据权利要求1所述的一种基于N+区和N-区提高抗闩锁能力的IGBT，其特征在于，所述N-区的宽度为0.8um。
6.根据权利要求2所述的一种基于N+区和N-区提高抗闩锁能力的IGBT，其特征在于，所述N+区的宽度为0.4um。
7.根据权利要求1所述的一种基于N+区和N-区提高抗闩锁能力的IGBT，其特征在于，所述N-区的厚度为1um。
8.根据权利要求1所述的一种基于N+区和N-区提高抗闩锁能力的IGBT，其特征在于，所述N+区的厚度为1
9.根据权利要求1所述的一种基于N+区和N-区提高抗闩锁能力的IGBT，其特征在于，还包括：集电极、发射极、栅极、衬底、缓冲层、漂移层、P+区和体区；
10.一种基于N+区和N-区提高抗闩锁能力的IGBT制备方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种基于n+区和n-区提高抗闩锁能力的igbt，其特征在于，包括：n-区；
2.根据权利要求1所述的一种基于n+区和n-区提高抗闩锁能力的igbt，其特征在于，还包括：n+区；
3.根据权利要求1所述的一种基于n+区和n-区提高抗闩锁能力的igbt，其特征在于，所述n-区的掺杂浓度为1018至2×1018cm-3。
4.根据权利要求2所述的一种基于n+区和n-区提高抗闩锁能力的igbt，其特征在于，所述n+区的掺杂浓度为1019至2×1020cm-3。
5.根据权利要求1所述的一种基于n+区和n-区提高抗闩锁能力的igbt，其特征在于，所述n-区的宽度为0.8um。
【专利技术属性】
技术研发人员：廉晓克，
申请(专利权)人：深圳天狼芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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