【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体外延层制备领域，具体涉及一种测试晶圆掺杂浓度的方法。
技术介绍
1、当前半导体外延层的掺杂浓度可以使用二次离子质谱(secondary ion massspectroscopy，sims)来精确检测，sims是目前常用的各种表面分析技术中最灵敏的技术，以极低的检出限对元素掺杂及浓度分布进行表征，其测试精度达到ppm～ppb范围，并能进行其它技术无法比拟的目标元素精确测量。但是sims测试周期比较长，花费成本高。
2、为了降低测试成本和测试周期，亟需一种测试周期短以及成本低的测试方法。
技术实现思路
1、为了降低测试成本和测试周期，本专利技术提出的一种测试晶圆掺杂浓度的方法，包含以下步骤：
2、s1、提供一晶圆，在所述晶圆上形成掺杂的外延层；
3、s2、测量所述外延层的厚度和薄层电阻，获得厚度值和薄层电阻值；
4、s3、将所述厚度值和薄层电阻值代入掺杂浓度预测模型，获得所述外延层的预测掺杂浓度；
5、其中，所述掺...
【技术保护点】
1.一种测试晶圆掺杂浓度的方法，其特征在于，包含以下步骤：
2.如权利要求1所述的测试晶圆掺杂浓度的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，形成所述外延层的工艺温度为700-760℃。
3.如权利要求1所述的测试晶圆掺杂浓度的方法，其特征在于，所述外延层包括硅和锗。
4.如权利要求1所述的测试晶圆掺杂浓度的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，形成所述外延层包含以下步骤：
5.如权利要求4所述的测试晶圆掺杂浓度的方法，其特征在于，所述烘烤气体是氢气或氮气二者中的至少一种。
6.如权利要求4所述的测试晶圆掺杂浓度的方...
【技术特征摘要】
1.一种测试晶圆掺杂浓度的方法，其特征在于，包含以下步骤：
2.如权利要求1所述的测试晶圆掺杂浓度的方法，其特征在于，在所述步骤s1中，形成所述外延层的工艺温度为700-760℃。
3.如权利要求1所述的测试晶圆掺杂浓度的方法，其特征在于，所述外延层包括硅和锗。
4.如权利要求1所述的测试晶圆掺杂浓度的方法，其特征在于，在所述步骤s1中，形成所述外延层包含以下步骤：
5.如权利要求4所述的测试晶圆掺杂浓度的方法，其特征在于，所述烘烤气体是氢气或氮气二者中的至少一种。
6.如权利要求4所述的测试晶圆掺杂浓度的方法，其特征在于，所述半导体前体包括：甲硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：许晓坤，李哲，丁科允，
申请(专利权)人：江苏天芯微半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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